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면광원장치와 이를 포함하는 액정표시장치

  • 기술번호 : KST2015159201
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 면광원 장치와 이를 포함하는 액정표시장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 면광원장치는 하부 기판과, 상기 하부 기판에 형성되어 있는 캐소드 전극과, 상기 캐소드 전극과 전기적으로 연결되어 있는 에미터 팁용 탄소나노튜브와 상기 하부 기판에 대향하여 위치하는 상부 기판 및 상부 기판에 형성되어 있는 형광층과 애노드 전극을 포함한다. 본 발명에 따라 수은을 사용하지 않으면서도 효율이 우수한 면광원 장치와 이를 포함하는 액정표시장치가 제공된다.
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) G02F 1/13357 (2011.01) H01J 1/30 (2011.01)
CPC
출원번호/일자 1020050059463 (2005.07.02)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 재단법인서울대학교산학협력재단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2007-0003467 (2007.01.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.30)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 재단법인서울대학교산학협력재단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유형석 대한민국 경기 용인시 죽
2 이명희 대한민국 서울특별시 강남구
3 황인선 대한민국 경기 수원시 영통구
4 박해일 대한민국 서울특별시 관악구
5 주승기 대한민국 경기도 성남시 분당구
6 최성락 대한민국 경기도 오산시 운암로 **,

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박영우 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***, *층 **세기특허법률사무소 (역삼동, 세일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2005-0359586-16
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5072608-11
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2005-5079334-14
4 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2006.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0371727-85
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2008-5015497-73
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0422281-26
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0751318-36
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.01.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0057834-82
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0057822-34
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.07.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0397045-07
12 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.08.09 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2012-0037357-31
13 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2012.09.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0739299-62
14 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination		 2012.11.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0666241-82
15 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2012.12.14 수리 (Accepted) 7-8-2012-0040204-44
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.08.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5100909-62
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.20 수리 (Accepted) 4-1-2015-5036045-28
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2015-5104722-59
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하부기판; 상기 하부기판 상에 적어도 2중층으로 형성되어 있는 캐소드 전극;상기 캐소드 전극 상에 성장된 에미터 팁용 탄소나노튜브; 및상기 하부기판에 대향하여 위치하며, 형광체와 투명전극을 갖는 상부기판을 포함하되, 상기 캐소드 전극의 상부 표면층은 은(Ag), 납(Nb), 몰리브덴(Mo), 구리(Cu), 탄탈륨(Ta), 비스무트(Bi), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti) 및 몰리브덴-텅스텐 합금으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 면광원 장치
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 캐소드 전극과 절연되며, 상기 캐소드 전극 상부에 형성되는 게이트 전극을 더 포함하는 면광원 장치
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 납(Pd), 백금(Pt), 로듐(Rh), 이리듐(Ir), 니켈(Ni), 철(Fe), 금(Au), 텅스텐(W) 및 크롬(Cr)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 면광원 장치
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 캐소드 전극은 2중층으로 이루어져 있으며, 하부 캐소드 전극층은 크롬을 포함하고 상부 캐소드 전극층은 티타늄을 포함하는 것을 특징으로 하는 면광원 장치
5 5
제 4 항에 있어서, 하부 캐소드 전극층은 게이트 전극과 같은 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 면광원 장치
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 면광원 장치 상에 배치된 액정 표시패널을 더 포함하는 액정 표시 장치
7 7
하부기판; 상기 하부기판 상에 적어도 하나의 층으로 형성되어 있는 캐소드 전극;상기 캐소드 전극 상부에, 상기 캐소드 전극과 절연되며 상기 캐소드 전극의 표면 일부를 노출시키는 개구를 갖는 게이트 전극;상기 게이트 전극의 상부 표면에 탄소나노튜브 성장을 위한 촉매 금속층;상기 게이트 전극의 개구에 대응하는 상기 캐소드 전극 상에서 성장된 에미터 팁용 탄소나노튜브; 및상기 하부기판에 대향하여 위치하며, 형광체와 투명전극을 갖는 상부기판을 포함하는 면광원 장치
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 캐소드 전극은 하부 캐소드 전극층 및 상부 캐소드 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 면광원 장치
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 하부 캐소드 전극층은 게이트 전극과 동일한 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 면광원 장치
10 10
하부기판에 적어도 하나의 층으로 이루어진 캐소드 전극을 형성하는 단계;상기 캐소드 전극의 상부에 상기 캐소드 전극과 절연되며 상기 캐소드 전극 표면 일부를 노출시키는 개구를 갖는 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극의 상부 표면 및 상기 게이트 전극의 개구에 대응하는 캐소드 전극의 표면에 탄소나노튜브 성장을 위한 촉매 금속층을 형성하는 단계;상기 게이트 전극의 개구에 대응하는 상기 캐소드 전극 상에 에미터 팁용 탄소나노튜브를 성장시키는 단계; 및상기 하부기판에 대향하여 위치하며, 형광체와 투명전극을 갖는 상부기판 구비하는 단계를 포함하는 면광원 장치 제조방법
11 11
제 10항에 있어서, 상기 캐소드 전극과 절연되며, 상기 캐소드 전극 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계는,상기 캐소드 전극 상에 절연 물질층을 형성하는 단계;상기 절연 물질층 상에 게이트 전극 패턴을 형성하는 단계; 및상기 게이트 전극 패턴을 마스크로 하여 상기 절연 물질층을 식각하여 캐소드 전극 표면을 노출시키는 단계를 포함하는 면광원 장치 제조방법
12 12
제 10 항에 있어서, 상기 캐소드 전극을 형성하는 단계는, 크롬층을 형성하는 단계; 및상기 크롬층 상에 티타늄층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 면광원 장치 제조 방법
13 13
제 11 항에 있어서, 상기 게이트 전극은 크롬층인 것을 특징으로 하는 면광원 장치 제조 방법
14 14
제 10 항에 있어서, 암모니아(NH3) 가스 분위기에서 상기 촉매 금속을 전처리하는 단계를 더 포함하는 면광원 장치 제조 방법
15 15
제 10 항에 있어서, 탄소나노튜브를 성장시키는 단계는 암모니아(NH3) 가스와 아세틸렌(C2H2) 가스 분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 면광원 장치 제조 방법
16 16
제 15 항에 있어서, 탄소나노튜브를 성장시키는 단계에서 상기 암모니아(NH3) 가스와 아세틸렌(C2H2) 가스의 부피 비율(NH3 : C2H2)은 2 : 1 인 것을 특징으로 하는 면광원 장치 제조 방법
17 17
제 15 항에 있어서, 탄소나노튜브를 성장시키는 단계는 400V 이상의 플라즈마 전계가 인가된 상태에서 성장시키는 것을 특징으로 하는 면광원 장치 제조 방법
18 18
제 11항에 있어서, 상기 면광원 장치 제조 방법은 상기 게이트 전극 패턴을 형성하는 단계에서만 1회의 포토 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 면광원 장치 제조방법
19 19
제 11항에 있어서, 상기 면광원 장치 상에 액정 표시패널을 배치하는 단계를 더 포함하는 액정 표시 장치 제조방법
20 20
하부기판, 상기 하부기판에 크롬층 및 티타늄층을 포함하는 캐소드 전극, 상기 캐소드 전극 상부에, 상기 캐소드 전극과 절연되며 상기 캐소드 전극의 표면 일부를 노출시키는 개구를 갖는 크롬으로 이루어진 게이트 전극, 상기 게이트 전극의 개구에 대응하는 상기 캐소드 전극 상에서 성장된 에미터 팁용 탄소나노튜브, 상기 하부기판에 대향하여 위치하며, 형광체와 투명전극을 갖는 상부기판으로 이루어진 면광원 장치; 상기 면광원 장치 상부에 위치하는 액정 표시 패널; 및상기 면광원 장치와 액정 표시 패널 사이에 개재된 광학시트를 포함하는 액정 표시장치
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP19012619 JP 일본 FAMILY
2 US07816851 US 미국 FAMILY
3 US08035292 US 미국 FAMILY
4 US20070040960 US 미국 FAMILY
5 US20100328582 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN1940676 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN1940676 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2007012619 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 TW200715000 TW 대만 DOCDBFAMILY
5 TWI470320 TW 대만 DOCDBFAMILY
6 US2007040960 US 미국 DOCDBFAMILY
7 US2010328582 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US7816851 US 미국 DOCDBFAMILY
9 US8035292 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.