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비휘발성 메모리의 메모리 누수 복구 방법 및 장치(METHOD AND APPARATUS FOR RECOVERING LEAKAGE OF NONVOLATILE MEMORY)

  • 기술번호 : KST2016018326
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비휘발성 메모리에서 누수 여부를 판단하고 복구하는 방법이 제시된다. 비휘발성 메모리의 복구 방법은 복수의 노드들이 연결된 자료 구조에서 부모 노드로부터 자식 노드의 순서대로 노드의 접근 가능 여부를 판단하는 단계, 상기 자료 구조의 노드별로 접근 가능 여부를 나타내는 식별 정보를 생성하는 단계 및 상기 식별 정보에 따라 상기 자료 구조에서 단절된 포인터에 대응하는 노드에 할당된 비휘발성 메모리의 영역을 해제하는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL G06F 12/02 (2006.01) G06F 9/445 (2006.01)
CPC G06F 12/0253(2013.01) G06F 12/0253(2013.01) G06F 12/0253(2013.01)
출원번호/일자 1020150095967 (2015.07.06)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1669762-0000 (2016.10.20)
공개번호/일자 10-2016-0122618 (2016.10.24) 문서열기
공고번호/일자 (20161026) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020150052609   |   2015.04.14
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.07.06)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 손한근 대한민국 서울특별시 성동구
2 원유집 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 정재민 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.07.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0653116-46
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.02.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0028579-27
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.03.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0195853-37
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2016-0462516-16
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.05.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0462505-14
7 등록결정서
Decision to grant		 2016.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0699126-40
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
동적 메모리 할당 요청에 대응하여 복수의 노드들이 연결된 자료 구조의 각 노드에 메모리를 할당하는 단계;상기 자료 구조에서 부모 노드로부터 자식 노드의 순서대로 노드의 접근 가능 여부를 판단하는 단계;상기 자료 구조의 노드별로 접근 가능 여부를 나타내는 식별 정보를 생성하는 단계; 및상기 식별 정보에 따라 상기 자료 구조에서 단절된 포인터에 대응하는 노드에 할당된 비휘발성 메모리의 영역을 해제하는 단계를 포함하는 메모리 누수 방지 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 노드에 할당된 비휘발성 메모리의 영역을 해제하는 단계는,상기 노드에 대응하는 할당된 영역의 주소와 할당된 영역의 크기를 포함하는 메타 데이터에 기초하여 해제하는 메모리 누수 방지 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 접근 가능 여부를 판단하는 단계에 앞서 상기 식별 정보를 초기화하는 단계를 더 포함하고,상기 식별 정보를 생성하는 단계는 접근 가능 여부에 따라 상기 초기화된 식별 정보의 변경 여부를 결정하는 단계를 포함하는 메모리 누수 방지 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 식별 정보의 변경 여부를 결정하는 단계는 노드에 접근 가능한 경우 대응하는 식별 정보를 변경하는 단계를 포함하고,상기 비휘발성 메모리의 영역을 해제하는 단계는 식별 정보가 변경되지 않은 경우 대응하는 비휘발성 메모리의 영역을 해제하는 단계를 포함하는 메모리 누수 방지 방법
5 5
제3항에 있어서,상기 식별 정보의 변경 여부를 결정하는 단계는 노드에 접근 불가능한 경우 대응하는 식별 정보를 변경하는 단계를 포함하고,상기 비휘발성 메모리의 영역을 해제하는 단계는 식별 정보가 변경된 경우 대응하는 비휘발성 메모리의 영역을 해제하는 단계를 포함하는 메모리 누수 방지 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 비휘발성 메모리의 영역을 해제하는 단계 이후 접근 가능한 노드에 대응하는 식별 정보를 초기화하는 단계를 더 포함하는 메모리 누수 방지 방법
7 7
동적 메모리 할당 요청에 대응하여 복수의 노드들이 연결된 자료 구조의 각 노드에 메모리를 할당하는 할당부;상기 자료 구조에서 부모 노드로부터 자식 노드의 순서대로 노드의 접근 가능 여부를 판단하는 판단부;상기 자료 구조의 노드별로 접근 가능 여부를 나타내는 식별 정보를 생성하는 생성부; 및상기 식별 정보에 따라 상기 자료 구조에서 단절된 포인터에 대응하는 노드에 할당된 비휘발성 메모리의 영역을 해제하는 해제부를 포함하는 메모리 누수 방지 장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국산업기술평가관리원 산업기술혁신사업/산업핵심기술개발사업/SW컴퓨팅산업원천기술개발사업(RCMS) 차세대 메모리 기반의 스마트 디바이스용 임베디드 시스템 소프트웨어