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프로그램 동작 시 메모리 셀들 사이의 간섭을 방지하는 3차원 플래시 메모리에 있어서, 수평 방향으로 각각 연장 형성된 채 수직 방향으로 적층된 복수의 워드 라인들; 및 상기 복수의 워드 라인들을 상기 수직 방향으로 관통하며 연장 형성되는 적어도 하나의 메모리 셀 스트링-상기 적어도 하나의 메모리 셀 스트링은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층을 감싸도록 연장 형성되는 전하 저장층을 포함한 채 상기 복수의 워드 라인들에 대응하는 복수의 메모리 셀들을 구성함-을 포함하고, 상기 3차원 플래시 메모리는, 프로그램 동작 시 상기 복수의 메모리 셀들에 포함되는 오드(Odd) 메모리 셀들이 형성하는 오드 메모리 셀 블록 또는 이븐(Even) 메모리 셀들이 형성하는 이븐 메모리 셀 블록 중 어느 하나의 메모리 셀 블록에서만 대상 메모리 셀을 선택하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 3차원 플래시 메모리는, 상기 오드 메모리 셀 블록 또는 상기 이븐 메모리 셀 블록 중 상기 어느 하나의 메모리 셀 블록을 제외한 나머지 메모리 셀 블록을 상기 대상 메모리 셀이 선택되지 않는 더미 셀 블록으로 사용하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제2항에 있어서,상기 3차원 플래시 메모리는, 메모리 웨어 레벨링(Memory wear leveling)을 위한 기 설정된 조건 발생 시 상기 대상 메모리 셀을 선택하는 메모리 셀 블록을 상기 나머지 메모리 셀 블록으로 전환하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제2항에 있어서,상기 3차원 플래시 메모리는, 상기 어느 하나의 메모리 셀 블록에 포함되는 메모리 셀들이 모두 프로그램된 경우, 상기 오드 메모리 셀 블록 또는 상기 이븐 메모리 셀 블록 중 상기 어느 하나의 메모리 셀 블록을 제외한 나머지 메모리 셀 블록에서 상기 대상 메모리 셀을 선택하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 3차원 플래시 메모리는, 상기 대상 메모리 셀에 대한 프로그램 동작 시 상기 오드 메모리 셀 블록 또는 상기 이븐 메모리 셀 블록 중 상기 어느 하나의 메모리 셀 블록을 제외한 나머지 메모리 셀 블록에 포함되는 적어도 두 개 이상의 메모리 셀들을 간섭 방지 용도로 사용하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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제1항에 있어서,상기 3차원 플래시 메모리는, 상기 복수의 워드 라인들 중 오드 워드 라인들을 그룹핑하여 오드 메모리 셀 블록을 형성하고, 이븐 워드 라인들을 그룹핑하여 이븐 메모리 셀 블록을 형성하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리
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수평 방향으로 각각 연장 형성된 채 수직 방향으로 적층된 복수의 워드 라인들; 및 상기 복수의 워드 라인들을 상기 수직 방향으로 관통하며 연장 형성되는 적어도 하나의 메모리 셀 스트링-상기 적어도 하나의 메모리 셀 스트링은 상기 수직 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층을 감싸도록 연장 형성되는 전하 저장층을 포함한 채 상기 복수의 워드 라인들에 대응하는 복수의 메모리 셀들을 구성함-을 포함하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법에 있어서,상기 복수의 메모리 셀들에 포함되는 오드(Odd) 메모리 셀들이 형성하는 오드 메모리 셀 블록 또는 이븐(Even) 메모리 셀들이 형성하는 이븐 메모리 셀 블록 중 어느 하나의 메모리 셀 블록에서만 대상 메모리 셀을 선택하는 단계; 및 상기 복수의 워드 라인들 중 상기 선택된 대상 메모리 셀에 대응하는 워드 라인에 인가되는 프로그램 전압에 기초하여, 프로그램 동작을 수행하는 단계를 포함하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법
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제7항에 있어서,상기 오드 메모리 셀 블록 또는 상기 이븐 메모리 셀 블록 중 상기 어느 하나의 메모리 셀 블록을 제외한 나머지 메모리 셀 블록을 상기 대상 메모리 셀이 선택되지 않는 더미 셀 블록으로 사용하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법
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제8항에 있어서,상기 사용하는 단계는, 메모리 웨어 레벨링(Memory wear leveling)을 위한 기 설정된 조건 발생 시 상기 대상 메모리 셀을 선택하는 메모리 셀 블록을 상기 나머지 메모리 셀 블록으로 전환하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법
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제8항에 있어서,상기 선택하는 단계는, 상기 어느 하나의 메모리 셀 블록에 포함되는 메모리 셀들이 모두 프로그램된 경우, 상기 오드 메모리 셀 블록 또는 상기 이븐 메모리 셀 블록 중 상기 어느 하나의 메모리 셀 블록을 제외한 나머지 메모리 셀 블록에서 상기 대상 메모리 셀을 선택하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법
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제7항에 있어서,상기 대상 메모리 셀에 대한 프로그램 동작 시 상기 오드 메모리 셀 블록 또는 상기 이븐 메모리 셀 블록 중 상기 어느 하나의 메모리 셀 블록을 제외한 나머지 메모리 셀 블록에 포함되는 적어도 두 개 이상의 메모리 셀들을 간섭 방지 용도로 사용하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법
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제7항에 있어서,상기 복수의 워드 라인들 중 오드 워드 라인들을 그룹핑하여 오드 메모리 셀 블록을 형성하고, 이븐 워드 라인들을 그룹핑하여 이븐 메모리 셀 블록을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 플래시 메모리의 프로그램 동작 방법
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