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층상 구조의 2차원 물질의 반응성 증가방법 및 이를 이용한 산화그래핀 제조방법(Method to enhance reactivity of layer-structured material and preparing method of graphene oxide using the same)

  • 기술번호 : KST2016018922
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 단시간에 품질제어가 가능한 생성물이 획득될 수 있는 층상 구조의 2차원 물질의 반응성 증가방법 및 이를 이용한 산화그래핀 제조방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 친환경 층상 구조의 2차원 물질의 반응성 증가방법은 층상구조를 갖는 2차원 물질에 응력을 부여하여 2차원 물질의 반응성을 증가시키는 방법으로서, 2차원 물질의 제1층의 단부 및 제1층과 인접한 제2층의 단부에 응력을 부여하여 제1층 및 제2층의 단부에서의 층간거리가 평균층간거리보다 크도록 하는 응력부여단계;를 포함한다.
Int. CL B01J 19/18 (2006.01) C01B 31/04 (2006.01)
CPC C01B 32/198(2013.01) C01B 32/198(2013.01) C01B 32/198(2013.01) C01B 32/198(2013.01) C01B 32/198(2013.01)
출원번호/일자 1020150059020 (2015.04.27)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0127885 (2016.11.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.04.27)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양우석 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김형근 대한민국 경기도 용인시 기흥구
3 박원규 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-0408846-77
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.02.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0012845-98
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.11.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0811804-94
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2017-0023614-97
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2017-0141124-61
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2017-0235102-94
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.03.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0235111-05
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.07.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0476226-23
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
층상구조를 갖는 2차원 물질에 응력을 부여하여 상기 2차원 물질의 반응성을 증가시키는 방법으로서, 상기 2차원 물질의 제1층의 단부 및 상기 제1층과 인접한 제2층의 단부에 응력을 부여하여 상기 제1층 및 상기 제2층의 단부에서의 층간거리가 평균층간거리보다 크도록 하는 응력부여단계;를 포함하는 층상 구조의 2차원 물질의 반응성 증가방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 반응성의 증가는, 상기 단부에서의 층간거리의 증가로 상기 2차원 물질과의 반응물질의 층간 침투속도가 증가한 것인 층상 구조의 2차원 물질의 반응성 증가방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 응력은, 상기 2차원 물질에 2이상의 서로 상이한 방향의 유체흐름을 적용시켜 부여되는 것인 층상 구조의 2차원 물질의 반응성 증가방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 응력은, 상기 2차원 물질에 제1유체흐름 및 상기 제1유체흐름과 상이한 방향의 유체흐름인 제2유체흐름을 갖는 이중유체흐름을 적용시켜 부여되는 것인 층상 구조의 2차원 물질의 반응성 증가방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 이중유체흐름은, 테일러 와류(Taylor Vortex)인 층상 구조의 2차원 물질의 반응성 증가방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 테일러 와류는, 중심이 동일하고 직경은 상이한 내부원통 및 내부원통을 포함하여, 상기 내부원통 및 상기 내부원통 중 적어도 하나의 회전에 따라 유체를 흐르게 하는 쿠에트-테일러 반응기 내에서 발생되는 것인 층상 구조의 2차원 물질의 반응성 증가방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 쿠에트-테일러 반응기에 극성용매가 투입되는 것을 특징으로 하는 층상 구조의 2차원 물질의 반응성 증가방법
8 8
제 7항에 있어서, 상기 극성용매는 물, 아세톤, 클로로포름, 이소프로판올, 시클로헥사논, N-메틸 피롤리돈, N,N-티메틸아세트아미드, 디메틸포름아미드, 에탄올, 메탄올, 헥산 및 톨루엔 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 층상 구조의 2차원 물질의 반응성 증가방법
9 9
제 7항에 있어서, 상기 극성용매가 유입된 유입구와 상이한 위치의 유입구를 통해 물 또는 층간삽입물질이 투입되는 것을 특징으로 하는 층상 구조의 2차원 물질의 반응성 증가방법
10 10
제 7항에 있어서, 상기 쿠에트-테일러 반응기에 초음파를 적용하는 것을 특징으로 하는 층상 구조의 2차원 물질의 반응성 증가방법
11 11
제 1항에 있어서, 상기 층상구조 내부에 와류가 형성되는 것을 특징으로 하는 층상 구조의 2차원 물질의 반응성 증가방법
12 12
제 1항에 있어서, 상기 층상구조를 갖는 2차원 물질은, 그래파이트, 산화그래파이트, 헥사고날 보론 나이트라이드(hBN) 및 전이금속 칼코겐화합물 중 적어도 어느 하나인 층상 구조의 2차원 물질의 반응성 증가방법
13 13
산화그래파이트를 테일러 와류가 형성되는 쿠에트-테일러 반응기에 투입하고, 산화그래파이트의 제1층의 단부 및 상기 제1층과 인접한 제2층의 단부에 응력을 부여하여 상기 제1층 및 상기 제2층의 단부에서의 층간거리가 평균층간거리보다 크도록 하여 산화그래핀을 박리하는 단계;를 포함하는 산화그래핀 제조방법
14 14
제 13항에 있어서, 상기 박리된 산화그래핀은 평균크기가 100 nm 내지 100 ㎛인 것을 특징으로 하는 산화그래핀 제조방법
15 15
제 13항에 있어서, 상기 박리된 산화그래핀은 1 내지 10층 구조인 것을 특징으로 하는 산화그래핀 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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1 WO2016175484 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2016175484 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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1 산업 통상 자원부 솔브레인 주식회사 에너지 수요 관리 핵심 기술 고효율 연속식 산화 그래핀 (graphene oxide) 제조공정 개발