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중심이 동일하고 반경은 상이한 외부원통 및 내부원통을 포함하여, 상기 내부원통의 회전에 따라 유체를 흐르게 하는 쿠에트-테일러 반응기에 그라파이트를 투입하여 산화시키는 그라파이트 산화단계;산화그라파이트를 쿠에트-테일러 반응기에 투입하여 박리하여 산화그래핀으로 변환시키는 산화그래핀 형성단계; 및 상기 산화그래핀에 존재하는 불순물을 제거하는 불순물 제거단계:를 포함하는 고순도 고결정성 환원그래핀산화물 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 불순물은 상기 그라파이트의 불순물 및 그라파이트 산화단계와 산화그래핀 형성단계에서 생성된 불순물을 포함하는 것을 특징으로 하는 고순도 고결정성 환원그래핀산화물 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 불순물은 산소, 황 및 칼륨인 것을 특징으로 하는 고순도 고결정성 환원그래핀산화물 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 그라파이트 산화단계에서 상기 그라파이트를 산화시키기 위한 산화제 및 산용액을 추가하는 것을 특징으로 하는 고순도 고결정성 환원그래핀산화물 제조방법
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제 4항에 있어서, 상기 산화제는 KMnO4이고, 상기 산용액은 황산인 것을 특징으로 하는 고순도 고결정성 환원그래핀산화물 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 불순물 제거단계는, 상기 산화그래핀에 에너지를 주입하여 수행하는 것을 특징으로 하는 고순도 고결정성 환원 그래핀산화물 제조방법
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제 6항에 있어서, 상기 불순물 제거단계는, 플라즈마 조사, Joule Heating, 및 Rapid Thermal 중 어느 하나의 방법에 따라 수행되는 것을 특징으로 하는 고순도 고결정성 환원 그래핀산화물 제조방법
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8
청구항 6에 있어서, 상기 불순물 제거단계는, 상기 산화그래핀의 온도를 1,500K 내지 3,000K로 올리는 것을 특징으로 하는 고순도 고결정성 환원 그래핀산화물 제조방법
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청구항 8에 있어서, 상기 온도는 200℃/분의 속도로 승온되는 것을 특징으로 하는 고순도 고결정성 환원 그래핀산화물 제조방법
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10
불순물인 산소의 함량 및 황의 함량은 0%이고, 탄소의 함량은 100%인 고순도 고결정성 환원 그래핀산화물
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11
청구항 10에 있어서, 상기 함량은 유효숫자 1자리의 오차를 갖는 것을 특징으로 하는 고순도 고결정성 환원 그래핀산화물
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12
중심이 동일하고 반경은 상이한 외부원통 및 내부원통을 포함하여, 상기 내부원통의 회전에 따라 유체를 흐르게 하는 쿠에트-테일러 반응기에 그라파이트를 투입하여 산화시키는 그라파이트 산화단계; 및 상기 산화 그라파이트에 에너지를 주입하여 그라파이트 산화단계에서 발생한 불순물을 제거하는 단계:를 포함하는 고순도 환원된 산화 그라파이트 제조방법
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13
청구항 12에 따라 제조된 환원된 산화 그라파이트
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14
청구항 13에 있어서, 상기 환원된 산화 그라파이트는 그라파이트의 불순물이 제거된 것을 특징으로 하는 환원된 산화 그라파이트
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15
중심이 동일하고 반경은 상이한 외부원통 및 내부원통을 포함하여, 상기 내부원통의 회전에 따라 유체가 흐르는 쿠에트-테일러 반응기를 포함하되, 그라파이트를 투입하여 산화시킬 수 있는 그라파이트 산화부;상기 산화 그라파이트를 투입하여 산화그래핀으로 박리할 수 있는 산화그라파이트 박리부; 및 상기 산화그래핀의 불순물을 제거하는 불순물 제거부;를 포함하는 불순물 제거장치
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