| 1 |
1
하기 화학식 4로 표시되는 반복단위로만 이루어지는 화합물인 전-고분자 유기전자소자용 전자주게 또는 전자받게로서의 티오펜과 벤조티아디아졸을 포함함을 특징으로 하는 공중합체:[화학식 4]상기 식에서, R은 탄소수 3 내지 9의 범위의 알킬기이고, n은 20 내지 40의 범위 이내의 정수임
|
| 2 |
2
전자주게 또는 전자받게로서 하기 화학식 4로 표시되는 반복단위로만 이루어지는 화합물을 포함함을 특징으로 하는 전-고분자 유기전자소자:[화학식 4]상기 식에서, R은 탄소수 3 내지 9의 범위의 알킬기이고, n은 20 내지 40의 범위 이내의 정수임
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서,상기 전-고분자 유기전자소자는 전자주게로서 청구항 제2항의 화학식 4로 표시되는 반복단위로만 이루어지는 화합물과 함께 전자받게로서 폴리(나프탈렌디이미드-교호-비스셀레노펜(PNDIBS: Poly(naphthlalene diimide-alt-bisselenophene)), 폴리(5-(2-(에틸헥실옥시)-2-메톡시시아노테레프탈릴리덴)(MEH-CN-PPV: Poly(5-(2-(ethylhexyloxy)-2-methoxycyanoterephthalyliden))), 폴리(9,9'-디옥틸플루오렌-공-벤조티아디아졸)(PF8BT: Poly(9,9'-dioctylfluorene-co-benzothiadiazole)), 폴리[2,6-(4,4-비스(2-에틸헥실)-4H-사이클로펜타-[2,1-b:3,4-b']디티오펜-교호-4,7-비스(티오펜-2-일)벤조-2,1,3-티아디아졸)(PCPDTBT: Poly[2,6-(4,4-bis(2-ethylhexyl)-4H-cyclopenta-[2,1-b:3,4-b']dithiophene-alt-4,7-bis(thiophen-2-yl)benzo-2,1,3-thiadiazole]), 폴리[N,N9-비스(2-옥틸도데실-나프탈렌-1,4,5,8-비스(디카르복시미드)-2,6-디일]-교호-5,59-(2,29-비티오펜)(P(NDI2OD-T2): poly[N,N9-bis(2-octyldodecyl)-naphthalene-1,4,5,8-bis(dicarboximide)-2,6-diyl]-alt-5,59-(2,29-bithiophene)) 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 전-고분자 유기전자소자
|
| 4 |
4
제 2 항에 있어서,상기 전-고분자 유기전자소자가 전자받게로서 청구항 제2항의 화학식 4로 표시되는 반복단위로만 이루어지는 화합물과 함께 전자주게로서 폴리-3-헥실티오펜(poly-3-hexylthiophene: P3HT), 폴리-3-폴리-3-옥틸티오펜(poly-3-octylthiophene: P3OT), 폴리파라페닐렌비닐렌(poly-p-phenylenevinylene: PPV), 폴리(9,9'-디옥틸플루오렌)(poly(9,9'-dioctylfluorene)), 폴리(2-메톡시,5-(2-에틸-헥실옥시)-1,4-페닐렌비닐렌)(poly(2-methoxy,5-(2-ethyle-hexyloxy)-1,4-phenylenevinylene: MEH-PPV), 폴리(2-메틸,5-(3',7'-디메틸옥틸옥시))-1,4-페닐렌비닐렌(poly(2-methyl,5-(3',7'-dimethyloctyloxy))-1,4-phenylene vinylene: MDMO-PPV) 및 이들의 혼합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것임을 특징으로 하는 전-고분자 유기전자소자
|
| 5 |
5
제 3 항에 있어서,상기 전-고분자 유기전자소자가 상기 전자주게 : 전자받게를 5 내지 9 : 5 내지 1의 중량비로 포함함을 특징으로 하는 전-고분자 유기전자소자
|
| 6 |
6
제 4 항에 있어서,상기 전-고분자 유기전자소자가 상기 전자주게 : 전자받게를 5 내지 9 : 5 내지 1의 중량비로 포함함을 특징으로 하는 전-고분자 유기전자소자
|
| 7 |
7
제 2 항 내지 제 6 항 중의 어느 한 항에 있어서,상기 전-고분자 유기전자소자가 유기 태양전지, 유기 메모리, 유기 발광다이오드, 유기 센서, 유기 포토트랜지스터 또는 유기 전계발광디스플레이임을 특징으로 하는 전-고분자 유기전자소자
|
