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센서 패키징 및 그 제조 방법(SENSOR PACKAGING AND MANUFACTURING METHOD FOR THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016019559
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 센서 패키징의 제조 방법은 메인 기판의 양면을 각각 식각하여 상기 메인 기판을 관통하는 비아 홀(via hole)을 형성하는 단계; 상기 비아 홀의 벽면 및 상기 메인 기판의 양면에 절연층을 형성하는 단계; 금속의 시드층(seed layer), 및 상기 시드층의 일부를 노출시키기 위한 패턴을 구비하는 본딩층이 적층된 서브 기판을 상기 메인 기판에 결합하는 단계; 상기 비아 홀에 금속을 충진하여 상기 메인 기판의 상면을 커버하는 충진층을 형성하는 단계; 및 상기 서브 기판을 상기 메인 기판으로부터 제거하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 23/00 (2006.01) H01L 23/48 (2006.01) H01L 23/532 (2006.01)
CPC G01D 11/26(2013.01) G01D 11/26(2013.01)
출원번호/일자 1020150067630 (2015.05.14)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1679736-0000 (2016.11.21)
공개번호/일자 10-2016-0134132 (2016.11.23) 문서열기
공고번호/일자 (20161125) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.05.14)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤상원 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍성욱 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***(역삼동) 동아빌딩 *층(주식회사에스와이피)
2 심경식 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** 동아빌딩 *층(에스와이피특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0464845-23
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.02.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0016446-38
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.03.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0166037-28
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2016.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-0322100-87
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-0426159-75
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.05.03 무효 (Invalidation) 1-1-2016-0426178-32
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-0428865-37
9 보정요구서
Request for Amendment
2016.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0073124-91
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2016-0534153-57
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.06.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0534182-71
12 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2016.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0096154-33
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0679962-24
14 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.10.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-1024090-29
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1024089-83
16 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.11.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0826464-14
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
센서 칩에 사용되는 웨이퍼로서 반도체에 사용되는 웨이퍼에 비해 두께가 두꺼운 메인 기판의 양면을 각각 동일 위치에서 DRIE(Deep Reactive Ion Echting) 공정을 통해 식각하여, 상기 메인 기판을 관통하는 V 모양 및 역V 모양의 비아 홀(via hole)을 형성하는 단계;상기 비아 홀의 벽면 및 상기 메인 기판의 양면에 절연층을 형성하는 단계;금속의 시드층(seed layer), 및 상기 시드층의 일부를 노출시키기 위한 패턴을 구비하는 본딩층이 적층된 서브 기판을 상기 메인 기판에 결합하는 단계;상기 비아 홀에 금속을 충진하여 상기 메인 기판의 상면을 커버하는 충진층을 형성하는 단계; 및상기 서브 기판을 상기 메인 기판으로부터 제거하는 단계를 포함하고,상기 서브 기판을 상기 메인 기판에 결합하는 단계는상기 시드층이 미리 증착된 서브 기판을 마련하는 단계;상기 서브 기판의 시드층에 상기 본딩층을 형성하는 단계;상기 본딩층의 일부를 식각하여 상기 패턴을 형성하는 단계; 및상기 패턴이 상기 비아 홀과 대응되도록 상기 서브 기판의 본딩층과 상기 메인 기판의 절연층을 얼라인(align)하고 접착시켜, 상기 서브 기판을 상기 메인 기판에 결합하는 단계를 포함하고,상기 본딩층은패럴린, PDMS(Polydimethylsiloxane), PMMA(Polymethyl methacrylate), SU8, 및 포토레지스트 중 적어도 하나를 포함하는 폴리머로 형성되고,상기 패턴은상기 본딩층을 상기 시드층 위에 증착한 후에 형성되거나 상기 증착과 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 센서 패키징의 제조 방법
2 2
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3 3
제1항에 있어서,상기 비아 홀의 벽면은절곡된 경사면으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 센서 패키징의 제조 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 절연층을 형성하는 단계는상온 증착이 가능한 폴리머(Polymer)를 이용하여 상기 절연층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 센서 패키징의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 폴리머는패럴린(Parylene)을 포함하는 것을 특징으로 하는 센서 패키징의 제조 방법
6 6
삭제
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9 9
제1항에 있어서,상기 메인 기판은실리콘 웨이퍼를 포함하고,상기 서브 기판은핸들 웨이퍼 또는 핸들 테이프를 포함하는 것을 특징으로 하는 센서 패키징의 제조 방법
10 10
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11 11
삭제
12 12
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10304757 US 미국 FAMILY
2 US20180294209 US 미국 FAMILY
3 WO2016182395 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 US10304757 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2018294209 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2016182395 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육부(2013Y) 한양대학교 산학협력단 이공분야 기초연구사업 / 일반연구자지원사업 /기본연구(기본) 친환경 자동차용 능동제어형 전력모듈을 위한 ICT기반계측 및 제어 기술
2 미래창조과학부 한양대학교 산학협력단 산업기술혁신사업 (정보통신산업진흥원) / 정보통신기술인력양성사업 / IT융합 고급인력과정 지원사업 [4차년도] 스마트카 Connected Safety 제어를 위한 공통알고리즘 플랫폼 개발