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3 차원 적층 구조의 반도체 장치에 있어서,반도체 기판;메모리 제어기; 및상기 반도체 기판 상에 수직으로 적층된 복수의 층들을 포함하고,상기 반도체 장치는 연속적인 주소공간을 갖는 데이터를 상기 복수의 층들 중 서로 인접한 제1 층 및 제2 층에 분할하여 저장하고,상기 데이터가 분할되어 저장된 상기 제1 층의 제1 위치 및 상기 제2 층의 제2 위치는 수직으로 인접하지 않고,상기 복수의 층들은 n 개이고,n은 2 이상의 정수이고,상기 메모리 제어기는 제1 번째 청크 내지 제n 번째 청크의 n 개의 청크들을 포함하는 상기 데이터를 한번에 기입하고,상기 n 개의 청크들은 상기 n 개의 층들에 각각 저장되고,상기 n 개의 층들 내의 상기 n 개의 청크들 중 하나가 저장되는 영역들은 서로 간에 수직으로 인접하지 않고,상기 데이터는 제n+1 번째 청크를 더 포함하고,상기 제1 번째 청크 및 상기 제n+1 번째 청크는 상기 n 개의 층들 중 상기 제1 층의 서로 인접하지 않은 영역들에 저장되는, 3 차원 적층 구조의 반도체 장치
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제1항에 있어서,상기 제1 위치는 상기 제1 층의 복수의 컬럼들 중 제1 컬럼이고,상기 제2 위치는 상기 제2 층의 복수의 컬럼들 중 제2 컬럼이고,상기 제1 컬럼의 번호 및 상기 제2 컬럼의 번호는 서로 상이한, 3 차원 적층 구조의 반도체 장치
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제1항에 있어서,상기 제1 위치는 상기 제1 층의 복수의 로우들 중 제1 로우이고,상기 제2 위치는 상기 제2 층의 복수의 로우들 중 제2 로우이고,상기 제1 컬럼의 번호 및 상기 제2 컬럼의 번호는 서로 상이한, 3 차원 적층 구조의 반도체 장치
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제1항에 있어서,상기 3 차원 적층 구조의 반도체 장치는 상기 데이터를 수직으로 인접하지 않는 상기 제1 위치 및 상기 제2 위치에 분할하여 저장함으로써, 상기 데이터에 대한 연속적인 접근에 의해 발생하는 열을 상기 3 차원 적층 구조의 반도체 장치 내의 서로 이격된 위치들로 분산시키는, 3 차원 적층 구조의 반도체 장치
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제1항에 있어서,상기 데이터는 ECC 워드들인, 3 차원 적층 구조의 반도체 장치
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제1항에 있어서,상기 3 차원 적층 구조의 반도체 장치는 상기 데이터를 스트라이핑함에 있어서, 상기 데이터가 저장되는 상기 복수의 층들의 영역들이 서로 간에 수직으로 인접하지 않게 하는, 3 차원 적층 구조의 반도체 장치
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제6항에 있어서,상기 영역들은 상기 복수의 층들이 적층된 순서에 따라 쉬프트된, 3 차원 적층 구조의 반도체 장치
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제6항에 있어서,상기 영역들은 상기 복수의 층들의 컬럼들인, 3 차원 적층 구조의 반도체 장치
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제6항에 있어서,상기 영역들은 상기 복수의 층들의 로우들인, 3 차원 적층 구조의 반도체 장치
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제1항에 있어서,상기 n 개의 청크들의 각각에 대해 서로 상이한 오프셋을 적용함으로써 상기 영역들을 서로 간에 수직으로 인접하지 않게 하는 오프셋 분산기를 더 포함하는, 3차원 적층 구조의 반도체 장치
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제12항에 있어서,상기 오프셋의 적용은 상기 n 개의 청크들 중 각 청크에 대해, 상기 각 청크가 층 내에서 저장될 컬럼의 번호를 변경하는 것인, 3 차원 적층 구조의 반도체 장치
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반도체 기판 및 상기 반도체 기판 상에 수직으로 적층된 복수의 층들을 포함하는 3 차원 적층 구조의 반도체 장치가 수행하는,연속적인 주소공간을 갖는 데이터를 상기 복수의 층들 중 서로 인접한 제1 층 및 제2 층에 분할하여 저장하는 단계; 및상기 분할되어 저장된 데이터에 접근하는 단계를 포함하고, 상기 데이터가 분할되어 저장된 상기 제1 층의 제1 위치 및 상기 제2 층의 제2 위치는 수직으로 인접하지 않고,상기 저장하는 단계는,n 개의 청크들의 각각에 대해 서로 상이한 오프셋을 적용하는 단계를 더 포함하고,상기 오프셋의 적용에 의해 상기 n 개의 청크들은 상기 n 개의 층들 내의 서로 간의 수직으로 인접하지 않는 영역들에 저장되는, 3 차원 적층 구조의 반도체 장치의 동작 방법
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제14항에 있어서,상기 저장하는 단계는,제1 번째 청크 내지 제n 번째 청크의 n 개의 청크들을 포함하는 상기 데이터를 기입하는 단계를 포함하고,상기 복수의 층들은 n 개이고,n은 2 이상의 정수이고,상기 n 개의 청크들은 상기 n 개의 층들에 각각 저장되고,상기 n 개의 층들 내의 상기 n 개의 청크들 중 하나가 저장되는 영역들은 서로 간에 수직으로 인접하지 않는, 3 차원 적층 구조의 반도체 장치의 동작 방법
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