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메모리 셀의 리프레시 상태를 유지하기 위한 메모리 리프레시 장치(MEMORY REFRESH APPARATUS FOR MAINTAING REFRESH STATUS OF MEMORY CELL)

  • 기술번호 : KST2016019690
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 메모리 셀을 컨트롤하는 메모리 컨트롤러, 메모리 셀의 리프레시 상태를 유지하기 위한 리프레시 유지 회로, 메모리 셀과 연결되어 있고, 메모리 셀이 상기 리프레시 상태인지 여부에 따라, 메모리 컨트롤러 또는 리프레시 유지 회로 중 하나와 연결되는 스위치를 포함하고, 메모리 컨트롤러에 의해 메모리 셀이 리프레시 상태가 되면, 스위치는, 메모리 컨트롤러와 분리되고 리프레시 유지 회로와 연결되는 메모리 리프레시 장치가 제공된다.
Int. CL G11C 5/14 (2006.01) G11C 11/406 (2006.01) G11C 11/4074 (2006.01) H03K 19/177 (2006.01)
CPC G11C 11/406(2013.01)G11C 11/406(2013.01)G11C 11/406(2013.01)G11C 11/406(2013.01)G11C 11/406(2013.01)
출원번호/일자 1020160012471 (2016.02.01)
출원인 한양대학교 산학협력단, 서울대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0136214 (2016.11.29) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020150069863   |   2015.05.19
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.02.01)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태민 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 유승주 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 원유집 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍성욱 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***(역삼동) 동아빌딩 *층(주식회사에스와이피)
2 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)
3 심경식 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** 동아빌딩 *층(에스와이피특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
2 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0107777-22
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.06.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0121844-37
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.09.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0685233-55
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-1148580-64
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.11.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1148581-10
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2017.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2017-0067699-76
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2017.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2017-0121035-37
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2017.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0305129-37
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.06.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0614092-59
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0614091-14
12 등록결정서
Decision to grant
2017.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0684468-33
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
메모리 셀을 컨트롤하는 메모리 컨트롤러;상기 메모리 컨트롤러가 상기 메모리 셀을 제어할 수 없는 경우, 상기 메모리 셀이 리프레시 상태를 유지하도록, 상기 메모리 셀에 커맨드를 전달하는 리프레시 유지 회로; 및상기 메모리 셀과 연결되어 있고, 상기 메모리 셀이 상기 리프레시 상태인지 여부에 따라, 상기 메모리 컨트롤러 또는 상기 리프레시 유지 회로 중 하나와 연결되는 스위치를 포함하고,상기 스위치는,상기 메모리 컨트롤러가 상기 메모리 셀과 연결된 경우, 상기 메모리 컨트롤러가 상기 메모리 셀에 셀프 리프레시 시작 커맨드를 전달함으로써, 상기 메모리 셀이 상기 리프레시 상태가 되면, 상기 메모리 컨트롤러와 분리되고 상기 리프레시 유지 회로와 연결되고,상기 리프레시 유지 회로가 상기 메모리 셀과 연결된 경우, 상기 메모리 컨트롤러가 전원으로부터 전력을 공급 받게 되면, 상기 리프레시 유지 회로와 분리되고 상기 메모리 컨트롤러와 연결되는 메모리 리프레시 장치
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 메모리 셀은,상기 메모리 셀이 상기 리프레시 상태가 된 이후에 상기 전원으로부터 공급되는 전력이 차단되어 상기 메모리 컨트롤러가 리셋된 경우, 제2 전원으로부터 전력을 공급받는 메모리 리프레시 장치
4 4
제3항에 있어서,상기 스위치는,상기 메모리 컨트롤러가 상기 전원으로부터 다시 전력을 공급받는 경우, 상기 리프레시 유지 회로와 분리되고 상기 메모리 컨트롤러와 연결되는 메모리 리프레시 장치
5 5
메모리 셀을 컨트롤하는 메모리 컨트롤러를 포함하는 FPGA;상기 메모리 컨트롤러가 상기 메모리 셀을 제어할 수 없는 경우, 상기 메모리 셀이 리프레시 상태를 유지하도록, 상기 메모리 셀에 커맨드를 전달하는 리프레시 유지 회로;상기 메모리 셀과 연결되어 있고, 상기 메모리 셀이 상기 리프레시 상태인지 여부에 따라, 상기 메모리 컨트롤러 또는 상기 리프레시 유지 회로 중 하나와 연결되는 스위치;상기 FPGA에 연결된 제1 전원; 및상기 리프레시 유지 회로, 상기 스위치 그리고 상기 메모리 셀과 연결된 제2 전원을 포함하고,상기 스위치는,상기 메모리 컨트롤러가 상기 메모리 셀과 연결된 경우, 상기 메모리 컨트롤러가 상기 메모리 셀에 셀프 리프레시 시작 커맨드를 전달함으로써, 상기 메모리 셀이 상기 리프레시 상태가 되면, 상기 메모리 컨트롤러와 분리되고 상기 리프레시 유지 회로와 연결되고,상기 리프레시 유지 회로가 상기 메모리 셀과 연결된 경우, 상기 메모리 컨트롤러가 상기 제1 전원으로부터 전력을 공급 받게 되면, 상기 리프레시 유지 회로와 분리되고 상기 메모리 컨트롤러와 연결되는 메모리 리프레시 FPGA
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국산업기술평가관리원 산업기술혁신사업/산업핵심기술개발사업/SW컴퓨팅산업원천기술개발사업(RCMS) 차세대 메모리 기반의 스마트 디바이스용 임베디드시스템 소프트웨어