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코어(core);상기 코어 상에 형성된 전이금속 디칼코게나이드 쉘(shell); 및상기 코어와 상기 전이금속 디칼코게나이드 쉘 사이에 존재하는 빈 공간을 포함하고,상기 전이금속 디칼코게나이드 쉘과 상기 빈 공간 사이에 폴리도파민, 탄소질 물질, 도핑된 탄소질 물질, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 쉘이 추가로 형성되어 있는 이중 쉘 구조를 포함하는, 요크(yolk)-쉘 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 코어는 Si, Sn, Ge, Ti, Cu, Al, Sb, Bi, As, Pb, Zn, Cd, In, Ga, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속을 포함하는 것인, 요크-쉘 구조체
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제 1 항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드는 하기 화학식 1로서 표시되는 것인, 요크-쉘 구조체:[화학식 1]MX2;상기 식에서,M은 Mo, Ti, V, 또는 W이고,X는 S, Se, 또는 Te임
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제 1 항, 제 3 항 및 제 4 항 중 어느 한 항에 따른 요크-쉘 구조체를 포함하는, 이차전지 음극재
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코어를 열처리하여 상기 코어 상에 템플레이트 층을 형성하는 단계;상기 템플레이트 층 상에 폴리도파민을 코팅하는 단계;상기 템플레이트 층 상에 열처리에 의해 전이금속 디칼코게나이드 쉘을 형성하는 단계; 및상기 템플레이트 층을 제거하여 상기 코어와 전이금속 디칼코게나이드 쉘 사이에 빈 공간을 형성하는 단계를 포함하는, 요크-쉘 구조체의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 코어의 열처리 온도는 700℃ 내지 900℃의 범위인 것인, 요크-쉘 구조체의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 코어는 Si, Sn, Ge, Ti, Cu, Al, Sb, Bi, As, Pb, Zn, Cd, In, Ga, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 금속을 포함하는 것인, 요크-쉘 구조체의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드 쉘 형성 시의 열처리는 150℃ 내지 220℃의 온도 범위에서 수행되는 것인, 요크-쉘 구조체의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드 쉘 형성 후에, 2 차 열처리하여 상기 전이금속 디칼코게나이드 쉘을 결정화시키는 단계를 추가 포함하는 것인, 요크-쉘 구조체의 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 2 차 열처리는 700℃ 내지 900℃의 온도 범위에서 수행되는 것인, 요크-쉘 구조체의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 전이금속 디칼코게나이드는 하기 화학식 1로서 표시되는 것인, 요크-쉘 구조체의 제조 방법:[화학식 1]MX2;상기 식에서,M은 Mo, Ti, V, 또는 W이고,X는 S, Se, 또는 Te임
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제 6 항에 있어서,상기 템플레이트 층의 제거는 HF, 완충 옥사이드 에천트, FeCl3·6H2O, Fe(NO3)3·9H2O, (NH4)2S2O8, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 이용하여 수행하는 것인, 요크-쉘 구조체의 제조 방법
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