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기판, 상기 기판 상부에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상부에 형성된 박막 트랜지스터 유기 절연체; 상기 유기 절연체층 상부에 형성된 유기 반도체층; 및 상기 유기 반도체층 상부에 형성된 소스 및 드레인 전극;을 포함하는 박막 트랜지스터에 포함되는 박막 트랜지스터 유기 절연체로서,상기 박막 트랜지스터가 5V 이하의 게이트 전압에서 구동되어 드레인 전류가 흐르게 하는 것을 특징으로 하며,상기 게이트 전극 상부에 폴리비닐알콜계 고분자를 포함하는 폴리비닐알콜층; 및상기 폴리비닐알콜층 상부에 형성된 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중 적어도 1 종 이상인 폴리이미드계 고분자를 포함하는 폴리이미드층;을 포함하는 박막 트랜지스터 유기 절연체:[화학식 1](상기 화학식 1에 있어서, 상기 는 , , , , , , , , , , , , , 또는 이고,상기 R은 , , , , , , , , , 또는 이고,상기 n은 10 내지 3000의 정수이다)
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제1항에 있어서, 상기 화학식 1에서상기 는 , 또는 이고,상기 R은 또는 이고, 및상기 n은 10 내지 2000의 정수인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 유기 절연체
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제1항에 있어서,상기 유기 절연체의 두께는 10 - 300 nm인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 유기 절연체
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제1항에 있어서,상기 유기 절연체는 폴리이미드층 : 폴리비닐알콜층이 1 : 0
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기판; 상기 기판 상부에 형성된 게이트 전극; 상기 게이트 전극 상부에 형성된 폴리비닐알콜계 고분자를 포함하는 폴리비닐알콜층;상기 폴리비닐알콜층 상부에 형성된 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중 적어도 1 종 이상인 폴리이미드계 고분자를 포함하는 폴리이미드층;상기 폴리이미드층 상부에 형성된 유기 반도체층; 및상기 유기 반도체층 상부에 형성된 소스 및 드레인 전극;을 포함하는 박막 트랜지스터이며,상기 박막 트랜지스터는 5V 이하의 게이트 전압에서 구동되어 드레인 전류가 흐르는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터:[화학식 1](상기 화학식 1에 있어서, 상기 는 , , , , , , , , , , , , , 또는 이고,상기 R은 , , , , , , , , , 또는 이고,상기 n은 10 내지 3000의 정수이다)
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제10항에 있어서,상기 유기 반도체 층은 Cn-BTBT(n은 4 - 20의 정수이다), 펜타센, 금속 프탈로시아닌, 금속 포르피린, 폴리티오펜, 페닐렌비닐렌, C60, 페닐렌테트라카르복실릭디언하이드라이드(phenylenetetracarboxylicdianydride), 나프탈렌테트라카르복실릭디언하이드라이드(naphthalenetetracarboxylic dianydride), 플루오르화 프탈로시아닌(fluorophthalocyanine) 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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제10항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는 전계이동도가 0
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기판 상부에 게이트 전극을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 형성된 게이트 전극 상부에 폴리비닐알콜계 고분자를 포함하는 폴리비닐알콜층을 형성하는 단계(단계 2);상기 단계 2에서 형성된 폴리비닐알콜층 상부에 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 중 적어도 1 종 이상인 폴리이미드계 고분자를 포함하는 폴리이미드층을 형성하는 단계(단계 3);상기 단계 3에서 형성된 폴리이미드층 상부에 유기 반도체층을 증착시키는 단계(단계 4); 및상기 단계 4의 유기 반도체층 상부에 소스 및 드레인 전극을 증착시키는 단계(단계 5);를 포함하는 제10항의 박막 트랜지스터의 제조방법:[화학식 1](상기 화학식 1에 있어서, 상기 는 , , , , , , , , , , , , , 또는 이고,상기 R은 , , , , , , , , , 또는 이고,상기 n은 10 내지 3000의 정수이다)
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제13항에 있어서,상기 단계 2 및 단계 3은 스핀코팅법, 잉크젯 프린팅법 및 딥핑법으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 방법으로 수행하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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