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기재 또는 요철부를 포함하는 3 차원 기재 상에 질소-도핑된 그래핀을 코팅하는 단계; 및,상기 질소-도핑된 그래핀이 코팅된 기재 또는 3 차원 기재 상에 전도성 물질을 형성하는 단계를 포함하는, 표면 개질된 그래핀 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기재는 사파이어, 석영, Si 웨이퍼, Si/SiO2 웨이퍼, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 평면 기재를 포함하는 것인, 표면 개질된 그래핀 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 요철부를 포함하는 3 차원 기재는 GaN, ZnO, InGaN, Al2O3, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 표면 개질된 그래핀 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 질소-도핑된 그래핀은 그래핀이 아민기, 멜라민, 도파민, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것에 의해 질소 도핑된 것인, 표면 개질된 그래핀 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 질소-도핑된 그래핀은 화학기상증착법 또는 급속 열처리 공정에 의해 도핑되는 것인, 표면 개질된 그래핀 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 요철부의 오목부에 질소-도핑된 그래핀이 코팅되는 것인, 표면 개질된 그래핀 투명 전극의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 물질은 금속 나노와이어, 금속 입자, 전도성 투명 전극 물질, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 표면 개질된 그래핀 투명 전극의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 금속은 Ag, Ni, Si, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Cu, Sn, In, Pt, Au, Mg, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 표면 개질된 그래핀 투명 전극의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 전도성 투명 전극 물질은 인듐 틴 옥사이드, 플루오린 틴 옥사이드, ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, 주석계 산화물, 산화아연, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 표면 개질된 그래핀 투명 전극의 제조 방법
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기재 또는 요철부를 포함하는 3 차원 기재;상기 기재 또는 상기 요철부의 오목부에 코팅된 질소-도핑된 그래핀; 및,상기 질소-도핑된 그래핀에 형성된 전도성 물질을 포함하는, 표면 개질된 그래핀 투명 전극
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제 10 항에 있어서,상기 질소-도핑된 그래핀은 그래핀이 아민기, 멜라민, 도파민, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것에 의해 질소-도핑된 것인, 표면 개질된 그래핀 투명 전극
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제 10 항에 있어서,상기 전도성 물질은 금속 나노와이어, 금속 입자, 전도성 투명 전극 물질, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 표면 개질된 그래핀 투명 전극
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제 12 항에 있어서,상기 금속은 Ag, Ni, Si, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Cu, Sn, In, Pt, Au, Mg, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 표면 개질된 그래핀 투명 전극
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제 12 항에 있어서,상기 전도성 투명 전극 물질은 인듐 틴 옥사이드, 플루오린 틴 옥사이드, ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, 주석계 산화물, 산화아연, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 표면 개질된 그래핀 투명 전극
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제 10 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 따른 표면 개질된 그래핀 투명 전극을 포함하는, 소자
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