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표면 개질된 그래핀 투명 전극 및 이의 제조 방법(SURFACE MODIFIED GRAPHENE TRANSPARENT ELECTRODE AND PREPARING METHOD OF THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016021300
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 표면 개질된 그래핀 투명 전극, 상기 표면 개질된 그래핀 투명 전극의 제조방법, 및 상기 표면 개질된 그래핀 투명 전극을 포함하는 소자에 관한 것이다.
Int. CL G06F 3/041 (2006.01) H01L 31/042 (2014.01) G02F 1/13 (2006.01) H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01)
출원번호/일자 1020150088365 (2015.06.22)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0150412 (2016.12.30) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020170182339;
심사청구여부/일자 Y (2015.06.22)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이효영 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 이한림 대한민국 서울특별시 종로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0601586-28
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.08.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0036339-58
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0752594-72
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.12.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1252452-91
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-1252398-12
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0294106-39
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-0505304-10
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.05.26 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0505361-13
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0378111-16
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0724364-75
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.07.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0724404-14
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0833514-08
15 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2017.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2017-1304035-53
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번호 청구항
1 1
기재 또는 요철부를 포함하는 3 차원 기재 상에 질소-도핑된 그래핀을 코팅하는 단계; 및,상기 질소-도핑된 그래핀이 코팅된 기재 또는 3 차원 기재 상에 전도성 물질을 형성하는 단계를 포함하는, 표면 개질된 그래핀 투명 전극의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 기재는 사파이어, 석영, Si 웨이퍼, Si/SiO2 웨이퍼, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 평면 기재를 포함하는 것인, 표면 개질된 그래핀 투명 전극의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 요철부를 포함하는 3 차원 기재는 GaN, ZnO, InGaN, Al2O3, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 표면 개질된 그래핀 투명 전극의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 질소-도핑된 그래핀은 그래핀이 아민기, 멜라민, 도파민, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것에 의해 질소 도핑된 것인, 표면 개질된 그래핀 투명 전극의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 질소-도핑된 그래핀은 화학기상증착법 또는 급속 열처리 공정에 의해 도핑되는 것인, 표면 개질된 그래핀 투명 전극의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 요철부의 오목부에 질소-도핑된 그래핀이 코팅되는 것인, 표면 개질된 그래핀 투명 전극의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 전도성 물질은 금속 나노와이어, 금속 입자, 전도성 투명 전극 물질, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 표면 개질된 그래핀 투명 전극의 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 금속은 Ag, Ni, Si, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Cu, Sn, In, Pt, Au, Mg, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 표면 개질된 그래핀 투명 전극의 제조 방법
9 9
제 7 항에 있어서,상기 전도성 투명 전극 물질은 인듐 틴 옥사이드, 플루오린 틴 옥사이드, ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, 주석계 산화물, 산화아연, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 표면 개질된 그래핀 투명 전극의 제조 방법
10 10
기재 또는 요철부를 포함하는 3 차원 기재;상기 기재 또는 상기 요철부의 오목부에 코팅된 질소-도핑된 그래핀; 및,상기 질소-도핑된 그래핀에 형성된 전도성 물질을 포함하는, 표면 개질된 그래핀 투명 전극
11 11
제 10 항에 있어서,상기 질소-도핑된 그래핀은 그래핀이 아민기, 멜라민, 도파민, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것에 의해 질소-도핑된 것인, 표면 개질된 그래핀 투명 전극
12 12
제 10 항에 있어서,상기 전도성 물질은 금속 나노와이어, 금속 입자, 전도성 투명 전극 물질, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 표면 개질된 그래핀 투명 전극
13 13
제 12 항에 있어서,상기 금속은 Ag, Ni, Si, Ti, Cr, Mn, Fe, Co, Cu, Sn, In, Pt, Au, Mg, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 표면 개질된 그래핀 투명 전극
14 14
제 12 항에 있어서,상기 전도성 투명 전극 물질은 인듐 틴 옥사이드, 플루오린 틴 옥사이드, ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, 주석계 산화물, 산화아연, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 포함하는 것인, 표면 개질된 그래핀 투명 전극
15 15
제 10 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 따른 표면 개질된 그래핀 투명 전극을 포함하는, 소자
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR1020180004691 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.