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폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치에 있어서,상기 배기가스가 유입되도록 마련되며, 열원에 의해 상기 배기가스를 열 산화시켜 처리하는 열산화 처리부를 구비하고, 상기 배기가스를 물리적 또는 화학적으로 흡착 처리하는 건식 처리부 또는 액체를 이용하여 상기 배기가스를 흡수 및 용해시켜 처리하는 습식 처리부 중 적어도 어느 하나를 포함하는 1차 처리부;상기 처리부로부터 배출되는 가스가 유입되도록 마련되며, 소프트 엑스레이를 조사하여 양이온 또는 음이온을 생성시키고, 상기 양이온 또는 음이온 중 어느 하나를 제거하여 가스의 입자를 단극 하전시키는 엑스레이 하전부와, 고전압 방전에 의해 이온을 생성하여 주입하고, 단극의 고전압 인가에 따라 상기 엑스레이 하전부에서 제거되는 이온과 동일한 극성의 이온을 제거하여 가스의 입자를 단극 하전시키는 고압 하전부를 포함하는 2차 처리부;상기 2차 처리부로부터 배출되는 가스를 전달받아 인가되는 고전압에 의해 단극 하전된 배기가스 입자를 포집하는 정전집진부; 및,상기 1차 처리부, 상기 2차 처리부 및 상기 정전집진부를 각각 제어하는 제어부;를 포함하는 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치
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제1항에 있어서,상기 1차 처리부의 정상 작동여부를 센싱하도록 설치되고, 상기 1차 처리부가 오작동하면 상기 제어부로 오작동 신호를 전송하는 센싱부를 더 포함하며,상기 제어부는 상기 센싱부로부터 상기 1차 처리부 중 열처리 산화부의 오작동 신호가 수신되면, 상기 고압 하전부와 상기 정전집진부를 작동정지시키는 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치
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제1항에 있어서,상기 2차 처리부는,상기 1차 처리부로부터 배출되는 가스가 유입되어 배출되도록 마련되는 하전용 챔버;상기 하전용 챔버에 설치되며, 소프트 엑스레이를 상기 하전용 챔버로 유입되는 폭발성 가스에 조사하여 양이온 또는 음이온을 발생시키는 엑스레이부;상기 하전용 챔버의 내부에 설치되어 인가되는 단극의 고전압에 의해 상기 하전용 챔버 내의 양이온 또는 음이온 중 어느 하나로 상기 가스의 입자를 단극 하전시키는 이온포집부; 및,상기 하전용 챔버와 연통되도록 형성되되 상기 소프트 엑스레이가 조사되는 영역과 분리되도록 형성되며, 인가되는 고전압에 의해 상기 하전용 챔버 내부의 단극 하전되는 가스 입자와 동일한 극성의 이온을 생성하여 상기 하전용 챔버 내부로 전달하는 이온주입부;를 포함하는 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치
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제1항에 있어서,상기 2차 처리부는,상기 1차 처리부로부터 배출되는 가스가 유입되는 유입관과 배출되는 배출관이 설치되어, 상기 가스가 유입 및 배출되는 하전용 챔버;상기 유입관 또는 배출관 중 적어도 어느 하나에 설치되어 통과하는 가스에 소프트 엑스레이를 조사하여 양이온 및 음이온을 생성하며, 인가되는 단극의 고전압에 의해 상기 양이온 또는 음이온 중 어느 하나로 상기 가스의 입자를 단극 하전시키는 제1단극하전부; 및,상기 하전용 챔버에 설치되며, 고전압 방전에 의해 상기 제1단극하전부에 인가되는 단극의 고전압과 동일한 극성을 가진 이온을 생성하여 상기 하전용 챔버 내부로 주입하며, 상기 제1단극하전부의 인가되는 고전압과 동일한 극성의 단극의 고전압이 인가되어 상기 하전용 챔버 내로 유입되는 가스의 입자를 상기 제1단극하전부와 동일한 극성으로 단극 하전시키는 제2단극하전부;를 포함하는 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치
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제3항 또는 제4항에 있어서,상기 정전집진부는 상기 하전용 챔버로부터 단극 하전된 가스 입자를 전달받는 집진용 챔버와, 상기 집진용 챔버 내부에 설치되어 고전압이 인가되어 방전되는 방전판과, 상기 방전판과 이격배치되어 상기 단극 하전된 가스 입자가 포집되는 포집판을 포함하는 폭발성 배기가스 입자의 정전 제거 장치
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