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나노소재기반 전도성레지스트를 이용한 전극패턴 형성 기술

  • 기술번호 : KST2014039666
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노임프린트용 전도성 레지스트를 이용한 전극패턴 형성방법에 관한 것으로, 나노소재 기반 전도성 레지스트를 준비하여 기판상에 도포하는 단계와; 전도성 레지스트 패턴을 형성하기 위하여 상기 도포된 나노소재 기반 전도성 레지스트에 나노스케일 패턴이 새겨진 스탬프를 통해 임프린트하는 단계; 및 상기 임프린트된 전도성 레지스트 패턴을 식각하여 잔류층을 제거하여 전극 패턴을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하며, 본 발명에 의해 형성된 패턴은 전기 전도성을 지닌 전자소자 패턴으로 직접 사용이 가능한 효과가 있고, 금속 패턴을 포함하는 나노소자 제작에 나노임프린트 공정 적용시 금속 박막의 증착과 패터닝, 그리고 식각에 필요한 공정단계를 제거할 수 있어 공정시간과 비용을 줄일 수 있는 장점이 있다.나노필러, 카본나노튜브, 분산제, 임프린트, 스템퍼
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01) G03F 7/0002(2013.01)
출원번호/일자 1020060034179 (2006.04.14)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0798398-0000 (2008.01.21)
공개번호/일자 10-2007-0102263 (2007.10.18) 문서열기
공고번호/일자 (20080128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.04.14)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최준혁 대한민국 대전 유성구
2 정성운 대한민국 대전 유성구
3 정준호 대한민국 대전 유성구
4 이응숙 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 공인복 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로**길*-**, 대송빌딩 *층(특허법인 대한(서초분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2006-0261438-93
2 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
2006.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2006-0938489-01
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.02.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2007-0012781-53
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0277955-86
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.06.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0441942-05
7 의견서
Written Opinion
2007.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2007-0441944-96
8 등록결정서
Decision to grant
2007.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0566316-22
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
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카본나노튜브를 포함하는 전도성 나노튜브 및 나노입자를 포함하는 나노필러를 선택하여 정제하는 단계;상기 정제된 나노필러를 분산제에 의해 표면처리하는 단계; 및필터링 후 젖은 상태의 나노필러를 나노임프린트용 레진에 혼합분산 시키는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 나노임프린트용 전도성 레지스트 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 분산제에 의한 표면처리과정은 극성 솔벤트에서 초음파 진동이 가해지는 상태에서 2시간 이상 수행되는 것을 특징으로 하는 나노임프린트용 전도성 레지스트 제조방법
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제 5 항 또는 제 6 항에 있어서, 상기 분산제는 DMF(Dimethylformamide), NMP(1-methyl-2-pyrrolidinone), THF(Tetrahydrofuran), SDS(Sodium Dodecylsulfate)중 하나 이상이 사용된 것을 특징으로 하는 나노임프린트용 전도성 레지스트를 이용한 전극패턴 형성방법
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제 5 항에 있어서, 필터링 후 젖은 상태의 나노필러를 사용할 시 솔벤트 함량은 50% 이내로 하며, 나노임프린트용 레진과의 혼합은 프로브 타입의 초음파 분쇄기를 이용하여 2시간 이상 수행하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트용 전도성 레지스트 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 나노튜브의 함량은 0
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제 5 항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 의해 제조된 나노임프린트용 전도성 레지스트
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.