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STI 연마용 슬러리 조성물(SLURRY COMPRISING FOR STI POLISHING)

  • 기술번호 : KST2017000543
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 STI 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 STI 연마용 슬러리 조성물은 초임계 또는 아임계 조건 하에서 제조된 산화세륨 연마입자 및 분산제를 포함하는 연마액; 및 술폰기를 포함하는 고분자 첨가제;를 포함한다.
Int. CL C09K 3/14 (2006.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01)
CPC C09K 3/1454(2013.01) C09K 3/1454(2013.01) C09K 3/1454(2013.01)
출원번호/일자 1020150094837 (2015.07.02)
출원인 주식회사 케이씨, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1761792-0000 (2017.07.20)
공개번호/일자 10-2017-0004462 (2017.01.11) 문서열기
공고번호/일자 (20170726) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.07.02)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 케이씨 대한민국 경기도 안성시
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤영록 대한민국 서울특별시 송파구
2 권민석 대한민국 충청북도 진천군
3 서지훈 대한민국 서울특별시 성동구
4 백운규 대한민국 서울특별시 강남구
5 윤희성 대한민국 경상북도 포항시 남구
6 김기정 대한민국 경기도 오산시 오산
7 이강천 대한민국 서울특별시 송파구
8 조윤성 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 주식회사 케이씨텍 경기도 안성시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-0645363-74
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.02.05 수리 (Accepted) 9-1-2016-0008052-59
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.12.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0911031-20
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.02.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0164183-27
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0164182-82
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.05.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5070900-17
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0377515-79
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.06.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-0624108-81
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.06.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0624109-26
11 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.07.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0504280-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.06 수리 (Accepted) 4-1-2017-5176182-94
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5246687-07
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
초임계 또는 아임계 조건 하에서 제조된 산화세륨 연마입자 및 분산제를 포함하는 연마액; 및술폰기를 포함하는 고분자 첨가제;를 포함하고,얕은 트렌치 소자 분리(shallow trench isolation; STI) 공정에서, 실리콘질화막 연마율은 25 Å/min 이하이고, 실리콘산화막 대비 실리콘질화막의 연마 선택비가 10 : 1 내지 150 : 1이고,하기의 화학식 1에 의해 계산되는 상기 산화세륨 연마입자 표면의 Ce3+ 함량은 10% 내지 60%인 것인, STI 연마용 슬러리 조성물:[화학식 1]Ce3+ 함량(%)= (Ce3+ 피크 면적)/[(Ce3+ 피크 면적)+ (Ce4+ 피크 면적)]
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 산화세륨 연마입자의 평균 입경은 1 nm 내지 50 nm인 것인, STI 연마용 슬러리 조성물
4 4
제1항에 있어서,상기 산화세륨 연마입자는, 상기 STI 연마용 슬러리 조성물 중 0
5 5
제1항에 있어서,상기 분산제는, 폴리아크릴산, 폴리아크릴산 암모늄염, 폴리메타크릴산, 폴리메타크릴산 암모늄염, 폴리아크릴 말레익산, 카르복시산, 카르복시산염, 술퍼닉 에스테르, 술퍼닉 에스테르염, 술포닉산, 술포닉산염, 포스포릭 에스테르 및 포스포릭 에스테르염으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 음이온성 고분자를 포함하고,상기 분산제는, 상기 STI 연마용 슬러리 조성물 중 0
6 6
제1항에 있어서,상기 술폰기를 포함하는 고분자 첨가제는, 폴리스티렌 설포네이트(PSS), 벤젠 설포네이트, C1-4 알킬벤젠 설포네이트, 디-C1-4 알킬벤젠 설포네이트, C5-10 알칸 설포네이트 및 이들의 염으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, STI 연마용 슬러리 조성물
7 7
제1항에 있어서,상기 술폰기를 포함하는 고분자 첨가제는, 상기 STI 연마용 슬러리 조성물 중 0
8 8
제1항에 있어서,상기 술폰기를 포함하는 고분자 첨가제의 pH는 3 내지 6인 것인, STI 연마용 슬러리 조성물
9 9
제1항에 있어서,암모니아, 수산화칼륨, 수산화나트륨, 수산화마그네슘, 수산화루비듐, 수산화세슘, 탄산수소나트륨, 탄산나트륨, 트리에탄올아민, 트로메타민, 나이아신아마이드, 질산, 황산, 인산, 염산, 아세트산, 시트르산, 글루타르산, 글루콜산, 포름산, 젖산, 말산, 말론산, 말레산, 옥살산, 프탈산, 숙신산, 타르타르산, AMP(ammonium methyl propanol) 및 TMAH(tetra methyl ammonium hydroxide)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 pH 조절제;를 더 포함하고, 상기 pH 조절제는, 상기 STI 연마용 슬러리 조성물 중 0
10 10
제1항에 있어서,상기 STI 연마용 슬러리 조성물의 pH는 4 내지 8인 것인, STI 연마용 슬러리 조성물
11 11
삭제
12 12
제1항에 있어서,상기 초임계 또는 아임계 조건은, 250℃ 내지 600℃의 반응 온도 및 50 bar 내지 500 bar의 반응 압력을 가지는 것인, STI 연마용 슬러리 조성물
13 13
제1항에 있어서,상기 초임계 또는 아임계 조건은, 초임계 또는 아임계 이산화탄소, 초임계 또는 아임계 알칸, 초임계수(水) 또는 아임계수, 및 초임계 또는 아임계 알코올로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 이용하는 것인, STI 연마용 슬러리 조성물
14 14
제1항에 있어서,상기 산화세륨 연마입자는,초임계 또는 아임계 유체 및 세륨염을 포함하는 금속염 수용액을 혼합하여 산화세륨-함유 용액을 제조하는 단계; 상기 산화세륨-함유 용액을 반응기에 도입하여, 초임계 또는 아임계 조건에서 반응시켜 산화세륨 연마입자를 형성하는 단계; 상기 산화세륨 연마입자를 포함하는 용액으로부터 상기 산화세륨 연마입자를 분리 및 회수하는 단계; 및상기 회수된 산화세륨 연마입자를 열처리하는 단계;에 의해 제조된 것인, STI 연마용 슬러리 조성물
15 15
제14항에 있어서,상기 세륨염은, 세륨의 질산염, 질산암모늄염, 황산염, 염화염, 탄산염, 초산염 및 인산염으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, STI 연마용 슬러리 조성물
16 16
제14항에 있어서,상기 금속염 수용액은, Zn, Co, Ni, Fe, Al, Ti, Ba 및 Mn으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나의 금속의 염을 더 포함하는 것인, STI 연마용 슬러리 조성물
17 17
제14항에 있어서,상기 열처리는 200℃ 내지 900℃에서 수행하는 것인, STI 연마용 슬러리 조성물
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 총괄주관 : 한국반도체연구조합, 세부주관 : (주)케이씨텍 지식경제 기술혁신사업/산업융합원천기술개발 20nm이하 차세대 CMP 공정용 wet ceria 슬러리 기술 개발