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서로 대향되게 배치된 제1 기판 및 제2 기판; 상기 제1 기판의 일면에 배치되고, 적어도 일부분에 나노 구조체가 형성된 반도체 웨이퍼층을 포함하는 전자 방출체를 포함하는 전자 방출부; 및 상기 제2 기판의 일면에 배치되고, 상기 나노 구조체를 향해서 배치된 발광물질층을 포함하는 발광부; 를 포함하고, 상기 나노 구조체는 상기 반도체 웨이퍼와 연속된 동일 성분 및 구조이며,상기 나노구조체는, 니들 형상이고,상기 나노 구조체는, 상기 나노 구조체의 높이의 0
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제12항에 있어서,상기 발광물질층은, 상기 전자 방출부에서 방출된 전자에 의해 발광하는 발광물질을 포함하고, 상기 발광물질층은, 1 nm 내지 20 ㎛의 두께를 갖는 것인, 발광 장치
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제12항에 있어서,상기 전자 방출부 및 상기 발광부는, 이들 사이에 갭이 형성되도록 배치되고, 상기 갭의 길이는 조절 가능한 것인, 발광 장치
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제12항에 있어서,상기 제1 기판 및 제2 기판은, 서로 동일하거나 또는 상이하고, 사파이어, 다이아몬드, LiAlO2, Al, SiO2, Si, SiC, GaN, Cu, Fe, Pt, 및 Pb 중 1종 이상을 포함하고, 10 ㎛ 내지 500 ㎛ 두께를 갖는 것인, 발광 장치
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제12항에 있어서,상기 제1 기판 및 상기 발광물질층의 일면의 적어도 일부분에 외부 전극과 연결되는 금속판이 배치되는 것인, 발광 장치
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