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광 센서 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2019023917
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광 센서 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 종이 기판; 및 상기 종이 기판 상에 형성된 광 공진기; 를 포함하는 광 센서에 관한 것이다. 본 발명은 종이 기판 상에 구현되는 광 공진기를 이용하여 센서의 제조비용을 낮추고, 실시간 검출이 가능한 광 센서를 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 31/08 (2006.01.01) G01J 1/02 (2006.01.01) G01J 1/04 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) A61B 5/00 (2006.01.01)
CPC H01L 31/08(2013.01)H01L 31/08(2013.01)H01L 31/08(2013.01)H01L 31/08(2013.01)H01L 31/08(2013.01)H01L 31/08(2013.01)
출원번호/일자 1020160008486 (2016.01.25)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1742423-0000 (2017.05.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20170601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.01.25)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조용훈 대한민국 대전광역시 유성구
2 김세정 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2016-0078049-32
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.07.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.09.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0127729-24
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.10.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0732303-45
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.12 수리 (Accepted) 1-1-2016-1215265-47
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.12.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1215266-93
7 등록결정서
Decision to grant
2017.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0297074-81
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
종이 기판; 및 상기 종이 기판 상에 형성된 광 공진기; 를 포함하고,상기 광 공진기는 광 결정을 포함하고,상기 광 결정은, 웨이퍼를 정의하지 않고, 반도체 화합물, 산화물 및 고분자 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하고,상기 광 공진기의 파장 변화에 따라 시료를 검출하는, 광 바이오 센서
2 2
제1항에 있어서,상기 광 공진기의 길이 또는 직경은 1 mm 미만이며, 상기 광 공진기는 원형, 다각형, 사각 판형 또는 링 형상을 갖는 것인, 광 바이오 센서
3 3
제1항에 있어서,상기 반도체 화합물은, Ⅱ-Ⅵ족 화합물, Ⅱ-Ⅴ족 화합물, Ⅲ-Ⅵ족 화합물, Ⅲ-Ⅴ족 화합물, Ⅳ-Ⅵ족 화합물, Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 화합물, Ⅱ-Ⅳ-Ⅵ족 화합물, 및 Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ족 반도체 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하며, 상기 산화물은, 산화티탄, 산화아연, 산화세륨, 산화알루미늄, 산화이트륨, 산화지르코늄, 산화주석, 산화탈륨, 산화구리, 산화규소, 및 산화하프늄으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하고,상기 고분자 수지는, 폴리스티렌, 폴리알파메틸스티렌, 폴리카보네이트, 아크릴로니트릴부타디엔스티렌, 셀룰로오스 아세테이트, 폴리비닐카바졸, 폴리아크릴레이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리벤질메타크릴레이트, 폴리페닐메타크릴레이트, 폴리-1-메틸시클로헥실메타크릴레이트, 폴리시클로헥실메타크릴레이트, 폴리클로로벤질메타크릴레이트, 폴리-1-페닐에틸메타크릴레이트, 폴리-1,2-디페닐에틸메타크릴레이트, 폴리디페닐메틸메타크릴레이트, 폴리퍼퓨릴메타크릴레이트, 폴리-1-페닐시클로헥실메타크릴레이트, 폴리펜타클로로페닐메타크릴레이트, 및 폴리펜타브로모페닐메타크릴레이트로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것인, 광 바이오 센서
4 4
제1항에 있어서,상기 종이 기판의 두께는 10 nm 내지 2 mm인 것인, 광 바이오 센서
5 5
제1항의 광 바이오 센서의 제조 방법에 있어서, 종이 기판 상에 광 공진기를 형성하는 단계를 포함하는, 광 바이오 센서의 제조방법
6 6
제5항에 있어서,상기 종이 기판 상에 광 공진기를 형성하는 단계는:광 결정을 형성하는 단계; 상기 광 결정을 패터닝하여 광 공진기를 제조하는 단계; 및상기 광 공진기를 종이 기판 상에 전사하는 단계; 를 포함하는 것인, 광 바이오 센서의 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 전사하는 단계는:상기 광 공진기와 레진 스탬프를 결합하는 단계;상기 결합된 광 공진기를 종이 기판 상에 위치시키는 단계; 및상기 광 공진기와 상기 스탬프를 분리하는 단계; 를 포함하는 것인, 광 바이오 센서의 제조방법
8 8
제5항에 있어서,상기 종이 기판 상에 광 공진기를 형성하는 단계는:광 결정을 형성하는 단계; 상기 광 결정을 종이 기판 상에 전사하는 단계; 및상기 전사된 광 결정을 패터닝하여 광 공진기를 제조하는 단계; 를 포함하는 것인, 광 바이오 센서의 제조방법
9 9
제8항에 있어서,상기 전사하는 단계는:상기 광 결정과 레진 스탬프를 결합하는 단계;상기 결합된 광 결정을 종이 기판 상에 위치시키는 단계; 및상기 광 결정과 상기 레진 스탬프를 분리하는 단계; 를 포함하는 것인, 광 바이오 센서의 제조방법
10 10
제1항의 광 바이오 센서; 및상기 광 바이오 센서로부터 발광된 광의 파장 변화, 파장 변화량 또는 이 둘을 검출하는 검출기;를 포함하는, 광 바이오 센싱 시스템
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술원 (구)일반연구자지원사업〉(구)기본연구지원사업 밴드갭이 넓은 반도체 물질을 이용한 상온 폴라리톤 응축 현상 구현
2 미래창조과학부 한국과학기술원 중견연구자지원사업 / 도약(도전) 반도체 양자점과 금속 표면 플라즈몬 제어를 통한 양자 포토닉스 연구