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전면이 활성 영역과 테이퍼 영역으로 구획되는 발광소자의 제작방법에 있어서, 기판 상부에 n형 수동 도파로, n형 클래드층, 활성층 및 p형 캡층을 순차적으로 적층하여 에피층을 형성하는 단계;상기 에피층내의 상기 활성 영역에 위치한 상기 활성층의 일부를 식각하고, 상기 테이퍼 영역에 위치한 상기 활성층의 길이방향에 대하여 테이퍼를 가지며 상기 활성층으로부터 연장되는 테이퍼 활성층을 형성하는 단계;상기 테이퍼 영역에 테이퍼층을 매립하는 pnp 전류차단층을 형성하여 PBH(Planar Buried Heterostructure) 구조를 형성하는 단계; 및상기 활성 영역과 상기 테이퍼 영역의 상기 활성층 및 상기 테이퍼층 상부에 리지 도파로(ridge waveguide)를 형성하는 단계;를 포함하는, 발광소자 제작방법
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제 1 항에 있어서, 상기 테이퍼 활성층을 형성하는 단계는, 상기 테이퍼층이 상기 활성 영역으로부터 멀어질수록 상기 테이퍼층의 폭을 좁게 형성하는 단계를 포함하는, 발광소자 제작방법
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제 1 항에 있어서,상기 테이퍼 활성층을 형성하는 단계는, 상기 활성층 및 테이퍼층을 제외한 영역에서 상기 n형 수동 도파로층을 식각을 수행하는 단계를 포함하는, 발광소자 제작방법
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제 1 항에 있어서, 상기 PBH 구조를 형성하는 단계는, 상기 테이퍼 영역에서, 상기 테이퍼층 하부의 상기 n형 수동 도파로를 식각하여 상기 테이퍼층의 폭을 커버하며 상기 테이퍼층과 중첩하는 수동 도파로 코어를 형성하는 단계; 및상기 활성 영역과 테이퍼 영역에서, 상기 활성층과 상기 테이퍼층을 매립하는 상기 pnp 전류차단층을 형성하는 단계;를 포함하는, 발광소자 제작방법
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제 4 항에 있어서,상기 pnp 전류차단층을 형성하는 단계는, 상기 활성 영역의 상기 pnp 전류차단층의 상면은 상기 활성층의 상면에 대하여 편평하도록 형성하되, 상기 테이퍼 영역의 상기 pnp 전류차단층의 상면은 상기 테이퍼층의 상면에 대하여 소정의 각도의 경사를 갖도록 형성하는 단계를 포함하는, 발광소자 제작방법
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제 1 항에 있어서, 상기 리지 도파로를 형성하는 단계는, 상기 pnp 전류차단층이 형성된 에피층 상부의 전면에 에치스탑(etch stop)층, p형 클래드층 및 p형 오믹층을 순차적으로 적층하는 단계;상기 p형 클래드층 및 p형 오믹층에 대한 선택적인 식각을 수행하여 상기 활성층 및 테이퍼층과 중첩하는 상기 리지 도파로를 형성하는 단계; 및상기 리지 도파로의 상부에 p형 메탈을 형성하고, 상기 에피층의 기판의 하부에 n형 메탈을 형성하는 단계;를 포함하는, 발광소자 제작방법
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제 6 항에 있어서, 상기 p형 클래드층 및 p형 오믹층에 대한 선택적인 식각을 수행하여 상기 활성층 및 테이퍼층과 중첩하는 상기 리지 도파로를 형성하는 단계는,상기 활성 영역의 리지 도파로는 상부에서 하부로 갈수록 단면의 폭이 좁아지는 역 메사(mesa) 구조를 갖도록 형성하며, 상기 테이퍼 영역의 리지 도파로는 상부부터 하부까지의 단면의 폭이 동일한 순 메사(mesa) 구조를 갖도록 형성하는 단계를 포함하는, 발광소자 제작방법
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제 7 항에 있어서, 상기 p형 클래드층 및 p형 오믹층에 대한 선택적인 식각을 수행하여 상기 활성층 및 테이퍼층과 중첩하는 상기 리지 도파로를 형성하는 단계는, 상기 활성 영역의 리지 도파로의 폭이 상기 테이퍼 영역의 리지 도파로의 폭보다 좁도록 형성하며, 상기 활성 영역의 리지 도파로의 폭은 상기 활성층이 폭보다 좁으며, 상기 테이퍼 영역의 리지 도파로의 폭은 상기 테이퍼층의 폭보다 크도록 형성하는 단계를 포함하는, 발광소자 제작방법
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전면이 활성 영역과 테이퍼 영역으로 구획되는 발광소자에 있어서,기판;상기 기판의 상부 중 상기 활성 영역 내에 소정의 폭과 소정의 길이를 갖도록 형성된 활성층;상기 기판의 상부 중 상기 테이퍼 영역 내에 상기 활성층의 길이방향에 대하여 테이퍼를 가지며 상기 활성층과 동일한 재료로 상기 활성층으로부터 연장 형성된 테이퍼층;상기 기판의 상부에 형성되며 상기 테이퍼층을 매립하여 PBH(Planar Buried Heterostructure) 구조를 형성하는 pnp 전류차단층; 및상기 활성층, 테이퍼층 및 전류차단층 상부에 형성되며, 상기 활성층 및 테이퍼층과 중첩하도록 형성되는 리지 도파로(ridge waveguide);를 포함하는, 발광소자
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제 9 항에 있어서, 상기 테이퍼층은,상기 활성층의 길이 방향에 대하여 5~15°의 각도로 기울어져 형성된, 발광소자
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제 9 항에 있어서, 상기 테이퍼층은, 상기 활성 영역으로부터 멀어질수록 좁은 폭으로 형성되는, 발광소자
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제 9 항에 있어서, 상기 발광소자는,상기 테이퍼층과 상기 기판 사이에 형성되며, 상기 테이퍼층의 폭을 커버하며 상기 테이퍼층과 중첩하는 수동 도파로 코어를 더 포함하는, 발광소자
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13
제 9 항에 있어서, 상기 pnp 전류차단층은,상기 테이퍼층 뿐만 아니라 상기 활성층을 매립하도록 형성되며, 상기 활성 영역 내에서 상기 활성층의 상면에 대하여 편평하게 형성되되, 상기 테이퍼 영역 내에서 상기 테이퍼층의 상면에 대하여 소정의 각도의 경사를 갖도록 형성되는, 발광소자
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14
제 9 항에 있어서, 상기 리지 도파로는, 상기 활성 영역에서, 상부에서 하부로 갈수록 단면의 폭이 좁아지는 역 메사(mesa) 구조를 갖도록 형성되며, 상기 테이퍼 영역에서, 상부부터 하부까지의 단면의 폭이 동일한 순 메사(mesa) 구조로 형성되는, 발광소자
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15
제 14 항에 있어서, 상기 리지 도파로의 폭은, 상기 테이퍼 영역보다 상기 활성 영역 내에서 좁도록 형성되며, 상기 활성 영역 내에서 상기 활성층의 폭보다 좁게 형성되고, 상기 테이퍼 영역 내에서 상기 테이퍼층의 폭보다 크도록 형성되는, 발광소자
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제 9 항에 있어서, 상기 발광소자는,SLD(Superluminescent Diode)인, 발광소자
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제 9 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 따르는 발광소자; 및상기 테이퍼층의 단부가 배치된 상기 발광소자의 출력단과 인접하게 배치되어, 상기 발광소자의 출력단으로부터 출사된 광을 발진시켜 레이저를 발생시키는 반사기;를 포함하며,상기 반사기는,상기 발광소자의 출력단으로부터 출사된 광을 입력 받는 제 1 광도파로, 상기 제 1 광도파로로부터 입사된 광을 발진시키는 제 2 광도파로 및 상기 제 2 광도파로에서 발진된 광을 상기 반사기의 외부로 출사시키는 제 3 광도파로를 포함하는, 파장 가변 외부 공진 레이저
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제 17 항에 있어서, 상기 발광소자는,상기 발광소자의 활성층의 단부가 배치된 상기 발광소자의 입력단에 배치되어, 상기 활성층으로부터 발생된 광을 반사시켜 상기 광이 상기 발광소자의 출력단으로 향하게 하는 반사 코팅부를 더 포함하는, 파장 가변 외부 공진 레이저
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19
제 18 항에 있어서, 상기 반사기의 제 1 광도파로는,상기 발광소자의 출력단으로부터 출사된 광의 출사방향에 대응하도록, 상기 발광소자의 출력단과 인접하게 배치되는 상기 반사기의 표면에 대하여 15~25°로 경사지어 형성된, 파장 가변 외부 공진 레이저
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제 17 항에 있어서, 상기 파장 가변 외부 공진 레이저는,상기 발광소자와 상기 반사기 간의 결합효율을 높이기 위하여 상기 발광소자의 출력단과 상기 반사기 사이에 배치되는 렌즈를 더 포함하는, 파장 가변 외부 공진 레이저
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