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반도체식 가스센서 형성방법

  • 기술번호 : KST2017002614
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 일산화탄소를 비롯한 각종 유해한 가스를 검출할 수 있는 반도체식 가스센서에 관련되는 기술로서, 기판상의 활성영역에 제1박막물질을 형성하되, 상기 제1박막물질은 두께가 두꺼운 돌출부와 두께가 얇은 홈부가 반복되면서 형성되도록 하고, 상기 제1박막물질 위에 제2박막물질을 형성시킨 후 800℃에서 8시간 동안 열산화시킴으로써 제1박막과 제2박막이 결합된 이종산화물 감지막이 형성되도록 하되, 상기 제1박막은 SnO2이고, 상기 제2박막은 CuO 인 것을 특징으로 하는 반도체식 가스센서 형성방법에 관한 것이다.
Int. CL G01N 27/12 (2006.01)
CPC G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01)
출원번호/일자 1020120005097 (2012.01.17)
출원인 동의대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1303616-0000 (2013.08.29)
공개번호/일자 10-2013-0084376 (2013.07.25) 문서열기
공고번호/일자 (20130911) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.17)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 부산진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성현 대한민국 부산 금정구
2 신병철 대한민국 부산 부산진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김준수 대한민국 부산광역시 부산진구 가야대로 ***, *층 (가야동, 영진빌딩)(김준수국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동의대학교 산학협력단 부산광역시 부산진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0041724-49
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.01.30 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.03.14 수리 (Accepted) 9-1-2013-0019183-75
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0279126-07
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.06.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0559079-92
6 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0597529-63
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2014-5081860-22
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.26 수리 (Accepted) 4-1-2015-0010968-18
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번호 청구항
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반도체식 가스센서 형성방법에 있어서,기판상의 활성영역에 제1박막물질을 형성하되, 상기 제1박막물질은 두께가 두꺼운 돌출부와 두께가 얇은 홈부가 반복되면서 형성되도록 하고,상기 제1박막물질 위에 제2박막물질을 형성시킨 후 800℃에서 8시간 동안 열산화시킴으로써 제1박막과 제2박막이 결합된 이종산화물 감지막이 형성되도록 하되, 상기 제1박막은 SnO2이고, 상기 제2박막은 CuO 인 것을 특징으로 하는 반도체식 가스센서 형성방법
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제 3 항에 있어서,상기 제1박막물질은 8×10-6 torr의 진공상태에서 상기 돌출부는 1000Å 두께로 230℃에서 열증착하고, 상기 홈부는 500Å 두께로 230℃에서 열증착하며,상기 제2박막물질은 8×10-6 torr의 진공상태에서 20Å 두께로 1080℃에서 전자빔 증착하도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체식 가스센서 형성방법
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제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,상기 기판은,실리콘 플레이트의 상하면에 질화막을 증착시키는 질화막 증착 단계;상기 실리콘 플레이트에 증착된 하부측 질화막을 부분적으로 제거하는 패터닝 단계;수산화칼륨(KOH) 용액을 이용하여 상기 실리콘 플레이트의 하부측을 제거하는 식각단계;상기 실리콘 플레이트의 상면에 형성된 상부측 질화막 위에 히터 및 전극을 형성하기 위한 리프트-오프 단계;형성된 상기 히터 및 전극을 SiO2 증착막에 의해 덮이도록 하는 부동태 단계;에칭을 통해서 상기 SiO2 증착막의 일부를 제거하여 상기 히터 및 전극이 노출되게 하는 활성영역 형성단계;를 통해서 획득되는 것을 특징으로 하는 반도체식 가스센서 형성방법
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.