요약 | 본 발명은 육각형 GaN의 피라미드의 반도체층의 꼭대기영역에만 선택적 결정성장을 실시하여, 백색 LED 제조를 위해 청색에서 적색까지의 파장범위를 가지는 활성층을 형성할 수 있도록 하는 LED의 제조방법 및 이에 의해 제조된 LED에 관한 것으로, 제 1 반도체층(1)을 형성하는 단계, 제 1 반도체층(1) 위에 선택적 결정 성장에 의해 꼭지점 부분이 뾰족한 형태의 제 2 반도체층(5)을 형성하는 단계, 제 2 반도체층(5)의 꼭지점 부분에 선택적 결정성장에 의해 다양한 결정면을 가지는 제 3 반도체층(8)을 형성하는 단계 및 제 3 반도체층(8) 위에 활성층을 포함하는 반도체층(9)을 형성하는 단계로 구성된다. |
---|---|
Int. CL | H01L 33/22 (2010.01.01) H01L 33/04 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1020130060172 (2013.05.28) |
출원인 | 부경대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1365229-0000 (2014.02.10) |
공개번호/일자 | |
공고번호/일자 | (20140219) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2013.05.28) |
심사청구항수 | 8 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 부경대학교 산학협력단 | 대한민국 | 부산광역시 남구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 양민 | 대한민국 | 부산 수영구 |
2 | 안형수 | 대한민국 | 부산 금정구 |
3 | 유영문 | 대한민국 | 서울 관악구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인 동원 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, ****호 (서초동, 현대전원오피스텔) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 부경대학교 산학협력단 | 부산광역시 남구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2013.05.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0471183-02 |
2 | 보정요구서 Request for Amendment |
2013.06.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0062234-43 |
3 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2013.06.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0521197-47 |
4 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2013.08.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0751981-10 |
5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.09.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0638380-53 |
6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.10.25 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0970208-71 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.10.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0970205-34 |
8 | 등록결정서 Decision to grant |
2014.01.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0012237-62 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.07.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5132722-09 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5161225-98 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.12.31 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5277245-32 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.07.31 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5172403-90 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 제 1 반도체층을 형성하는 단계;상기 제 1 반도체층 위에 선택적 결정 성장에 의해 꼭지점 부분이 뾰족한 형태의 제 2 반도체층을 형성하는 단계;상기 제 2 반도체층의 꼭지점 부분에 선택적 결정성장에 의해 다양한 결정면을 가지며, MOVPE 반응관의 압력을 상압 이상으로 유지하여 제 3 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 제 3 반도체층 위에 활성층을 포함하는 반도체층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 백색 LED 제조방법 |
2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 반도체층을 형성하고, 전면에 SiO2막을 형성하는 단계;상기 제 2 반도체층의 꼭지점 부분의 SiO2막을 제거하는 단계;를 더 포함하며, 상기 SiO2막을 PR 코팅(coating)시의 회전 수, 노광시간, 현상시간을 조절하여 습식식각하는 것을 특징으로 하는 백색 LED 제조방법 |
3 |
3 제 2 항에 있어서,상기 제 2 반도체층은 피라미드(pyramid) 형태 또는 스트라이프(stripe) 형태이며, 상기 제 2 반도체층의 상부로부터 1/10 내지 1/5 미만의 영역의 SiO2막이 제거되도록 하고,결정성장시 원료가스로부터 분해된 원자들의 상대적인 밀도가 상기 꼭지점 부분의 영역에서 커지도록 상기 피라미드(pyramid) 또는 스트라이프(stripe) 사이의 간격을 조절하여 평균 확산 거리를 짧게 하는 것을 특징으로 하는 백색 LED 제조방법 |
4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 반도체층의 꼭지점 부분에 선택적 결정성장에 의해 다양한 결정면을 가지는 제 3 반도체층을 형성하는 단계에서,결정 성장에 기여하는 원자들의 평균 확산거리를 짧게 하여 인접한 피라미드 형태의 제 2 반도체층의 꼭지점에서 성장되는 제 3 반도체층의 모양과 크기를 서로 다르게 형성시키는 것을 특징으로 하는 백색 LED 제조방법 |
5 |
5 제 1 항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 내지 제 3 반도체층은 n형 GaN인 것을 특징으로 하는 백색 LED 제조방법 |
6 |
6 제 1 항에 있어서,상기 활성층은 InGaN인 것을 특징으로 하는 백색 LED 제조방법 |
7 |
7 제 1 항에 있어서,상기 활성층은 청색부터 적색까지의 파장범위를 가지고, 상기 활성층 위에 p-AlGaN층 및 p-GaN층이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 백색 LED 제조방법 |
8 |
8 제 1 항의 제조방법에 의해 제조된 백색 LED로서,활성층의 파장범위가 청색부터 적색까지인 것을 특징으로 하는 백색 LED |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | WO2014193069 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | WO2014193069 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
공개전문 정보가 없습니다 |
---|
특허 등록번호 | 10-1365229-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20130528 출원 번호 : 1020130060172 공고 연월일 : 20140219 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140107 청구범위의 항수 : 8 유별 : H01L 33/22 발명의 명칭 : 백색 LED와 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 부경대학교 산학협력단 부산광역시 남구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 178,500 원 | 2014년 02월 11일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 151,200 원 | 2017년 01월 24일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 151,200 원 | 2018년 02월 01일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 108,000 원 | 2019년 01월 31일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2013.05.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0471183-02 |
2 | 보정요구서 | 2013.06.04 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 1-5-2013-0062234-43 |
3 | [출원서등 보정]보정서 | 2013.06.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0521197-47 |
4 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 | 2013.08.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0751981-10 |
5 | 의견제출통지서 | 2013.09.11 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0638380-53 |
6 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.10.25 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0970208-71 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.10.25 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0970205-34 |
8 | 등록결정서 | 2014.01.07 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2014-0012237-62 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.07.04 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5132722-09 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.13 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5161225-98 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.12.31 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5277245-32 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.07.31 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5172403-90 |
기술번호 | KST2017003449 |
---|---|
자료제공기관 | 기관 |
기술공급기관 | |
기술명 | 백색 LED와 그 제조방법 |
기술개요 |
본 발명은 육각형 GaN의 피라미드의 반도체층의 꼭대기영역에만 선택적 결정성장을 실시하여, 백색 LED 제조를 위해 청색에서 적색까지의 파장범위를 가지는 활성층을 형성할 수 있도록 하는 LED의 제조방법 및 이에 의해 제조된 LED에 관한 것으로, 제 1 반도체층(1)을 형성하는 단계, 제 1 반도체층(1) 위에 선택적 결정 성장에 의해 꼭지점 부분이 뾰족한 형태의 제 2 반도체층(5)을 형성하는 단계, 제 2 반도체층(5)의 꼭지점 부분에 선택적 결정성장에 의해 다양한 결정면을 가지는 제 3 반도체층(8)을 형성하는 단계 및 제 3 반도체층(8) 위에 활성층을 포함하는 반도체층(9)을 형성하는 단계로 구성된다. |
개발상태 | |
기술의 우수성 | |
응용분야 | |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1415131472 |
---|---|
세부과제번호 | 1037416 |
연구과제명 | 해양 LED 융합기술지원 기반구축 및 상용화 기술개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 산업통상자원부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201006~201505 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1415134318 |
---|---|
세부과제번호 | 기술경영학위과정지원사업 |
연구과제명 | 기술경영(MOT) 학위과정 지원사업 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 산업통상자원부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201105~201504 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 기타 |
6T분류명 | 기타 |
[1020130113848] | 실시간 누적강우량을 활용한 도로 침수 위험 지수 예측 방법 및 그 장치 | 새창보기 |
---|---|---|
[1020130113848] | 실시간 누적강우량을 활용한 도로 침수 위험 지수 예측 방법 및 그 장치 | 새창보기 |
[1020130075606] | 미세조류의 광배양 및 수확 방법 | 새창보기 |
[1020130075606] | 미세조류의 광배양 및 수확 방법 | 새창보기 |
[1020130075606] | 미세조류의 광배양 및 수확 방법 | 새창보기 |
[1020130075014] | 전해 커패시터 없는 LED 구동용 전원장치와 이의 120Hz 리플 저감기법 | 새창보기 |
[1020130075014] | 전해 커패시터 없는 LED 구동용 전원장치와 이의 120Hz 리플 저감기법 | 새창보기 |
[1020130075014] | 전해 커패시터 없는 LED 구동용 전원장치와 이의 120Hz 리플 저감기법 | 새창보기 |
[1020130061431] | 탄소양자점 제조방법 | 새창보기 |
[1020130061431] | 탄소양자점 제조방법 | 새창보기 |
[1020130060173] | 조명용 LED 구동을 위한 전해커패시터 없는 전원장치 | 새창보기 |
[1020130060173] | 조명용 LED 구동을 위한 전해커패시터 없는 전원장치 | 새창보기 |
[1020130060172] | 백색 LED와 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020130060172] | 백색 LED와 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020120045620] | 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020120045620] | 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020120045620] | 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[1020110147322] | 필터커패시터 용량을 최소화한 조명용 LED 구동 AC/DC 컨버터 | 새창보기 |
[1020110111246] | 내부유로가 있는 핀과 평판구조의 하이브리드 휜으로 구성된 스마트 히트싱크 | 새창보기 |
[1020110028651] | 미세조류 성장장치 | 새창보기 |
[1020110028082] | 회절격자를 이용한 조명광학시스템 | 새창보기 |
[1020110021872] | 수중생태계 개선을 위한 조명장치 | 새창보기 |
[KST2015070719][LG그룹] | 반도체 발광소자 | 새창보기 |
---|---|---|
[KST2016006586][서울대학교] | 발광 다이오드 제조 방법 및 그를 통해 제조된 발광 다이오드(METHOD FOR MANUFACTURING LED AND LED) | 새창보기 |
[KST2019010974][한국과학기술연구원] | 섬유 내부에 발광다이오드가 내장된 웨어러블 발광소자와 그 제조방법 | 새창보기 |
[KST2016013489][한국나노기술원] | 나노구조체를 이용한 백색 발광소자의 제조방법 및 그에 의해 제조된 나노구조체를 이용한 백색 발광소자(manufacturing method of white LED using nano-structure and white LED thereby) | 새창보기 |
[KST2016013347][한국광기술원] | 질화물 반도체 발광소자(NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE) | 새창보기 |
[KST2015070326][LG그룹] | 질화물 반도체 발광 소자 | 새창보기 |
[KST2015070527][LG그룹] | 무분극 질화물계 발광 소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2014002101][한국광기술원] | 질화물 반도체 발광소자 | 새창보기 |
[KST2016008173][홍익대학교] | 합금화된 나노입자 전자 수송층을 포함하는 양자점-발광 소자 및 그 제조방법(Quantum dot-light-emitting devices comprising alloyed nanoparticle electron transport layer and method for fabricating the same) | 새창보기 |
[KST2015011545][영남대학교] | 발광 다이오드 | 새창보기 |
[KST2015012494][고려대학교] | 수직형 발광 소자의 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015011425][광주과학기술원] | 습식식각을 통한 GaN 기판 분리방법 | 새창보기 |
[KST2016005435][서울대학교] | 반도체 적층 구조, 이를 이용한 질화물 반도체층 분리방법 및 장치(Semiconductor thin film structure, method and apparatus for separating nitride semiconductor using the same) | 새창보기 |
[KST2014053124][서울대학교] | 반도체 광소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2019010900][한국과학기술연구원] | 핵-껍질 구조의 금속산화물 반도체-플러렌 양자점을 이용한 색 변환 발광소자와 그 제조방법 | 새창보기 |
[KST2015213296][] | 수직형 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015011427][광주과학기술원] | 나노로드를 포함하는 질화물계 발광다이오드 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2014013442][이디리서치] | 자기정렬 형광체 층 형성기술 | 새창보기 |
[KST2019011037][고려대학교] | 아민기를 갖는 덴드리머로 리간드 치환된 양자점 발광층을 포함하는 양자점 발광소자 및 이의 제조방법 | 새창보기 |
[KST2019003790][고려대학교] | 반도체 구조체 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[KST2016007286][성균관대학교] | 그래핀 양자점을 이용한 발광 소자 및 그의 제조 방법(LIGHT EMTTING DEVICE USING GRAPHENE QUANTUM DOT AND PREPARING METHOD OF THE SAME) | 새창보기 |
[KST2014035547][전북대학교] | 질화물계 반도체 발광 소자의 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2014035546][전북대학교] | 질화물계 반도체 발광 소자 및 기판 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2014037259][서울대학교] | 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2015070618][LG그룹] | 성장 기판, 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법 | 새창보기 |
[KST2016008465][고려대학교] | 발광소자 및 조명시스템(LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING SYSTEM) | 새창보기 |
[KST2019014566][고려대학교] | 반도체 소자 및 그 제조방법 | 새창보기 |
[KST2014023515][한국광기술원] | 수직형 발광 소자 및 이중포토레지스트를 이용한 그의제조방법 | 새창보기 |
[KST2016005508][한국전자통신연구원] | 양자점의 성장방법 및 이로부터 얻은 양자점을 적용한 발광소자(Grown Method for Growing Quantum Dots and Light Emitting Device Using Quantum Dots Obtained from the Method) | 새창보기 |
[KST2015011461][영남대학교] | 발광 다이오드 | 새창보기 |
심판사항 정보가 없습니다 |
---|