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반도체 발광소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014037259
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 사파이어 기판 상에 GaN계 반도체층을 성장시킬 때 열팽창 계수의 차로 인해 기판의 휨 또는 깨짐 현상이 발생하는 것을 방지하여 우수한 특성을 갖는 반도체 발광 소자를 제조 하기 위한 본 발명의 일 측면에 따른 반도체 발광 소자의 제조 방법은, 사파이어 기판; 상기 사파이어 기판의 하면에 형성된 박막; 상기 사파이어 기판의 상면 상에 형성된 제1 GaN계 반도체층; 상기 제1 GaN계 반도체층 상에 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 형성된 제2 GaN계 반도체층; 상기 활성층 및 상기 제2 GaN계 반도체층이 형성되지 않은 상기 제1 GaN계 반도체층 상에 형성된 제1 전극; 및 상기 제2 GaN계 반도체층 상에 형성된 제2 전극을 포함한다.
Int. CL H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 33/32 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01) H01L 33/12(2013.01)
출원번호/일자 1020100068136 (2010.07.14)
출원인 서울대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1209487-0000 (2012.12.03)
공개번호/일자 10-2012-0007394 (2012.01.20) 문서열기
공고번호/일자 (20121207) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.14)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤의준 대한민국 서울특별시 강남구
2 안성훈 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 이재철 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인천문 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 신성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0455424-21
2 보정요구서
Request for Amendment		 2010.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0066366-40
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0552193-77
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0520316-94
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.27 수리 (Accepted) 4-1-2011-5195109-43
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.10.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0852284-16
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0852282-25
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0231580-64
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.06.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0444128-33
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.06.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0444129-89
11 등록결정서
Decision to grant		 2012.09.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0521322-71
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하면에 적어도 하나의 홈이 형성되어 있는 사파이어 기판;상기 사파이어 기판의 하면에 형성된 박막;상기 사파이어 기판의 상면 상에 형성된 제1 GaN계 반도체층;상기 제1 GaN계 반도체층 상에 형성된 활성층;상기 활성층 상에 형성된 제2 GaN계 반도체층;상기 활성층 및 상기 제2 GaN계 반도체층이 형성되지 않은 상기 제1 GaN계 반도체층 상에 형성된 제1 전극; 및상기 제2 GaN계 반도체층 상에 형성된 제2 전극을 포함하고,상기 박막은 를 만족하는 열팽창 계수를 가지는 물질로 형성되고, 여기서, CT는 열팽창 계수를 나타내고, +FD는 상기 사파이어 기판의 +방향 최대 변형 허용 값을 나타내며, -FD는 상기 사파이어 기판의 -방향 최대 변형 허용 값을 나타내고, TH는 상기 박막의 두께를 나타내며, 는 상기 박막이 형성되는 공정온도와 기준온도와의 차이값을 나타내고, a 내지 h는 미리 정해진 상수 값을 나타내는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 사파이어 기판의 직경이 2인치인 경우상기 박막의 두께가 2㎛이면, 상기 박막은 -5
5 5
제1항에 있어서, 상기 사파이어 기판의 직경이 4인치인 경우,상기 박막의 두께가 2㎛이면, 상기 박막은 -2
6 6
제1항에 있어서, 상기 사파이어 기판의 직경이 6인치인 경우,상기 박막의 두께가 2㎛이면, 상기 박막은 -2
7 7
삭제
8 8
사파이어 기판의 하면에 적어도 하나의 홈을 형성하는 단계;사파이어 기판의 하면에 박막을 형성하는 단계;상기 사파이어 기판의 상면 상에 제1 GaN계 반도체층을 형성하는 단계;상기 제1 GaN계 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계; 및상기 활성층 상에 제2 GaN계 반도체층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 박막을 형성하는 단계에서,상기 박막은 를 만족하는 열팽창 계수를 가지는 물질로 형성하며, 여기서, CT는 열팽창 계수를 나타내고, +FD는 상기 사파이어 기판의 +방향 최대 변형 허용 값을 나타내며, -FD는 상기 사파이어 기판의 -방향 최대 변형 허용 값을 나타내고, TH는 상기 박막의 두께를 나타내며, 는 상기 박막이 형성되는 공정온도와 상온과의 차이값을 나타내고, a 내지 h는 미리 정해진 상수 값을 나타내는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조 방법
9 9
삭제
10 10
제8항에 있어서, 상기 사파이어 기판의 직경이 2인치인 경우상기 박막의 목표 두께가 2㎛이면, 상기 박막은 -5
11 11
제8항에 있어서, 상기 사파이어 기판의 직경이 4인치인 경우,상기 박막의 목표 두께가 2㎛이면, 상기 박막은 -2
12 12
제8항에 있어서, 상기 사파이어 기판의 직경이 6인치인 경우,상기 박막의 목표 두께가 2㎛이면, 상기 박막은 -2
13 13
제8항에 있어서, 상기 제2 GaN계 반도체층 형성 단계 이후에,상기 제1 GaN계 반도체층이 노출될 때까지 상기 활성층 및 상기 제2 GaN계 반도체층의 일부를 식각 하는 단계; 및상기 활성층 및 상기 제2 GaN계 반도체층이 형성되지 않은 상기 제1 GaN계 반도체층 상에 제1 전극을 형성하고, 상기 제2 GaN계 반도체층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조 방법
14 14
제8항에 있어서, 상기 제2 GaN계 반도체층 형성 단계 이후에,상기 제2 GaN계 반도체층 상에 제1 전극을 형성하는 단계;상기 제1 전극 상에 금속 재질의 구조 지지층을 형성하는 단계;상기 제1 GaN계 반도체층으로부터 상기 사파이어 기판을 분리하여 상기 제1 GaN계 반도체층의 표면을 노출시키는 단계; 및상기 노출된 제1 GaN계 반도체층의 표면에 제2 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조 방법
15 15
삭제
16 16
사파이어 기판의 상면 상에 제1 GaN계 반도체층을 형성하는 단계;상기 사파이어 기판의 변형 여부를 판단하는 단계;상기 사파이어 기판이 변형된 것으로 판단되면, 상기 사파이어 기판의 하면에 미리 정해진 물질을 이용하여 박막을 형성하는 단계;상기 제1 GaN계 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계;상기 활성층 상에 제2 GaN계 반도체층을 형성하는 단계; 상기 제1 GaN계 반도체층이 노출될 때까지 상기 활성층 및 상기 제2 GaN계 반도체층의 일부를 식각 하는 단계; 및상기 활성층 및 상기 제2 GaN계 반도체층이 형성되지 않은 상기 제1 GaN계 반도체층 상에 제1 전극을 형성하고, 상기 제2 GaN계 반도체층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 사파이어 기판의 변형 여부 판단은, 상기 제1 GaN계 반도체층이 형성된 상기 사파이어 기판이 안착되는 스테이지의 표면에서 상기 제1 GaN계 반도체층 표면의 제1 지점까지의 높이와 상기 스테이지 표면에서 상기 제1 GaN계 반도체층 표면의 제2 지점까지의 높이의 차이값이 임계값 이상인 경우 상기 사파이어 기판이 변형된 것으로 판단하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조 방법
17 17
제16항에 있어서,상기 박막은 사파이어의 열팽창 계수보다 열팽창 계수가 작은 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조 방법
18 18
삭제
19 19
제16항에 있어서, 상기 사파이어 기판의 변형여부 판단 단계 이후에,사파이어 기판의 하면에 적어도 하나의 홈을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.