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제1 유리 기판;상기 제1 유리 기판 상에 순차적으로 증착되는 하부 통전극 및 유전층;상기 유전층 상에 증착되는 패턴 전극막을 에칭하여 투광부 및 차광부가 형성되는 패턴 전극; 및상기 투광부 및 상기 차광부 상에 순차적으로 증착되는 액정층, 상부 통전극 및 제2 유리 기판;을 구비하고, 상기 패턴 전극은 영역별로 상이한 폭을 가지도록 형성되며,상기 액정층은 상기 상부 통전극 및 상기 하부 통전극에 수평 전계를 인가하면 수평 스위칭이 발생하여 내부의 액정분자들이 초기 수직 배향 상태에서 전계 방향으로 향하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자
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제 1 항에 있어서,상기 액정층은상기 수평 전계를 제거하면 이완되어 2π-homeotropic focal conic 상태로 전이되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자
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제 4 항에 있어서,상기 액정층은상기 상부 통전극 및 상기 하부 통전극에 수직 전계를 인가하면 수직 스위칭이 발생하여 상기 내부의 액정분자들이 상기 초기 수직 배향 상태로 복귀하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자
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제 1 항에 있어서,상기 패턴 전극의 형상은상기 수평 전계의 크기에 따라 영역별로 상기 액정분자들의 거동을 제어하여 메모리 모드의 그레이 스케일을 조절하게 하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자
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제 6 항에 있어서,상기 수평 전계가저전압인 경우에는 상기 패턴 전극의 패턴간 거리가 가까운 영역에서부터 전이가 발생하고, 고전압인 경우에는 상기 패턴 전극의 패턴간 거리가 먼 영역까지 전이가 발생하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자
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(a)제1 유리 기판 상에 하부 통전극, 유전층 및 패턴 전극막을 순차적으로 증착하는 단계;(b)상기 패턴 전극막 상에 레지스트막을 형성하고 노광을 수행하여 감광시키는 단계; (c)상기 레지스트막을 현상하여 차광부의 형성 예정 영역을 덮는 레지스트 패턴을 형성하는 단계;(d)상기 레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 패턴 전극막을 에칭하여 투광부 및 상기 차광부를 구비한 패턴 전극을 형성하는 단계; 및(e)상기 투광부 및 상기 차광부 상에 액정층, 상부 통전극 및 제2 유리 기판을 순차적으로 증착하는 단계;를 포함하고, 상기 패턴 전극은 영역별로 상이한 폭을 가지도록 형성되며,상기 액정층은 상기 상부 통전극 및 상기 하부 통전극에 수평 전계를 인가하면 수평 스위칭이 발생하여 내부의 액정분자들이 초기 수직 배향 상태에서 전계 방향으로 향하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 패턴 전극의 형상은상기 상부 통전극 및 상기 하부 통전극에 인가되는 수평 전계의 크기에 따라 영역별로 상기 액정분자들의 거동을 제어하여 메모리 모드의 그레이 스케일을 조절하게 하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 수평 전계가저전압인 경우에는 상기 패턴 전극의 패턴간 거리가 가까운 영역에서부터 전이가 발생하고, 고전압인 경우에는 상기 패턴 전극의 패턴간 거리가 먼 영역까지 전이가 발생하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 (c)단계는현상액을 스프레이 방식에 의해 상기 레지스트막에 공급하여 현상하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 하부 통전극은 120℃ 내지 140℃에서 증착되고, 가시영역 투과율이 90% 내지 95%인 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 패턴전극은 85℃ 내지 90℃에서 증착되고, 두께가 20 내지 50nm이며, 가시영역 투과율이 90% 내지 95%인 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 상부 통전극은 120℃ 내지 140℃에서 증착되고, 두께가 50nm 내지 60nm이며, 가시영역 투과율이 90% 내지 95%인 것을 특징으로 하는 액정 표시 소자의 제조 방법
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