맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

산화물 반도체 나노섬유-나노막대 혼성 구조체 및 이를 이용한 환경 가스 센서

  • 기술번호 : KST2017004518
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 환경가스 센서는 절연기판, 절연 기판 상부에 형성된 금속 전극, 및 금속 전극 상부에 형성된 산화물 반도체 나노섬유-나노막대 혼성 구조체의 감지층을 포함한다. 따라서 산화물 반도체 나노섬유 표면에 특정 가스에 고감응성을 갖는 산화물 나노막대를 형성하여 가스반응 비표면적을 극대화함으로써 초고감도, 고선택성, 고응답성, 장기안정성 및 저전력의 우수한 특성을 가질 수 있다.
Int. CL B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100023616 (2010.03.17)
출원인 한국전자통신연구원, 부산대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1335682-0000 (2013.11.26)
공개번호/일자 10-2011-0104630 (2011.09.23) 문서열기
공고번호/일자 (20131203) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.17)
심사청구항수 17

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 부산대학교 산학협력단 대한민국 부산광역시 금정구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이수재 대한민국 대전광역시 유성구
2 조채룡 대한민국 경상남도 밀양시

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
2 부산대학교 산학협력단 부산광역시 금정구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0168234-09
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.04.30 수리 (Accepted) 9-1-2013-0030748-75
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0373761-52
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0692095-54
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0692134-47
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0802314-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000027-56
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.01.13 수리 (Accepted) 4-1-2016-5004891-78
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004005-98
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2017-5004797-18
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화물 반도체 나노섬유; 및상기 산화물 반도체 나노섬유 표면상에 형성되는 산화물 반도체 나노막대를 포함하고,상기 산화물 반도체 나노섬유 및 상기 산화물 반도체 나노막대는 이종의 산화물 반도체로 구성되는 산화물 반도체 나노섬유-나노막대 혼성 구조체
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 산화물 반도체 나노섬유는 BaTiO3, 금속 도핑된 BaTiO3, SrTiO3, BaSnO3, ZnO, CuO, NiO, SnO2, TiO2, CoO, In2O3, WO3, MgO, CaO, La2O3, Nd2O3, Y2O3, CeO2, PbO, ZrO2, Fe2O3, Bi2O3, V2O5, VO2, Nb2O5, Co3O4 및 Al2O3로 이루어진 군에서 선택되는 산화물 반도체 나노섬유-나노막대 혼성 구조체
4 4
제1항에 있어서,상기 산화물 반도체 나노막대는 BaTiO3, 금속 도핑된 BaTiO3, SrTiO3, BaSnO3, ZnO, CuO, NiO, SnO2, TiO2, CoO, In2O3, WO3, MgO, CaO, La2O3, Nd2O3, Y2O3, CeO2, PbO, ZrO2, Fe2O3, Bi2O3, V2O5, VO2, Nb2O5, Co3O4 및 Al2O3로 이루어진 군에서 선택되는 산화물 반도체 나노섬유-나노막대 혼성 구조체
5 5
제1항에 있어서,상기 산화물 반도체 나노섬유는직경이 1 nm 내지 100 nm인 산화물 반도체 나노섬유-나노막대 혼성 구조체
6 6
제1항에 있어서,상기 산화물 반도체 나노막대는 직경이 1 nm 내지 100 nm 이고, 길이가 1 nm 내지 100 nm 인 산화물 반도체 나노섬유-나노막대 혼성 구조체
7 7
절연기판;상기 절연 기판 상부에 형성된 금속 전극; 및상기 금속 전극 상부에 형성된 산화물 반도체 나노섬유-나노막대 혼성 구조체의 감지층을 포함하는 환경가스 센서
8 8
제7항에 있어서,상기 절연 기판은 산화물 단결정 기판, 세라믹 기판, 실리콘 반도체 기판, 또는 유리기판인 환경가스 센서
9 9
제8항에 있어서,상기 절연 기판은Al2O3, MgO, SrTiO3, 석영(Quartz), SiO2/Si로 이루어진 군에서 선택되는 물질로 이루어진환경가스 센서
10 10
제7항에 있어서,상기 절연기판 상부에 금속 전극과 동일한 소재로 형성되는 전극 패드를 더 포함하는 환경가스 센서
11 11
제7항에 있어서, 상기 금속 전극은 Pt, Pd, Ag, Au, Ti, Cr, Al, Cu, Sn, In으로 이루어진 군에서 적어도 하나 선택되는환경가스 센서
12 12
제7항에 있어서,상기 감지층을 구성하는 산화물 반도체 나노섬유-나노막대 혼성구조체는BaTiO3, 금속 도핑된 BaTiO3, SrTiO3, BaSnO3, ZnO, CuO, NiO, SnO2, TiO2, CoO, In2O3, WO3, MgO, CaO, La2O3, Nd2O3, Y2O3, CeO2, PbO, ZrO2, Fe2O3, Bi2O3, V2O5, VO2, Nb2O5, Co3O4 및 Al2O3로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 2개의 물질로 구성되는 환경가스 센서
13 13
제7항에 있어서,상기 산화물 반도체 나노섬유는 상기 금속전극이 형성된 절연기판상에 전기방사법으로 제조되고, 상기 산화물 반도체 나노막대는 물리적 또는 화학적 성장법으로 제조되는 환경가스 센서
14 14
제7항에 있어서,상기 산화물 반도체 나노섬유는 직경이 1 nm 내지 100 nm 인 환경가스 센서
15 15
제7항에 있어서,상기 산화물 반도체 나노막대는 직경이 1 nm 내지 100 nm, 길이가 1nm 내지100 nm 인 환경가스 센서
16 16
제7항에 있어서,상기 금속 전극과 동일평면 상에 또는 배면에 형성되어 있는 마이크로 박막 히터를 더 포함하는 환경가스 센서
17 17
금속 산화물 전구체, 폴리머 고분자와 용매(solvent)를 혼합하여 복합용액을 제조하는 단계;상기 복합용액을 전기 방사법으로 방사한 후, 열처리하여 산화물 반도체 나노섬유를 형성하는 단계; 및상기 금속 산화물 반도체 나노섬유 표면에 물리적 또는 화학적 증착법을 이용하여 상기 산화물 반도체 나노섬유와 이종의 산화물 반도체로 구성된 산화물 나노막대를 형성하는 단계를 포함하는 산화물 반도체 나노섬유-나노막대 혼성 구조체의 제조방법
18 18
제17항에 있어서,상기 복합용액을 전기 방사법으로 방사한 후, 열처리하여 산화물 반도체 나노섬유를 형성하는 단계는상기 복합용액을 전기방사법으로 방사하여 산화물/폴리머 복합섬유를 형성하는 단계;상기 복합섬유를 열처리하여 용매를 휘발시키는 단계; 및열처리된 상기 복합섬유를 고온에서 다시 열처리하여 산화물 반도체 나노섬유를 형성하는 단계를 포함하는 산화물 반도체 나노섬유-나노막대 혼성 구조체의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20110227061 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2011227061 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.