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박막 트랜지스터 및 화소 전극을 포함하는 하부 기판과;상기 하부 기판과 마주보며 공통 전극을 포함하는 상부 기판과;상기 상부 기판 및 상기 하부 기판 사이에 형성된 액정과;상기 상부 기판 및 상기 하부 기판 상에 SiOCx (단, 0
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제1항에 있어서,상기 배향막은 30nm ~ 500nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널
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제1항에 있어서,상기 배향막에 의해 액정 배열 방향은 85˚~90˚ 범위의 프리틸트 각을 가지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널
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제1항에 있어서,상기 배향막은 1015 ~3*1015 범위의 비저항치를 가지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널
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제1항에 있어서,상기 배향막은 83% ~ 85% 범위의 투과 특성을 가지는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널
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공통 전극이 포함된 상부 기판을 형성하는 단계와;상기 상부 기판과 마주보고, 박막 트랜지스터 및 화소 전극이 포함된 하부 기판을 형성하는 단계와;상기 상부 기판 및 상기 하부 기판 상에 SiOCx (단, 0
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제8항에 있어서,상기 배향막은 30nm ~ 500nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 배향막 증착 공정시 30˚~400˚ 범위의 온도로 증착하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 배향막은 프리틸트 각이 85˚~90˚ 범위인 액정 배열 방향을 형성하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 배향막 상에 이온빔 시스템을 이용하여 액정 배열 방향을 변화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 배향막 상에 이온빔 시스템을 이용하여 액정 배열 방향을 형성하는 단계는상기 배향막 상에 이온빔을 조사하는 단계와;상기 이온빔에 의해 배향막 상에 액정을 배열하는 배향 방향이 정의되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 배향막 상에 이온빔의 입사각은 20˚~ 90˚범위 내로 조사하는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 이온빔의 입사각에 의해 배향막의 배열 방향은 79˚~ 90˚ 범위의 액정 배향이 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널의 제조 방법
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