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초박형 실리콘 태양전지를 위한 비대칭적 나노격자 구조 및 이의 제조방법(ASYMMETRIC NANO GRID STRUCTURE FOR ULTRA-SLIM SILICON SOLAR CELLS, THE MANUFACTURING METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2017005292
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 초박형 실리콘 태양전지를 위한 비대칭적 나노격자 구조는 경사 증착법에 의해 대칭형 나노격자를 갖는 실리콘을 소정 각도만큼 경사지게 위치시킨 후, 실리콘 후면에 유전체를 증착시켜 실리콘과 유전체의 복합체 형태의 비대칭적 나노격자 구조를 갖도록 하되, 실리콘의 전면에 유전체의 나노콘 형태의 무반사막을 배치시켜 전기적인 손실을 저감하면서 동시에 광포집 효과를 극대화할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/0445 (2014.01.01) H01L 31/0216 (2014.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/0445(2013.01) H01L 31/0445(2013.01) H01L 31/0445(2013.01) H01L 31/0445(2013.01) H01L 31/0445(2013.01)
출원번호/일자 1020150121950 (2015.08.28)
출원인 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0025471 (2017.03.08) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.08.28)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김인호 대한민국 서울특별시 성북구
2 김원목 대한민국 서울특별시 성북구
3 이욱성 대한민국 서울특별시 성북구
4 이경석 대한민국 서울특별시 성북구
5 이택성 대한민국 서울특별시 성북구
6 정두석 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장한특허법인 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, **층 (서초동, 서초지웰타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0838929-87
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.01.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.02.05 수리 (Accepted) 9-1-2016-0006630-93
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.03.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0203782-62
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.05.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0483138-21
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2017-0483133-04
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0657227-14
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2017.10.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-1035686-12
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2017-1035678-57
10 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee		 2017.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0155202-90
11 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2017.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0807023-37
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번호 청구항
1 1
반사부(100); 상기 반사부(100)의 상부로 형성된 실리콘(300);상기 반사부(100)에 상기 실리콘(300)이 이격 형성됨에 따라 형성되는 스페이서(200);상기 실리콘(300)의 후면에 증착된 유전체(400); 및 상기 실리콘(300)의 전면에 형성된 무반사막(500);을 포함하는 초박형 실리콘 태양전지를 위한 비대칭적 나노격자 구조에 있어서,경사 증착법에 의해 평면을 바라보았을 때 좌·우 및 상·하 방향으로 대칭형 나노격자를 갖는 상기 실리콘(300)을 소정 각도만큼 경사지게 위치시킨 후, 상기 실리콘(300) 후면에 상기 유전체(400)를 증착시켜 상기 실리콘(300)과 상기 유전체(400)의 복합체 형태의 좌·우 및 상·하 방향으로 비대칭적 나노격자 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 태양전지를 위한 비대칭적 나노격자 구조
2 2
제 1항에 있어서,상기 나노격자는 주기적 또는 비주기적이며, 주기적인 경우 주기가 300nm ~ 1000nm인 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 태양전지를 위한 비대칭적 나노격자 구조
3 3
제 1항에 있어서, 상기 유전체(400)의 굴절율은 1
4 4
제1항에 있어서, 경사지게 위치되는 상기 실리콘(300)의 경사각도에 따라 상기 나노격자의 형태를 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 태양전지를 위한 비대칭적 나노격자 구조
5 5
삭제
6 6
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 실리콘(300)의 전면에 배치되는 상기 무반사막(500)은 유전체 다층박막, 실리콘 나노콘, 또는 유전체 다층박막이 코팅된 실리콘 나노콘인 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 태양전지를 위한 비대칭적 나노격자 구조
7 7
제 6항에 있어서, 상기 나노콘은 주기적 또는 비주기적이며, 주기적인 경우 주기가 1000nm이하이며, 높이가 1000nm이하인 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 태양전지를 위한 비대칭적 나노격자 구조
8 8
제 6항에 있어서, 상기 나노콘의 굴절율은 2
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국과학기술연구원 에너지기술개발사업 이온주입법을 이용한 고효율 결정형 실리콘 태양전지용 두께 50미크론 이하 초박형 웨이퍼 제조기술