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투명 기판; 상기 투명 기판의 제 1 면의 상부에 형성된 제 1 후면전극;상기 제 1 후면전극의 상부에 형성되고 Mo(SexS1-x)2층을 포함하는 제 2 후면전극;상기 제 2 후면전극층 상에 셀레늄(Se) 또는 황(S)을 포함하는 광흡수층; 상기 광흡수층의 상부에 형성된 투명전극층; 및 상기 광흡수층의 일부가 제거된 레이저 스크라이빙 패턴을 포함하고, 상기 제 2 후면전극은 Mo(SexS1-x)2층 하부에 몰리브데늄층이 2nm 이하의 두께로 형성된 것인,씨스루형 박막 태양전지 모듈
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 후면전극의 두께는 1nm 내지 5nm 범위를 가지는, 씨스루형 박막 태양전지 모듈
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제 1 항에 있어서, 상기 레이저 스크라이빙 패턴의 바닥면에는 Mo(SexS1-x)2층이 존재하는,씨스루형 박막 태양전지 모듈
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제 1 항에 있어서, 상기 레이저 스크라이빙 패턴은, 광 발전 영역의 적어도 일부에 상기 광흠수층 및 상기 투명전극층을 제거한 씨쓰루 어레이 패턴을 포함하는, 씨스루형 박막 태양전지 모듈
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제 1 항에 있어서,상기 Mo(SexS1-x)2층은 층상 구조를 가지는 것인, 씨스루형 박막 태양전지 모듈
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제 1 항에 있어서, 상기 Mo(SexS1-x)2층은 몰리브데늄(Mo)층이 셀레늄(Se) 또는 황(S)과 반응하여 형성된 것이거나 혹은 증착법에 의해 형성된 것인, 씨스루형 박막 태양전지 모듈
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 후면전극은 인듐의 산화물, 아연의 산화물 및 주석의 산화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 투명전도성산화물(TCO), TCO와 금속필름 또는 나노와이어층과 TCO로 구성된 다층구조 투명전극 및 그래핀, 카본나노튜브 중 적어도 어느 하나를 포함하는 카본소재가 분산된 투명전극 중에서 선택된 하나의 물질을 포함하는,씨스루형 박막 태양전지 모듈
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제 1 항에 있어서,상기 투명전극층은 F-doped SnOx, (H, Mo, W)-doped InOx, Al-doped ZnOx, In-doped ZnOx, Ga-doped ZnOx, B-doped ZnOx, Ag nanowire, graphene, carbon nanotube, Ag, Mg:Ag 합금, Au 및 OMO(metal oxide/thin metal/metal oxide) 구조의 전극재료 중 어느 하나를 포함하는,씨스루형 박막 태양전지 모듈
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투명 기판의 제 1 면 상에 투명한 제 1 후면전극을 형성하는 단계;상기 제 1 후면전극 상에 몰리브데늄(Mo)층을 제 2 예비후면전극으로 형성하는 단계;상기 제 1 후면전극 및 제 2 예비후면전극의 이중층을 분리하기 위해 제 1 레이저 스크라이빙을 수행하는 단계;상기 제 2 후면전극 상에 셀레늄(Se) 또는 황(S)을 포함하는 광흡수층을 형성하되, 상기 광흡수층을 형성하기 위해서 수행되는 셀렌화 또는 황화 과정 중에 상기 몰리브데늄(Mo)을 상기 셀레늄(Se) 또는 황(S)과 반응시켜 전부 Mo(SexS1-x)2로 변환되게 하거나 혹은 Mo(SexS1-x)2층 하부에 잔존하는 몰리브데늄(Mo)의 두께가 2nm 이하가 되도록 변환되게 하여 제 2 후면전극을 형성하는 단계;상기 광흡수층을 분리하기 위해 제 2 레이저 스크라이빙을 수행하는 단계;상기 광흡수층 상에 투명전극층을 형성하는 단계;상기 광흡수층 및 상기 투명전극층을 분리하기 위해 상기 제 3 레이저 스크라이빙을 수행하는 단계; 및광 발전 영역에 형성된 상기 광흡수층 및 상기 투명전극층의 일부 영역을 제거하여 씨스루 어레이 패턴인 제 4 레이저 스크라이빙 패턴을 형성하는 제 4 레이저 스크라이빙을 수행하는 단계를 포함하는,씨스루형 박막 태양전지 모듈의 제조방법
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투명 기판의 제 1 면 상에 투명한 제 1 후면전극을 형성하는 단계;상기 제 1 후면전극 상에 Mo(SexS1-x)2층으로 이루어진 제 2 후면전극을 형성하는 단계;상기 제 1 후면전극 및 제 2 후면전극의 이중층을 분리하기 위해 제 1 레이저 스크라이빙을 수행하는 단계;상기 제 2 후면전극 상에 셀레늄(Se) 또는 황(S)을 포함하는 광흡수층을 형성하는 단계;상기 광흡수층을 분리하기 위해 제 2 레이저 스크라이빙을 수행하는 단계;상기 광흡수층 상에 투명전극층을 형성하는 단계; 및상기 광흡수층 및 상기 투명전극층을 분리하기 위해 상기 제 3 레이저 스크라이빙을 수행하는 단계; 및 광 발전 영역에 형성된 상기 광흡수층 및 상기 투명전극층의 일부 영역을 제거하여 씨스루 어레이 패턴인 제 4 레이저 스크라이빙 패턴을 형성하는 제 4 레이저 스크라이빙을 수행하는 단계를 포함하는,씨스루형 박막 태양전지 모듈의 제조방법
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제 10 항에 있어서, 상기 Mo(SexS1-x)2층은 물리적 증착 방법(PVD), 화학적 증착 방법(CVD) 및 원자층 증착법(ALD) 중 어느 하나의 방법으로 형성된 것인, 씨스루형 박막 태양전지 모듈의 제조방법
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제 9 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 제 2 스크라이빙을 수행하는 단계는, 상기 Mo(SexS1-x)2층 상부의 광흡수층은 제거되고 상기 Mo(SexS1-x)2층은 잔존하게 하는, 씨스루형 박막 태양전지 모듈의 제조방법
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제 9 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 제 3 및 제 4 레이저 스크라이빙을 수행하는 단계는, 상기 Mo(SexS1-x)2층 상부의 광흡수층 및 투명전극층은 제거되고 상기 Mo(SexS1-x)2층은 잔존하게 하는, 씨스루형 박막 태양전지 모듈의 제조방법
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제 9 항에 있어서, 상기 제 2 예비후면전극은 0
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제 9 항 또는 10 항에 있어서, 상기 제 2 후면전극은 1nm 내지 5nm의 두께 범위로 형성되는,씨스루형 박막 태양전지 모듈의 제조방법
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제 9 항 또는 제 10 항에 있어서, 상기 광흡수층 상에 버퍼층 및 고저항 윈도우층 중 적어도 어느 하나의 층을 증착하는 단계를 더 포함하고,상기 적어도 어느 하나의 층은 상기 레이저 스크라이빙 수행시 상기 광흡수층과 함께 제거되는,씨스루형 박막 태양전지 모듈의 제조방법
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