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초전도체를 생성하는 방법(METHOD FOR MANUFACTURING SUPERCONDUCTOR)

  • 기술번호 : KST2017005389
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 초전도체를 생성하는 방법은 (a) 복수의 초전도 입자를 생성하는 단계; (b) 상기 복수의 초전도 입자를 인접시킴으로써 기 정의된 형상을 생성하는 단계; 및 (c) 상기 복수의 초전도 입자에 열을 가하여 상기 인접한 상기 초전도 입자를 서로 결합시킴으로써, 3차원 상에 배치된 자속 고정점을 갖는 상기 형상의 초전도체를 생성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01B 12/02 (2006.01.01) H01B 12/14 (2006.01.01) H01B 13/00 (2006.01.01) H01B 13/06 (2006.01.01)
CPC H01B 12/06(2013.01) H01B 12/06(2013.01) H01B 12/06(2013.01) H01B 12/06(2013.01)
출원번호/일자 1020150122474 (2015.08.31)
출원인 기초과학연구원, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0026863 (2017.03.09) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020170162085;
심사청구여부/일자 Y (2015.08.31)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 기초과학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이진환 대한민국 대전광역시 유성구
2 야니스 세메르치디스 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 제일특허법인(유) 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 기초과학연구원 대전광역시 유성구
2 한국과학기술원 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.08.31 수리 (Accepted) 1-1-2015-0841987-96
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.09.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0642536-32
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2016-1080828-19
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.12.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1197363-01
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2016-1197362-55
6 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2017.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0158985-88
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.04.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-0402564-36
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2017-0525342-14
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.07.03 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0634909-14
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.07.03 수리 (Accepted) 1-1-2017-0634908-79
11 등록결정서
Decision to grant		 2017.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0809146-91
12 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2017.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-1193383-55
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2018-5013866-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
비초전도 물질 또는 빈 공동(void)이 내부에 배치된 코어; 및상기 코어를 둘러싸는 초전도 물질로 이루어지는 외곽쉘을 포함하는 초전도 구조체를 복수 개 포함하며,상기 복수 개의 초전도 구조체 각각의 외곽쉘은 인접한 초전도 구조체의 외곽쉘과 전기적으로 결합된초전도체
2 2
제 1 항에 있어서,상기 코어는 자속 고정점으로 작용하는초전도체
3 3
제 1 항에 있어서,상기 비초전도 물질은 강자성체, 반강자성체, 상자성체 또는 비자성체 중 어느 하나인초전도체
4 4
비초전도 물질 또는 빈 공동(void)이 내부에 배치된 코어;상기 코어를 둘러싸는 초전도 물질로 이루어지는 외곽쉘; 및상기 코어와 상기 외곽쉘 사이에 배치되는 절연층을 포함하는 초전도 구조체를 복수 개 포함하며,상기 복수 개의 초전도 구조체 각각의 외곽쉘은 인접한 초전도 구조체의 외곽쉘과 전기적으로 결합된초전도체
5 5
비초전도 물질 또는 빈 공동(void)이 내부에 배치된 코어; 및상기 코어를 둘러싸는 초전도 물질로 이루어지는 외곽쉘을 포함하는 초전도 구조체를 복수 개 포함하며,상기 복수 개의 초전도 구조체 각각의 외곽쉘은 인접한 초전도 구조체의 외곽쉘과 전기적으로 결합되되, 상기 전기적 결합은 원자 간의 금속 결합인초전도체
6 6
제 1 항에 있어서,상기 외곽쉘은적어도 2종류 이상의 물질이 교번하여 형성된초전도체
7 7
제 6 항에 있어서,상기 적어도 2종류 이상의 물질은,(Nb, Ti) 또는 (Nb,Sn)의 2종류이거나;(Y, Ba, Co) 또는 (Sm, Ba, Co)의 3종류 인초전도체
8 8
비초전도 물질 또는 빈 공동(void)이 내부에 배치된 코어; 및상기 코어를 둘러싸는 초전도 물질로 이루어지는 외곽쉘을 포함하는 초전도 구조체를 복수 개 포함하며,상기 복수 개의 초전도 구조체 각각의 외곽쉘은 인접한 초전도 구조체의 외곽쉘과 전기적으로 결합되고,상기 초전도 구조체 사이에는,자속 고정점으로 작용하는 틈이 존재하는초전도체
9 9
제 1 항에 있어서,상기 복수 개의 초전도 구조체 각각은서로 동일한 크기를 갖는초전도체
10 10
(a) 비초전도 물질 또는 빈 공동(void)이 내부에 배치된 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 초전도 물질로 이루어지는 외곽쉘을 포함하는 초전도 구조체를 복수 개 준비하는 단계; 및(b) 상기 복수 개의 초전도 구조체 각각의 외곽쉘을 인접한 초전도 구조체의 외곽쉘과 전기적으로 결합시킴으로써 초전도체를 생성하는 단계를 포함하는초전도체를 생성하는 방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 복수 개의 초전도 구조체를 인접 배치시킴으로써 기 정의된 형상을 형성하는 단계를 더 포함하는초전도체를 생성하는 방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 형성하는 단계는,빈 공간을 갖는 틀에 대해서, 상기 빈 공간에 상기 복수 개의 초전도 구조체를 주입하여 인접 배치시킴으로써 상기 기 정의된 형상을 형성하는초전도체를 생성하는 방법
13 13
제 11 항에 있어서,상기 형성하는 단계는,상기 복수 개의 초전도 구조체를 노즐(nozzle)로부터 분출시키고, 상기 분출된 복수 개의 초전도 구조체를 기판(substrate) 상에 인접 배치시킴으로써 상기 기 정의된 형상을 형성하는초전도체를 생성하는 방법
14 14
제 11 항에 있어서,상기 형성하는 단계는,상기 복수 개의 초전도 구조체를 기 정의된 패턴에 대응되는 개구부를 갖는 제1 기판에 통과시키고, 상기 통과된 복수 개의 초전도 구조체를 제2 기판 상에 인접 배치된 상태로 도포시킴으로써 상기 기 정의된 형상을 형성하는초전도체를 생성하는 방법
15 15
제 10 항에 있어서,상기 코어는 자속 고정점으로 작용하는초전도체를 생성하는 방법
16 16
제 10 항에 있어서,상기 비초전도 물질은 강자성체, 반강자성체, 상자성체 또는 비자성체 중 어느 하나인초전도체를 생성하는 방법
17 17
(a) 비초전도 물질 또는 빈 공동(void)이 내부에 배치된 코어, 상기 코어를 둘러싸는 초전도 물질로 이루어지는 외곽쉘 및 상기 코어와 상기 외곽쉘 사이에 배치되는 절연층을 포함하는 초전도 구조체를 복수 개 준비하는 단계; 및(b) 상기 복수 개의 초전도 구조체 각각의 외곽쉘을 인접한 초전도 구조체의 외곽쉘과 전기적으로 결합시킴으로써 초전도체를 생성하는 단계를 포함하는초전도체를 생성하는 방법
18 18
(a) 비초전도 물질 또는 빈 공동(void)이 내부에 배치된 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 초전도 물질로 이루어지는 외곽쉘을 포함하는 초전도 구조체를 복수 개 준비하는 단계; 및(b) 상기 복수 개의 초전도 구조체 각각의 외곽쉘을 인접한 초전도 구조체의 외곽쉘과 전기적으로 결합시킴으로써 초전도체를 생성하는 단계를 포함하며,상기 전기적 결합은원자 간의 금속 결합인초전도체를 생성하는 방법
19 19
(a) 비초전도 물질 또는 빈 공동(void)이 내부에 배치된 코어 및 상기 코어를 둘러싸는 초전도 물질로 이루어지는 외곽쉘을 포함하는 초전도 구조체를 복수 개 준비하는 단계; 및(b) 상기 복수 개의 초전도 구조체 각각의 외곽쉘을 인접한 초전도 구조체의 외곽쉘과 전기적으로 결합시킴으로써 초전도체를 생성하는 단계를 포함하며상기 전기적 결합은 열처리에 의하여 이루어지는초전도체를 생성하는 방법
20 20
제 10 항에 있어서,상기 외곽쉘은적어도 2종류 이상의 물질이 교번하여 형성된초전도체를 생성하는 방법
21 21
제 20 항에 있어서,상기 적어도 2종류 이상의 물질은,(Nb, Ti) 또는 (Nb,Sn)의 2종류이거나;(Y, Ba, Co) 또는 (Sm, Ba, Co)의 3종류 인초전도체를 생성하는 방법
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1 WO2017039078 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국표준과학연구원 측정과학우수연구센터(MRC)사업 초고해상도 터널링 스팩트럼 측정센터
2 교육과학기술부 한국연구재단 미래유망융합기술 파이오니어사업 고상화 생분자를 위한 초저온 원자현미경 개발
3 교육과학기술부 한국연구재단 일반연구자지원사업 저온 고자기장 STM을 이용한 철계열 초전도체의 연구
4 교육과학기술부 한국연구재단 일반연구자지원사업 배면전극 그래핀 pn접합을 활용한 Veselago 렌즈 효과의 저온 주사 터널링
5 미래창조과학부 기초과학연구원 기초과학연구원연구운영비지원사업 액시온 및 극한상호작용 연구