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유전성 조성물 및 이를 포함하는 전자 소자(Dielectric composition and electronic device including the same)

  • 기술번호 : KST2017006207
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 폴리이미드계 고분자 매트릭스; 강유전성 무기 입자; 및 폴리이미드계 고분자로 표면이 코팅된 것을 특징으로 하는 전도성 유기 필러;를 포함하고, 상기 강유전성 무기 입자 및 전도성 유기 필러는 고분자 매트릭스에 분산된 것을 특징으로 하는 유전성 조성물을 제공한다. 본 발명에 따른 유전성 조성물은 높은 유전율과 낮은 유전 손실뿐만 아니라, 낮은 누설 전류 밀도를 가지는 효과가 있다. 또한, 본 발명에 따른 유전성 조성물을 임베디드 커패시터 또는 박막 트랜지스터의 절연체층으로 적용하는 경우 우수한 성능을 나타낼 수 있다.
Int. CL C08L 79/08 (2015.10.23) C08K 3/22 (2015.10.23) C08K 9/04 (2015.10.23) C08L 101/12 (2015.10.23) C08J 5/18 (2015.10.23) H01G 4/018 (2015.10.23) H01L 29/786 (2015.10.23)
CPC C08L 79/08(2013.01) C08L 79/08(2013.01) C08L 79/08(2013.01) C08L 79/08(2013.01) C08L 79/08(2013.01) C08L 79/08(2013.01) C08L 79/08(2013.01)
출원번호/일자 1020150130098 (2015.09.15)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0032910 (2017.03.24) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.09.15)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김윤호 대한민국 대전광역시 유성구
2 원종찬 대한민국 대전광역시 서구
3 김용석 대한민국 대전광역시 유성구
4 김병각 대한민국 대전광역시 서구
5 박노균 대한민국 대전광역시 서구
6 윤현우 대한민국 경상북도 칠곡군
7 복창숙 대한민국 충청남도 청양군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.09.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-0894450-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0013454-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0858650-94
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-0094984-17
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.01.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0095075-08
7 등록결정서
Decision to grant		 2017.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0380741-52
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
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번호 청구항
1 1
폴리이미드계 고분자 매트릭스 22
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 유전성 조성물은 필름 형태인 것을 특징으로 하는 유전성 조성물
7 7
폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리티오펜, 폴리페닐렌, 폴리페닐렌비닐렌, 폴리페닐렌설파이드 및 폴리아세틸렌으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 전도성 유기 필러 표면에 폴리아믹산을 코팅하여 복합 입자를 제조하는 단계(단계 1);상기 복합 입자에 아민과 산무수물을 첨가하여 폴리아믹산을 폴리이미드로 전환시켜 폴리이미드계 고분자로 표면이 코팅된 것을 특징으로 하는 전도성 유기 필러를 제조하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 제조된 폴리이미드계 고분자로 표면이 코팅된 것을 특징으로 하는 전도성 유기 필러 및 티탄산바륨계 산화물 입자를 폴리이미드계 고분자 매트릭스와 혼합하는 단계(단계 3);를 포함하는 제1항의 유전성 조성물의 제조방법
8 8
제1항의 유전성 조성물을 포함하는 커패시터
9 9
제8항에 있어서,상기 커패시터는 임베디드 형태인 것을 특징으로 하는 커패시터
10 10
기판, 게이트 전극, 절연층, 유기 반도체층 또는 금속 산화물 반도체층, 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하고, 상기 절연층은 제1항의 유전성 조성물을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국화학연구원 지식경제기술혁신사업 (RCMS) 고유전 복합체 기반 임베디드 기판용 박막 커패시터 개발