| 1 |
1
초박형 실리콘 웨이퍼 기반의 태양전지를 제조하는 방법에 있어서,핸들 웨이퍼 및 초박형 실리콘 웨이퍼를 접합하는 단계;상기 초박형 실리콘 웨이퍼 상에 도핑 소스층을 코팅하는 단계;상기 도핑 소스층을 패터닝하는 단계;상기 핸들 웨이퍼를 수랭하고, 상기 패터닝된 도핑 소스층 상에 후면에 반사판을 구비한 플래쉬 램프(flash lamp)로 빛을 조사하여 상기 초박형 실리콘 웨이퍼의 표면 온도를 상승시켜 도펀트를 상기 초박형 실리콘 웨이퍼 내부로 확산시키는 단계;상기 패터닝된 도핑 소스층을 제거하는 단계;상기 초박형 실리콘 웨이퍼 상에 패시베이션층을 형성하고, 상기 초박형 실리콘 웨이퍼의 상기 도펀트가 확산된 영역이 노출되도록 패터닝하는 단계; 및상기 도펀트가 확산된 영역 상에 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 태양전지 제조 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 도펀트는 n형 도펀트인 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 태양전지 제조 방법
|
| 3 |
3
제2항에 있어서,상기 n형 도펀트는 인(phosphorus)이고, 상기 도핑 소스층은 인 실리케이트 유리(phosphorus silicate glass)인 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 태양전지 제조 방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 도펀트는 p형 도펀트인 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 태양전지 제조 방법
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 p형 도펀트는 붕소(boron)이고, 상기 도핑 소스층은 붕소 실리케이트 유리(boro-silicate glass)인 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 태양전지 제조 방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 도핑 소스층을 코팅하는 것은 스핀 코팅, 스크린 코팅 및 스프레이 코팅으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 태양전지 제조 방법
|
| 7 |
7
초박형 실리콘 웨이퍼 기반의 태양 전지를 제조하는 방법에 있어서,핸들 웨이퍼 및 초박형 실리콘 웨이퍼를 접합하는 단계;상기 초박형 실리콘 웨이퍼 상에 제1 도핑 소스층을 코팅하는 단계;상기 제1 도핑 소스층을 패터닝하는 단계;상기 핸들 웨이퍼를 수랭하고, 상기 패터닝된 제1 도핑 소스층 상에 후면에 반사판을 구비한 플래쉬 램프(flash lamp)로 빛을 조사하여 상기 초박형 실리콘 웨이퍼의 표면 온도를 상승시켜 제1 도펀트를 상기 초박형 실리콘 웨이퍼 내부로 확산시키는 단계;상기 패터닝된 제1 도핑 소스층을 제거하는 단계;상기 초박형 실리콘 웨이퍼 상에 제2 도핑 소스층을 코팅하는 단계;상기 제2 도핑 소스층을 패터닝하는 단계;상기 핸들 웨이퍼를 수랭하고, 상기 패터닝된 제2 도핑 소스층 상에 후면에 반사판을 구비한 플래쉬 램프(flash lamp)로 빛을 조사하여 상기 초박형 실리콘 웨이퍼의 표면 온도를 상승시켜 제2 도펀트를 상기 초박형 실리콘 웨이퍼 내부로 확산시키는 단계;상기 패터닝된 제2 도핑 소스층을 제거하는 단계;상기 초박형 실리콘 웨이퍼 상에 패시베이션층을 형성하고, 상기 초박형 실리콘 웨이퍼의 상기 제1 및 제2 도펀트가 확산된 영역이 노출되도록 패터닝하는 단계; 및상기 제1 및 제2 도펀트가 확산된 영역 상에 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 태양전지 제조 방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 패터닝된 제2 도핑 소스층은 상기 초박형 실리콘 웨이퍼의 상기 제1 도펀트가 확산된 영역과 이격되어 배치되는 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 태양전지 제조 방법
|
| 9 |
9
제7항에 있어서,상기 제1 도펀트는 n형 도펀트이고, 상기 제2 도펀트는 p형 도펀트인 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 태양전지 제조 방법
|
| 10 |
10
제7항에 있어서,상기 제1 도펀트는 p형 도펀트이고, 상기 제2 도펀트는 n형 도펀트인 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 태양전지 제조 방법
|
| 11 |
11
제7항에 있어서,상기 제1 도펀트는 인(phosphorus)이고,상기 제1 도핑 소스층은 인 실리케이트 유리(phosphorus silicate glass)이고,상기 제2 도펀트는 붕소(boron)이고,상기 제2 도핑 소스층은 붕소 실리케이트 유리(boro-silicate glass)인 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 태양전지 제조 방법
|
| 12 |
12
제7항에 있어서,상기 제1 도펀트는 붕소(boron)이고,상기 제1 도핑 소스층은 붕소 실리케이트 유리(boro-silicate glass)이고,상기 제2 도펀트는 인(phosphorus)이고,상기 제2 도핑 소스층은 인 실리케이트 유리(phosphorus silicate glass)인 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 태양전지 제조 방법
|
| 13 |
13
제7항에 있어서,상기 제1 및 제2 도핑 소스층을 코팅하는 것은 스핀 코팅, 스크린 코팅 및 스프레이 코팅으로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 하나의 방법에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 태양전지 제조 방법
|
| 14 |
14
제1항 또는 제7항에 있어서,상기 플래쉬 램프의 펄스는 1 ms 미만인 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 태양전지 제조 방법
|
| 15 |
15
제1항 또는 제7항에 있어서,상기 플래쉬 램프로 빛을 조사하는 것은 산소 또는 질소 중 적어도 하나를 포함하는 가스 분위기의 확산로(diffusion furnace) 또는 벨트로(belt furnace)에서 수행되는 것을 특징으로 하는 초박형 실리콘 태양전지 제조 방법
|
