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메모리 시스템 및 메모리 에러 정정 방법(MEMORY SYSTEM AND ERROR CORRECTION METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2017006793
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 메모리 시스템 및 메모리 에러 정정 방법에 관한 것으로, 메모리 시스템은 적어도 하나의 메모리 칩을 포함하고, 상기 적어도 하나의 메모리 칩은, 복수의 제1 메모리 셀을 포함하는 데이터 비트 어레이, 복수의 제2 메모리 셀을 포함하고, 상기 데이터 비트 어레이 내 상기 제1 메모리 셀 중 불량 셀을 구제하는 제1 패리티 비트들을 상기 복수의 제2 메모리 셀에 저장하는 제1 패리티 어레이를 포함하는 뱅크(bank), 복수의 제3 메모리 셀을 포함하고, 상기 데이터 비트 어레이 내 상기 복수의 제1 메모리 셀들 중 불량 셀에 대한 위치 정보인 포지션 비트들을 저장하는 포지션 비트 어레이를 포함하는 포지션 비트 영역 및 상기 데이터 비트 어레이로부터 독출된 복수의 데이터 버스트를 포함하는 청크에 대하여 외부로부터 인가되는 주소와 상기 포지션 비트 영역로부터 독출된 포지션 비트를 비교하고, 상기 청크에 포함된 상기 복수의 데이터 버스트 중 하나의 오류 데이터 버스트를 검출하여 상기 검출된 데이터 버스트에 대한 제1 오류 정정을 수행하는 제1 ECC 엔진부를 포함할 수 있다.
Int. CL G11C 29/44 (2015.12.02) G11C 29/42 (2015.12.02) G11C 29/00 (2015.12.02) G11C 29/02 (2015.12.02)
CPC G11C 29/44(2013.01) G11C 29/44(2013.01) G11C 29/44(2013.01) G11C 29/44(2013.01)
출원번호/일자 1020150138269 (2015.09.30)
출원인 서울대학교산학협력단, 위스콘신 얼럼나이 리서어치 화운데이션
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0039057 (2017.04.10) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.09.30)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 위스콘신 얼럼나이 리서어치 화운데이션 미국 미합중국 위스콘신주 *****-**** 메디슨시 피. 오.박스 *

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안정호 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 김남승 대한민국 미국, 일로노이주 *****, 섐

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 아이스퀘어 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로 ***, **층 ***호(대치동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
2 위스콘신 얼럼나이 리서어치 화운데이션 미합중국 위스콘신주 *****-**** 메디슨시 피. 오.박스 *
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0949567-22
2 공지예외적용주장 증명서류 제출기한 안내문
2015.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0159221-71
3 보정요구서
Request for Amendment
2015.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0159220-25
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-1026241-39
5 [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서
[Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document
2015.10.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-1026837-30
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0673213-16
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1134875-55
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2016-1231697-22
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.12.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1231698-78
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0294826-94
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2017-0608999-58
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.06.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0609000-52
13 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0786408-74
14 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2017.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-1257347-01
15 보정요구서
Request for Amendment
2018.01.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0000648-83
16 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)
2018.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2018-0003542-74
17 법정기간연장승인서
2018.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0002487-75
18 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2018.01.16 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2018-0054101-37
19 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2018.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2018-0054100-92
20 등록결정서
Decision to Grant Registration
2018.02.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2018-0119577-49
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2020-5265458-48
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
적어도 하나의 메모리 칩을 포함하는 메모리 시스템에 있어서,상기 적어도 하나의 메모리 칩은,복수의 제1 메모리 셀을 포함하는 데이터 비트 어레이; 및복수의 제2 메모리 셀을 포함하고, 상기 데이터 비트 어레이 내 상기 제1 메모리 셀 중 불량 셀을 구제하는 제1 패리티 비트들을 상기 복수의 제2 메모리 셀에 저장하는 제1 패리티 어레이를 포함하는 뱅크(bank);복수의 제3 메모리 셀을 포함하고, 상기 데이터 비트 어레이 내 상기 복수의 제1 메모리 셀들 중 불량 셀에 대한 위치 정보인 포지션 비트들을 저장하는 포지션 비트 어레이를 포함하는 포지션 비트 영역; 및상기 데이터 비트 어레이로부터 독출된 복수의 데이터 버스트를 포함하는 청크에 대하여 외부로부터 인가되는 주소와 상기 포지션 비트 영역로부터 독출된 포지션 비트를 비교하고, 상기 청크에 포함된 상기 복수의 데이터 버스트 중 하나의 오류 데이터 버스트를 검출하여 상기 검출된 데이터 버스트에 대한 제1 오류 정정을 수행하는 제1 ECC 엔진부를 포함하고,상기 메모리 시스템은,상기 적어도 하나의 메모리 칩으로부터 독출되는 데이터를 위한 제3 패리티 비트를 저장하는 제3 패리티 저장부; 및상기 독출되는 데이터 및 상기 독출되는 데이터에 대응되는 상기 제3 패리티 비트를 이용하여 제2 오류 정정을 수행하는 제2 ECC엔진부를 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 제1 ECC 엔진부는 하나의 메모리 칩 내부에 위치하여 상기 하나의 메모리 칩 내부에서 ECC 동작을 수행하고, 상기 제2 ECC 엔진부는 적어도 하나의 메모리 칩들을 포함한 메모리 모듈 외부에 위치하여 상기 적어도 하나의 메모리 칩들을 포함하는 랭크에 대해 ECC 동작을 수행하고,상기 제1 ECC 엔진부는 상기 검출된 하나의 오류 데이터 버스트가 더블 비트 오류에 해당하는 경우, 더블-비트 에러 검출(DED)을 수행하여 상기 제1 오류 정정을 수행하고,상기 제2 ECC 엔진부는 상기 검출된 하나의 오류 데이터 버스트가 더블 비트 오류에 해당하는 경우, 더블-비트 에러 검출(DED)을 수행하여 상기 제2 오류 정정을 수행하는, 메모리 시스템
2 2
제1항에 있어서,상기 포지션 비트 영역은,복수의 제4 메모리 셀을 포함하고, 상기 포지션 비트 어레이 내 상기 복수의 제3 메모리 셀들 중 불량 셀을 구제하는 제2 패리티 비트를 상기 복수의 제4 메모리 셀에 저장하는 제2 패리티 어레이를 포함하고,상기 제1 ECC 엔진부는,상기 제2 패리티 비트를 이용하여 상기 포지션 비트의 에러를 구제하는 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는, 메모리 시스템
3 3
제1항에 있어서,상기 제1 ECC 엔진부는,상기 청크의 사이즈 및 상기 제1 패리티 비트들의 사이즈를 변경하여 상기 제1 오류 정정을 수행하는 것을 특징으로 하는, 메모리 시스템
4 4
제1항에 있어서,상기 청크의 사이즈는 상기 데이터 비트 어레이의 로우 사이즈인 것을 특징으로 하는, 메모리 시스템
5 5
제1항에 있어서,상기 포지션 비트 어레이는 상기 뱅크의 사이즈보다 작은 것을 특징으로 하는, 메모리 시스템
6 6
제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 메모리 칩은,상기 뱅크 및 상기 포지션 비트 영역에 의해 공유되는 로우(row) 디코더 및 컬럼 디코더를 더 포함하는, 메모리 시스템
7 7
제6항에 있어서,상기 포지션 비트는,액티브 명령(activate command)에 의해 상기 뱅크가 액티브되는 경우, 상기 컬럼 디코더에 래치(latch)되는 것을 특징으로 하는, 메모리 시스템
8 8
제1항에 있어서,상기 메모리 시스템은,상기 제1 메모리 셀들 중 불량 셀에 대한 위치 정보인 포지션 비트를 저장하는 비휘발성 메모리를 더 포함하고,상기 포지션 비트 어레이는,상기 비휘발성 메모리에 기 저장된 포지션 비트를 저장하는 것을 특징으로 하는, 메모리 시스템
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
제1항에 있어서,상기 메모리 칩은,복수의 메모리 셀 중 불량 셀의 주소를 저장하고, 상기 불량 셀의 주소에 대응되는 데이터를 저장하는 캐시를 더 포함하는, 메모리 시스템
13 13
제1항에 있어서,상기 메모리 칩은,인가되는 주소에 해시 함수를 적용하고 해시 값에 상응하는 위치를 점검하여 상기 해시 값에 상응하는 위치의 비트 값에 기초하여 상기 인가되는 주소가 불량 셀을 포함하는 주소인지 여부를 판단하는 블룸 필터를 더 포함하는, 메모리 시스템
14 14
복수의 메모리 칩을 포함하는 메모리 시스템에 의해 수행되고,상기 복수의 메모리 칩 각각으로부터 복수의 데이터 버스트를 포함하는 청크, 제1패리티 비트 및 포지션 비트를 상기 복수의 메모리 칩 각각에 포함된 제1 ECC 엔진부로 독출하는 단계;상기 제1 ECC 엔진부가 상기 포지션 비트를 이용하여 상기 복수의 데이터 버스트 중 오류를 갖는 하나의 데이터 버스트를 추출하는 단계;상기 제1 ECC 엔진부가 상기 추출된 오류 데이터 버스트에 대응되는 제1 패리티 비트를 이용하여 제1 오류 정정을 수행하는 단계;상기 복수의 메모리 칩 각각이 제1 오류 정정을 거친 데이터를 상기 복수의 메모리 칩들을 포함한 메모리 모듈 외부의 제2 ECC엔진부로 출력하는 단계; 및제2 ECC 엔진부가 상기 출력된 데이터 및 제3 패리티 비트에 기초하여 제2 오류 정정을 수행하는 단계를 포함하고,상기 제1 오류 정정을 수행하는 단계는,상기 추출된 하나의 오류 데이터 버스트가 더블 비트 오류에 해당하는 경우, 더블-비트 에러 검출(DED)을 수행하여 상기 제1 오류 정정을 수행하고,상기 제2 오류 정정을 수행하는 단계는,상기 추출된 하나의 오류 데이터 버스트가 더블 비트 오류에 해당하는 경우, 더블-비트 에러 검출(DED)을 수행하여 상기 제2 오류 정정을 수행하는 것을 특징으로 하는, 메모리 에러 정정 방법
15 15
제14항에 있어서,상기 제1 ECC 엔진부가 상기 포지션 비트를 이용하여 상기 복수의 데이터 버스트 중 오류를 갖는 하나의 데이터 버스트를 추출하는 단계는,상기 제1 ECC 엔진부가 외부로부터 인가된 주소와 상기 포지션 비트를 비교하여 상기 복수의 데이터 버스트 중 오류를 가지는 하나의 데이터 버스트를 추출하는 단계를 포함하는, 메모리 에러 정정 방법
16 16
제14항에 있어서,상기 제1 오류 정정을 수행하는 단계는,상기 추출된 데이터 버스트가 싱글 비트 에러인 경우 싱글-비트 에러 정정(SEC)을 수행하는 것을 특징으로 하는, 메모리 에러 정정 방법
17 17
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18 18
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