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성장 기판 상에 버퍼 층, 초격자 층, n형 반도체 층, 활성 층, 및 p형 반도체 층을 차례로 형성하되, 상기 초격자 층은 교대로 그리고 반복적으로 적층된 제1 및 제2 서브 층들을 포함하는 것;상기 성장 기판의 하면으로부터 상기 초격자 층까지 연장되는 비아 홀을 형성하는 것; 및상기 비아 홀 내에 n형 전극을 형성하는 것을 포함하되,상기 비아 홀을 형성하는 것은 유도 플라즈마 분광법을 이용하여 상기 비아 홀의 바닥면의 위치를 파악하는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 비아 홀을 형성하는 공정에서 플라즈마가 발생하고,상기 비아 홀의 바닥 면의 위치를 파악하는 것은 상기 플라즈마로부터 발생하는 에너지의 스펙트럼을 분석하는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제2 항에 있어서,상기 플라즈마는 상기 비아 홀의 바닥면이 위치하는 층에 포함된 물질의 원자 및/또는 이온을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제3 항에 있어서,상기 플라즈마로부터 발생하는 상기 에너지는 상기 플라즈마에 포함된 상기 물질의 원자 및/또는 이온이 여기 상태에서 바닥 상태로 떨어지면서 발생하는 에너지에 해당하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제2 항에 있어서,상기 비아 홀을 형성하는 것은 레이저 드릴링 공정을 이용하여 수행되는 발광 다이오드의 제조 방법
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제5 항에 있어서,상기 비아 홀을 형성하는 것은 상기 스펙트럼에서 특정 원소에 해당하는 파장의 세기가 진동할 때 상기 레이저 드릴링 공정을 중단하는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 제1 서브 층은 알루미늄 나이트라이드 층이고,상기 제2 서브 층은 알루미늄 갈륨 나이트라이드 층이며,상기 특정 원소는 알루미늄인 발광 다이오드의 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 제1 서브 층은 알루미늄 나이트라이드 층이고,상기 제2 서브 층은 알루미늄 갈륨 나이트라이드 층이며,상기 특정 원소는 갈륨인 발광 다이오드의 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 제1 서브 층 및 상기 제2 서브 층은 각각 알루미늄 갈륨 나이트라이드 층이되,상기 제1 서브 층에 포함된 알루미늄의 조성비는 상기 제2 서브 층에 포함된 알루미늄의 조성비와 다르고,상기 특정 원소는 알루미늄인 발광 다이오드의 제조 방법
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제6 항에 있어서,상기 제1 서브 층 및 상기 제2 서브 층은 각각 알루미늄 갈륨 나이트라이드 층이되,상기 제1 서브 층에 포함된 갈륨의 조성비는 상기 제2 서브 층에 포함된 갈륨의 조성비와 다르고,상기 특정 원소는 갈륨인 발광 다이오드의 제조 방법
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제5 항에 있어서,상기 성장 기판은 사파이어 기판이고,상기 버퍼 층은 알루미늄 갈륨 나이트라이드 층이되,상기 비아 홀을 형성하는 것은 상기 스펙트럼에서 갈륨에 해당하는 파장이 관측되면 상기 레이저 드릴링 공정에 사용되는 레이저 빔의 세기를 줄이는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
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제11 항에 있어서,상기 레이저 빔에 의하여 상기 버퍼층 및 상기 초격자 층이 식각되는 속도는 상기 레이저 빔에 의하여 상기 성장 기판이 식각되는 속도의 1/10배보다 작은 발광 다이오드의 제조 방법
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성장 기판 상에 차례로 적층된 버퍼 층, 초격자 층, n형 반도체 층, 활성 층, 및 p형 반도체 층, 상기 초격자 층은 교대로 그리고 반복적으로 적층된 제1 서브 층 및 제2 서브 층을 포함하는 것;상기 p형 반도체 층 상에 제공되는 p형 전극;상기 성장 기판의 하면으로부터 상기 초격자 층까지 연장되는 비아 홀, 상기 비아 홀의 바닥면은 상기 초격자 층 내에 존재하는 것; 및상기 비아 홀을 채우는 n형 전극을 포함하는 발광 다이오드
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제13 항에 있어서,상기 제1 서브 층은 알루미늄 나이트라이드 층이고,상기 제2 서브 층은 알루미늄 갈륨 나이트라이드 층인 발광 다이오드
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제13 항에 있어서,상기 제1 서브 층 및 상기 제2 서브 층은 각각 알루미늄 갈륨 나이트라이드 층이되,상기 제1 서브 층에 포함된 알루미늄의 조성비는 상기 제2 서브 층에 포함된 알루미늄의 조성비와 다른 발광 다이오드
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제13 항에 있어서,상기 제1 서브 층 및 상기 제2 서브 층은 각각 알루미늄 갈륨 나이트라이드 층이되,상기 제1 서브 층에 포함된 갈륨의 조성비는 상기 제2 서브 층에 포함된 갈륨의 조성비와 다른 발광 다이오드
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