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화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물, 그의 제조 방법, 그를 이용한 연마 방법(Slurry composition for chemical mechanical polishing, method of preparing the same, and polishing method using the same)

  • 기술번호 : KST2017007288
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물, 그의 제조 방법, 그를 이용한 연마 방법에 관한 것으로서, 표면에 NO3 작용기가 부착된 세리아 입자; 및 분산매를 포함하는 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물을 제공한다. 이 때, 상기 세리아 입자의 함량은 상기 분산매 100 중량부에 대하여 약 0.1 중량부 내지 약 15 중량부일 수 있다. 본 발명의 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물은 연마 입자의 크기가 작으면서도 연마 속도의 저하가 없기 때문에 반도체 제품을 보다 높은 수율로 신속하게 제조하는 것이 가능한 효과가 있다.
Int. CL C09G 1/02 (2006.01.01) C09K 3/14 (2006.01.01) H01L 21/304 (2006.01.01) H01L 21/306 (2006.01.01)
CPC C09G 1/02(2013.01) C09G 1/02(2013.01) C09G 1/02(2013.01) C09G 1/02(2013.01) C09G 1/02(2013.01)
출원번호/일자 1020150144315 (2015.10.15)
출원인 삼성전자주식회사, 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0044522 (2017.04.25) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.08.26)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김예환 대한민국 서울특별시 강동구
2 백운규 대한민국 서울특별시 성동구
3 서지훈 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-0999213-92
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
4 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
 2020.08.26 수리 (Accepted) 1-1-2020-0898642-36
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
표면에 NO3 작용기가 부착된 세리아 입자; 및분산매;를 포함하고,상기 세리아 입자의 함량이 상기 분산매 100 중량부에 대하여 약 0
2 2
제 1 항에 있어서,상기 슬러리 조성물의 pH가 1 내지 9인 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물
3 3
제 1 항에 있어서,상기 세리아 입자의 FT-IR 스펙트럼에서 약 1250 cm-1 내지 약 1400 cm-1 또는 약 1500 cm-1 내지 약 1700 cm-1 의 위치에 피크를 갖는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물
4 4
제 1 항에 있어서,상기 세리아 입자에 대한 제타 포텐셜(zeta potential) 값이 0보다 크도록 하는 pH 범위가 적어도 0 내지 9
5 5
제 1 항에 있어서,연마 가속제를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물
6 6
제 1 항에 있어서,산화제를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물
7 7
제 1 항에 있어서,상기 세리아 입자의 평균 입경이 약 1 nm 내지 약 150 nm인 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물
8 8
제 7 항에 있어서,pH를 7
9 9
제 7 항에 있어서,pH를 2
10 10
제 7 항에 있어서,pH를 2
11 11
제 7 항에 있어서,pH를 2
12 12
표면 개질 작용기가 표면에 부착된 세라믹 입자;pH 조절제; 및분산매;를 포함하고,상기 표면 개질 작용기가 나이트레이트기(NO3), 카보네이트기(CO3), 설페이트기(SO4), 옥살레이트기(oxalate, C2O4), 및 메탄술포네이트기(CH3SO3)로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물
13 13
제 12 항에 있어서,상기 세라믹 입자의 함량이 상기 분산매 100 중량부에 대하여 약 0
14 14
제 13 항에 있어서,연마 가속제를 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물
15 15
세라믹 입자와 개질제가 혼합된 제 1 혼합물을 준비하는 단계;개질된 세라믹 입자를 얻기 위하여 상기 제 1 혼합물을 가열하는 단계; 및슬러리 조성물을 얻기 위하여, 상기 세라믹 입자를 분리하여 분산매에 분산시키는 단계;를 포함하고,상기 개질제가 질산, 황산, 탄산, 옥살산, 및 메탄술폰산으로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법
16 16
제 15 항에 있어서,상기 슬러리 조성물의 pH를 1 내지 9로 조절하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법
17 17
제 15 항에 있어서,상기 제 1 혼합물을 가열하는 단계는 상기 제 1 혼합물을 약 60℃ 내지 약 150℃ 사이의 온도에서 가열하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법
18 18
제 15 항에 있어서,연마 가속제를 첨가하는 단계와 산화제를 첨가하는 단계의 어느 것도 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물의 제조 방법
19 19
연마 패드 상에 기판을 위치시키는 단계;상기 연마 패드와 상기 기판 사이에 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물을 공급하는 단계; 및상기 연마 패드와 상기 기판을 일정한 압력으로 마찰시키는 단계;를 포함하고,상기 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물은 표면에 NO3 작용기가 부착된 세리아 입자 및 분산매를 포함하고,상기 세리아 입자는 상기 분산매 100 중량부에 대하여 약 0
20 20
리세스부를 갖는 제 1 물질막을 반도체 기판 상에 형성하는 단계;상기 리세스부의 내부와 상기 제 1 물질막의 전면에 상기 제 1 물질막과 상이한 물질인 제 2 물질막을 형성하는 단계; 및상기 제 2 물질막을 상기 리세스부 내부로 한정하기 위하여 상기 제 2 물질막에 대하여 화학적 기계적 연마를 수행하는 단계;를 포함하고,상기 화학적 기계적 연마를 수행하는 단계는,연마 패드와 상기 반도체 기판 사이에 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물을 공급하는 단계; 및상기 연마 패드와 상기 반도체 기판을 일정한 압력으로 마찰시키는 단계;를 포함하고,상기 화학적 기계적 연마용 슬러리 조성물은, 표면 개질 작용기가 표면에 부착된 세라믹 입자, pH 조절제 및 분산매를 포함하고,상기 표면 개질 작용기는 나이트레이트기(NO3), 카보네이트기(CO3), 설페이트기(SO4), 옥살레이트기(oxalate, C2O4), 및 메탄술포네이트기(CH3SO3)로 구성되는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 반도체 소자의 제조 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN106867411 CN 중국 FAMILY
2 US10047248 US 미국 FAMILY
3 US20170107404 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN106867411 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 US10047248 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US2017107404 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.