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루테늄 스퍼터링 타겟 제조방법(Manufacturing of ruthenium sputtering target for magnetic recording media)

  • 기술번호 : KST2017007760
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 루테늄 분말을 그라파이트 소재로 된 몰드 내에 충진하고, 별도의 가압부를 통해 가압 및 가열하여 소결체를 제조하는 루테늄 스퍼터링 타겟 제조방법에 있어서, 상기 스퍼터링 타겟의 일면에 돌출부가 형성되도록 함몰홈을 가지는 상기 가압부를 설계하는 세팅단계, 상기 루테늄 분말을 상기 몰드 내에 충진하는 충진단계, 상기 루테늄 분말이 충진된 상기 몰드를 별도의 챔버 내부에 장착하는 장착단계, 상기 장착단계를 거친 후 상기 챔버 내부를 진공상태로 조절하는 진공단계, 상기 가압부에 의해 상기 몰드에 충진된 상기 루테늄 분말을 일정한 압력을 유지하면서 설정된 승온패턴에 따라 기 설정된 온도까지 승온시키는 성형단계, 상기 성형단계를 거친 후 상기 몰드를 기 설정된 시간 동안 일정 온도로 유지시키는 유지단계 및 상기 유지단계 이후 상기 챔버 내부를 일정 압력을 유지하면서 냉각하는 냉각단계를 포함하는 루테늄 스퍼터링 타겟 제조방법이 개시된다.
Int. CL C23C 14/34 (2015.12.09) C23C 14/14 (2015.12.09) B22F 3/12 (2015.12.09)
CPC C23C 14/3414(2013.01) C23C 14/3414(2013.01) C23C 14/3414(2013.01)
출원번호/일자 1020150151762 (2015.10.30)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0051670 (2017.05.12) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.10.30)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박현국 대한민국 충청남도 천안시 서북구
2 오익현 대한민국 광주광역시 북구
3 장준호 대한민국 광주 북구
4 손현택 대한민국 광주 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 임상엽 대한민국 서울특별시 성동구 광나루로 ***, *층 ***호 (성수동*가, 서울숲IT캐슬)(지반특허법률사무소)
2 고영갑 대한민국 경기도 성남시 분당구 정자일로 ***, 파크뷰 타워 ***호 (정자동)(가람특허법률사무소)
3 권정기 대한민국 서울특별시 성동구 광나루로 ***, *층 ***호 (성수동*가, 서울숲IT캐슬)(지반특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-1056417-15
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0025330-91
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0866880-10
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.02.01 수리 (Accepted) 1-1-2017-0105341-28
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0196059-68
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2017-0313962-39
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0413301-04
9 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period
2017.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0058334-10
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2017-0513286-18
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0513294-84
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.07.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0481914-45
13 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2017.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2017-0772553-67
14 법정기간연장승인서
2017.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0112435-79
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.09.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0880749-64
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.09.11 수리 (Accepted) 1-1-2017-0880662-91
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0697352-40
18 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
2017.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2017-1112511-82
19 법정기간연장승인서
2017.11.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0162972-81
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.02 수리 (Accepted) 4-1-2018-5123030-77
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
루테늄 분말을 그라파이트 소재로 된 몰드 내에 충진하고, 별도의 가압부를 통해 가압 및 가열하여 소결체를 제조하는 루테늄 스퍼터링 타겟 제조방법에 있어서,상기 스퍼터링 타겟의 일면에 돌출부가 형성되도록 함몰홈을 가지는 상기 가압부를 설계하는 세팅단계;상기 루테늄 분말을 상기 몰드 내에 충진하는 충진단계;상기 루테늄 분말이 충진된 상기 몰드를 별도의 챔버 내부에 장착하는 장착단계;상기 장착단계를 거친 후 상기 챔버 내부를 진공상태로 조절하는 진공단계;상기 가압부에 의해 상기 몰드에 충진된 상기 루테늄 분말을 일정한 압력을 유지하면서 설정된 승온패턴에 따라 기 설정된 온도까지 승온시키는 성형단계;상기 성형단계를 거친 후 상기 몰드를 기 설정된 시간 동안 일정 온도로 유지시키는 유지단계; 및 상기 유지단계 이후 상기 챔버 내부를 일정 압력을 유지하면서 냉각하는 냉각단계;를 포함하는 루테늄 스퍼터링 타겟 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 기 설정된 온도는,1250 내지 1350℃인 것을 특징으로 하는 루테늄 스퍼터링 타겟 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 성형단계는,상기 몰드 내부의 압력을 30 내지 100 MPa로 유지하고, 상기 몰드 내의 상기 루테늄 분말에 대해 50℃/min 내지 100℃/min의 승온속도로 1차 목표온도인 550 내지 650℃까지 1차 승온하는 제1과정; 상기 1차 목표온도를 1 내지 5분 동안 유지하는 제2과정; 상기 몰드내의 상기 루테늄 분말에 대해 20℃/min 내지 100℃/min의 승온속도로 2차 목표온도인 750 내지 800℃까지 2차 승온하는 제3과정; 상기 2차 목표온도를 2 내지 5분 동안 유지하는 제4과정; 상기 몰드내의 상기 루테늄 분말에 대해 20℃/min 내지 100℃/min의 승온속도로 3차 목표온도인 950 내지 1050℃까지 3차 승온하는 제5과정; 상기 3차 목표온도를 1 내지 10분 동안 유지하는 제6과정; 상기 몰드내의 상기 루테늄 분말에 대해 10℃/min 내지 100℃/min의 승온속도로 4차 목표온도인 1150 내지 1230℃까지 4차 승온하는 제7과정; 상기 4차 목표온도를 1 내지 10분 동안 유지하는 제8과정; 및상기 몰드내의 상기 루테늄 분말에 대해 5℃/min 내지 100℃/min의 승온속도로 5차 목표온도인 1250 내지 1350℃까지 5차 승온하는 제9과정;을 포함하는 자기기록 매체용 스퍼터링 타겟 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 충진단계는,상기 루테늄 분말을 상기 몰드 내에 충진하고, 별도의 가압수단을 이용하여 일정시간 동안 가압하는 예비가압과정을 포함하는 루테늄 스퍼터링 타겟 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 진공단계는,상기 루테늄 분말의 산화 및 가스나 불순물로 인한 제2상의 형성을 억제하기 위하여 1X100 Pa 내지 1X10-3 Pa 로 상기 챔버 내부를 진공화하는 것을 특징으로 하는 자기기록매체용 루테늄 스퍼터링 타겟 제조방법
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제1항에 있어서,상기 냉각단계는,상기 몰드의 내부를 30 내지 100 MPa의 압력을 유지하면서 1100 내지 1000℃까지 냉각시킨 후 1000℃ 이하에서는 기본 압력을 유지하면서 냉각시키는 것을 특징으로 하는 루테늄 스퍼터링 타겟 제조방법
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제1항에 있어서,상기 가압부는,한 쌍으로 구성되어 상기 몰드를 중심으로 마주보도록 배치되며 선택적으로 상기 몰드에 충진된 상기 루테늄 분말을 가압하는 것을 특징으로 하는 루테늄 스퍼터링 타겟 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.