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기판과,상기 기판 상에 적층된 하부 클래드층, 회절격자, 활성층, 상부 클래드층, 오믹층, 상부 전극 및 절연층과,상기 절연층 상에 위치되는 발열 영역을 포함한 박막 히터를 포함하며,상기 회절격자의 길이가 활성층 도파로의 길이보다 작게 형성되고, 상기 박막 히터의 발열 영역의 길이가 상기 회절격자가 배치되는 회절격자 영역의 길이 이상인 것을 특징으로 하는 박막 히터 집적 파장가변 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제1항에 있어서,상기 박막 히터의 발열 영역과 상기 회절격자 영역이 서로 중첩되며, 상기 박막 히터의 발열 영역이 상기 회절격자 영역을 완전히 커버하도록 배치됨을 특징으로 하는 박막 히터 집적 파장가변 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 박막 히터의 발열 영역의 선폭이 균일한 것을 특징으로 하는 박막 히터 집적 파장가변 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제1항에 있어서,상기 박막 히터의 발열 영역의 선폭이 테이퍼링된 것을 특징으로 하는 박막 히터 집적 파장가변 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제4항에 있어서, 상기 박막 히터의 발열 영역의 선폭은, 상기 회절격자의 중앙에서는 넓게 형성되고, 상기 회절격자의 중앙에서 멀어질수록 감소하는 형태로 테이퍼링된 것을 특징으로 하는 박막 히터 집적 파장가변 분포 궤환형 레이저 다이오드
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6
제1항에 있어서, 상기 회절격자는 상기 하부 클래드층, 상기 활성층, 또는 상기 상부 클래드층 내에 위치된 것을 특징으로 하는 박막 히터 집적 파장가변 분포 궤환형 레이저 다이오드
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7
제1항에 있어서, 상기 회절격자는 λ/4 위상 천이 회절격자, 손실 결합 회절격자, 이득 결합 회절격자, 인덱스 결합 회절격자 중 어느 하나인 것을 특징으로 박막 히터 집적 파장가변 분포 궤환형 레이저 다이오드
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8
제1항에 있어서, 상기 박막 히터는 크롬(Cr), 금(Au), 타이타늄(Ti), 백금(Pt), 니켈(Ni), 알루미늄(Al) 및 은(Ag) 중 적어도 하나를 포함하는 단일 박막 또는 하나 이상의 복합층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 히터 집적 파장가변 분포 궤환형 레이저 다이오드
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9
제1항에 있어서, 상기 레이저 다이오드의 양단 벽개면에 형성된 무반사막을 더 포함하는 박막 히터 집적 파장가변 분포 궤환형 레이저 다이오드
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10
제1항에 있어서, 상기 레이저 다이오드의 벽개면 중 일단의 벽개면에 형성된 무반사막과, 다른 일단의 벽개면에 형성된 고반사막을 더 포함하는 박막 히터 집적 파장가변 분포 궤환형 레이저 다이오드
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11
제1항에 있어서, 상기 절연층은 상기 상부 전극과 상기 박막 히터 사이에 개재된 산화 실리콘층(SiO2) 또는 질화 실리콘층(SiNx)으로 구성되어, 상기 상부 전극과 상기 박막 히터를 전기적으로 절연시키는 것을 특징으로 하는 박막 히터 집적 파장가변 분포 궤환형 레이저 다이오드
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12
제1항에 있어서, 상기 활성층은 InGaAsP, InGaAlAs, InGaNAs의 벌크층 또는 다중양자우물로 구성된 것을 특징으로 하는 박막 히터 집적 파장가변 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 레이저 다이오드에 반도체 광 증폭기, 전계 흡수 광 변조기 및 마흐-젠더 광 변조기 중 적어도 하나가 단일 집적된 것을 특징으로 하는 박막 히터 집적 파장가변 분포 궤환형 레이저 다이오드
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14
제13항에 있어서, 상기 레이저 다이오드와 상기 반도체 광 증폭기 또는 상기 광 변조기의 오믹층 및 상부 전극이 분리된 것을 특징으로 하는 박막 히터 집적 파장가변 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제14항에 있어서, 상기 레이저 다이오드와 상기 반도체 광 증폭기 또는 상기 광 변조기의 분리된 오믹층 및 상부 전극 사이에 절연 트랜치 또는 이온 주입영역이 추가로 형성된 것을 특징으로 하는 박막 히터 집적 파장가변 분포 궤환형 레이저 다이오드
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제1항에 있어서,상기 레이저 다이오드가 릿지형 도파로를 가지고, 상기 박막 히터의 발열 영역이 상기 릿지형 도파로의 바닥 일측에 위치된 것을 특징으로 하는 박막 히터 집적 파장가변 분포 궤환형 레이저 다이오드
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