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다음의 단계들을 포함하는 프리-도핑을 이용한 그래핀의 제조방법:(1) 그래핀을 준비하는 단계;(2) 그래핀에 염소 프리-도핑하는 단계;(3) 프리-도핑된 그래핀을 기판 위로 이송시키는 단계;(4) 상기 프리-도핑된 그래핀 상에 추가의 그래핀을 이동시키는 단계;(5) 상기 (4)단계의 결과물을 어닐링 처리하는 단계; 및(6) 상기 어닐링된 추가의 그래핀에 염소 도핑하는 단계
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제1항에 있어서,상기 (4)단계 내지 (6)단계를 1회 이상 반복하는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프리-도핑을 이용한 그래핀의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (1) 단계는 금속 상에서 그래핀을 합성하여 수행되는 것을 특징으로 하는 프리-도핑을 이용한 그래핀의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 금속 상에 탄소 소스를 포함하는 반응 가스 및 열을 제공하여 반응시킴으로써 상기 금속 상에서 그래핀을 합성하는 것을 특징으로 하는 프리-도핑을 이용한 그래핀의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 그래핀의 합성은, 유도결합플라즈마 화학증기증착, 저압화학증기증착, 또는 상압화학증기증착에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 프리-도핑을 이용한 그래핀의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 금속은 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 티타늄(Ti), 팔라듐(Pd)으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 프리-도핑을 이용한 그래핀의 제조방법
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제3항에 있어서,상기 (3)단계 전에 상기 금속을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프리-도핑을 이용한 그래핀의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (2)단계에서, 염소 프리-도핑은, 염소 플라즈마 처리로 수행되는 것을 특징으로 하는 프리-도핑을 이용한 그래핀의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 염소 플라즈마 처리는 염소 가스를 주입함으로써 그래핀 상에 염소를 도핑시키는 것을 특징으로 하는 프리-도핑을 이용한 그래핀의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (2)단계 후에, 상기 염소 프리-도핑된 그래핀 위에 고분자를 코팅하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프리-도핑을 이용한 그래핀의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 고분자 물질은 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리(디메틸실록산)(PDMS), 폴리(비스페놀 A 카르보네이트)(PC) 및 폴리스티렌(PS)으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 프리-도핑을 이용한 그래핀의 제조방법
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제10항에 있어서,상기 (4)단계 전에, 상기 고분자를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프리-도핑을 이용한 그래핀의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (3)단계에서, 상기 기판은 유리, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 석영 및 SiO2/Si 웨이퍼로부터 선택되는 1종 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 프리-도핑을 이용한 그래핀의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (4)단계에서, 상기 추가의 그래핀은 별도의 기판 상에 부착된 그래핀 상에 고분자가 코팅된 형태인 것을 특징으로 하는 프리-도핑을 이용한 그래핀의 제조방법
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제14항에 있어서,상기 (4)단계 후에, 상기 추가의 그래핀 상에 코팅된 고분자를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프리-도핑을 이용한 그래핀의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (5)단계에서, 상기 어닐링 처리는 200∼500℃에서 1∼10시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 프리-도핑을 이용한 그래핀의 제조방법
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제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따른 그래핀의 제조방법에 의해 제조된 다층 그래핀
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