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하기 화학식 5로 표시되는 어덕트(adduct) 화합물:[화학식 5][(AZ1)p(BZ2)q(CZ3)r]ㆍPb(Z4)2ㆍQ상기 식에 있어서,A, B, C는 서로 동일하거나 다를 수 있으며, 각각 독립적으로 CH3NH3+, CH(NH2)2+ 또는 Cs+ 이고,Z1, Z2, Z3, Z4 는 서로 동일하거나 다를 수 있으며, 각각 독립적으로 F-, Cl-, Br- 또는 I-의 할로겐 이온이며,Q는 비공유 전자쌍을 갖는 원자를 전자쌍 주개로 하는 작용기를 포함하는 루이스 베이스(Lewis base) 화합물이고,p, q, r은 p+q+r=1이고, 0
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제14항에 있어서,상기 Q는 H2O, 디메틸설폭사이드(Dimethylsulfoxide(DMSO)), N,N-디메틸아세트아미드(N,N-Dimethylacetamide(DMA)), N-메틸-2-피롤리디온(N-Methyl-2-pyrrolidione(MPLD)), N-메틸-2-피리딘(N-Methyl-2-pyridine(MPD)), 2,6-디메틸- γ-피론(2,6-Dimethyl-γ-pyrone(DMP)), 아세트아미드(Acetamide), 우레아(Urea), 티오우레아(Thiourea(TU)), N,N-디메틸티오아세트아미드(N,N-Dimethylthioacetamide(DMTA)), 티오아세트아미드(Thioacetamide(TAM)), 에틸렌이아민(Ethylenediamine(EN)), 테트라에틸렌디아민(Tetramethylethylenediamine(TMEN)), 2,2'-바이피리딘(2,2'-Bipyridine(BIPY)), 1,10-피페리딘(1,10-Piperidine), 아닐린(Aniline), 피롤리딘(Pyrrolidine), 디에틸아민(Diethylamine), N-메틸피롤리딘(N-Methylpyrrolidine), n-프로필아민(n-Propylamine)에서 선택되는 하나 이상의 화합물인 어덕트 화합물
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제14항에 있어서,상기 Q는 티오아미드기, 티오시아네이트기, 티오에테르기, 티오케톤기, 티올기, 싸이오펜기, 티오우레아기, 티오설페이트기, 티오아세트아미드기, 카보닐기, 알데하이드기, 카복실기, 에테르기, 에스테르기, 설포닐기, 설포기, 설파이닐기, 티오시아네이토기, 피롤리디논기, 페록시기, 아마이드기, 아민기, 아미드기, 이미드기, 이민기, 아지드기, 피리딘기, 피롤기, 니트로기, 니트로소기, 시아노기, 니트록시기 및 이소시아노기로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 작용기를 포함하는 루이스 염기 화합물인 어덕트 화합물
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할로겐화 납, 2종 이상의 유기 또는 무기할라이드 화합물 및 질소(N), 산소(O) 또는 황(S) 원자를 전자쌍 주개로 포함하는 작용기를 갖는 루이스 염기 화합물을 제1용매에 용해하여 전구체 용액을 제조하는 단계; 상기 전구체 용액에 제2 용매를 투입하여 생성된 침전물을 여과하여 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항의 어덕트 화합물을 제조하는 단계; 및상기 어덕트 화합물을 가열하는 단계를 포함하는 페로브스카이트의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 어덕트 화합물을 가열하는 단계는, 어덕트 화합물을 30℃이상의 온도에서 가열하여 루이스 염기 화합물을 상기 어덕트 화합물로부터 제거하는 것인 페로브스카이트의 제조방법
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제17항에 있어서,상기 제1용매가 디메틸포름아미드(DMF)이고, 상기 제2용매가 디에틸에테르인 것을 특징으로 하는 페로브스카이트의 제조방법
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전도성 투명 기재를 포함하는 제1전극을 제조하는 단계;상기 제1전극 상에 전자수송층을 형성하는 단계; 상기 전자수송층 상에 제17항의 방법으로 페로브스카이트를 제조하는 단계;상기 페로브스카이트 상에 정공전달층을 형성하는 단계; 및상기 정공전달층 상에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지 제조방법
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제20항에 있어서,상기 전자수송층이 풀러렌 또는 풀러렌계 유도체인 태양전지 제조방법
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제20항에 있어서,상기 전자수송층이 상기 제1전극상에 직접적으로 접하여 형성된 것인 태양전지 제조방법
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제20항에 있어서,상기 태양전지의 초기 변환효율(PCE)값이 18% 이상인 태양전지 제조방법
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제17항의 방법으로 페로브스카이트를 제조하는 단계를 포함하는 전자소자 제조방법
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제24항에 있어서,상기 전자소자가 광전소자인 전자소자 제조방법
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