맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

나노입자를 포함하는 전자소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015136022
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자소자의 제조방법에 관한 것으로서, 상부 전극층, 하부 전극층, 유기층 및 무기층으로부터 선택되는 하나 이상의 층을 포함하는 전자 소자의 제조방법에 있어서, 상기 층을 형성하기 전, 형성한 후, 또는 형성하는 도중에 하전된 나노입자를 부착시켜 나노입자 또는 나노/마이크로 구조물 층을 도입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 51/50 (2006.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 51/42 (2006.01.01) H01L 31/042 (2014.01.01)
CPC H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01)
출원번호/일자 1020120076888 (2012.07.13)
출원인 서울대학교산학협력단, 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단
등록번호/일자 10-1378168-0000 (2014.03.19)
공개번호/일자 10-2014-0011444 (2014.01.28) 문서열기
공고번호/일자 (20140324) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.13)
심사청구항수 8

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 관악구
2 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 대한민국 서울특별시 관악구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김창순 대한민국 경기 수원시 영통구
2 김형채 대한민국 경기 수원시 영통구
3 이종천 대한민국 경기 수원시 영통구
4 한규희 대한민국 경기 수원시 영통구
5 성향기 대한민국 서울 관악구
6 정기남 대한민국 서울 금천구
7 최호섭 대한민국 서울 관악구
8 하경연 대한민국 서울 관악구
9 최만수 대한민국 서울 서초구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김애라 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *** (역삼동, 한신인터밸리**) 서관 ***호(테라아이피씨특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서울대학교산학협력단 서울특별시 관악구
2 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 서울특별시 관악구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0563123-18
2 보정요구서
Request for Amendment		 2012.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0090006-17
3 직권정정안내서
Notification of Ex officio Correction		 2012.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0090008-08
4 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2012.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0566682-33
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-5007213-54
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.05.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0387885-30
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0669161-87
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.11.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1073990-29
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-1073989-83
10 등록결정서
Decision to grant		 2014.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0186831-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.03.17 수리 (Accepted) 4-1-2015-5033829-92
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2015-5062924-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.13 수리 (Accepted) 4-1-2019-5093546-10
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.05.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5101798-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2019-5154561-59
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상부 전극층, 하부 전극층, 정공과 전자의 분리 또는 재결합이 일어나는 활성층과, 유기층 및 무기층으로부터 선택되는 하나 이상의 층을 포함하는 전자 소자의 제조방법에 있어서, 상기 하나 이상의 층을 형성하기 전, 형성한 후, 또는 형성하는 도중에 하전된 나노입자를 건식 에어로졸 형태로 부착시켜 나노입자 또는 나노/마이크로 구조물 층을 도입하는 단계를 포함하는, 전자 소자의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, (1) 유기층 또는 무기층이 형성된 기판을 반응기 내부의 전극 위에 위치시키는 단계;(2) 하전된 나노입자를 상기 반응기에 도입하면서 상기 전극에 전압을 인가하여 상기 기판의 유기층 또는 무기층 상에 나노입자를 부착시키는 단계; 및 (3) 상기 나노입자가 부착된 유기층 또는 무기층 위에 후속 유기층 또는 무기층 막을 추가로 형성하여 상기 유기층 또는 무기층 내에 나노입자 또는 나노/마이크로 구조물 층을 도입하는 단계를 포함하는, 전자 소자의 제조 방법
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 전극에 인가되는 전압은 상기 하전된 나노입자와 반대되는 극성을 가지며 세기가 0
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 하전된 나노입자는 라텍스, 고분자입자, 산화물입자, 금속입자, 금속산화물, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 하전된 나노입자의 크기는 1 ~ 300 nm 인 것을 특징으로 하는 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 전자 소자는 화합물 반도체 발광다이오드(LED), 실리콘이나 화합물 반도체로 이루어진 무기물 태양전지, 유기발광다이오드(OLED), 유기태양전지(organic photovoltaic), 비휘발성메모리셀(non-volatile memory cell), 또는 탠덤형 태양전지(tandem solar cell) 인 것을 특징으로 하는 방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 전자 소자가 유기발광다이오드이고, 상기 입자가 정공이동층인 유기층에 도입된 것을 특징으로 하는 방법
9 9
제 1 항, 제 2 항, 제 4 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항의 방법을 이용하여 제조된 전자소자
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103782411 CN 중국 FAMILY
2 US09349976 US 미국 FAMILY
3 US20140159030 US 미국 FAMILY
4 WO2014010807 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103782411 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN103782411 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 US2014159030 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9349976 US 미국 DOCDBFAMILY
5 WO2014010807 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 재단법인 멀티스케일 에너지 시스템연구단 원천기술개발사업 초고효율 에너지 변환용 삼차원 멀티구조체 병렬 조립