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인듐 전구체, 이의 제조방법, 및 이를 이용하여 박막을 형성하는 방법(INDIUM PRECURSORS, PREPARATION METHOD THEREOF AND PROCESS FOR THE FORMATION OF THIN FILM USING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2017008281
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 열적 안정성과 휘발성이 개선된 신규한 인듐 전구체에 관한 것으로, 상기 인듐 전구체를 이용하여 낮은 온도에서 쉽게 양질의 인듐 산화물 박막을 제조하는 방법 및 이를 통해 제조된 박막을 제공할 수 있다.
Int. CL C07F 5/00 (2015.12.22) C23C 16/06 (2015.12.22) C23C 16/455 (2015.12.22) H01L 21/205 (2015.12.22) H01L 21/02 (2015.12.22)
CPC C07F 5/00(2013.01) C07F 5/00(2013.01) C07F 5/00(2013.01) C07F 5/00(2013.01) C07F 5/00(2013.01) C07F 5/00(2013.01) C07F 5/00(2013.01)
출원번호/일자 1020150158224 (2015.11.11)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-1742391-0000 (2017.05.25)
공개번호/일자 10-2017-0055268 (2017.05.19) 문서열기
공고번호/일자 (20170531) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.11.11)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박보근 대한민국 대전광역시 유성구
2 정택모 대한민국 대전광역시 유성구
3 전동주 대한민국 대전광역시 유성구
4 한정환 대한민국 대전광역시 서구
5 정은애 대한민국 대구광역시 북구
6 남지현 대한민국 인천광역시 계양구
7 김창균 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2015-1099344-22
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2016.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-1104331-93
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0021610-15
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.03.08 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0232199-86
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.03.08 수리 (Accepted) 1-1-2017-0232198-30
6 등록결정서
Decision to grant		 2017.05.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0358528-72
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 인듐 전구체
2 2
하기 화학식 2로 표시되는 화합물과 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 반응시키는 것을 특징으로 하는, 청구항 1의 화학식 1로 표시되는 인듐 전구체의 제조방법
3 3
청구항 1에 있어서,상기 화학식 1에서 R1, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 메틸(methyl), 에틸(ethyl), 프로필(propyl), 이소프로필(iso-propyl), 부틸(butyl), 이소부틸(iso-butyl) 또는 tert-부틸(tert-butyl)인 것을 특징으로 하는 화학식 1로 표시되는 인듐 전구체
4 4
청구항 1의 인듐 전구체를 이용하여 인듐 산화물 박막을 성장시키는 방법
5 5
청구항 4에 있어서,박막 성장 공정이 화학기상증착법(CVD) 또는 원자층증착법(ALD)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 방법
6 6
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101799158 KR 대한민국 FAMILY
2 US20180334471 US 미국 FAMILY
3 WO2017082541 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 국가과학기술연구회 한국화학연구원 기관고유사업 IT·ET 융복합 산업 유기금속화합물 및 소자화 공정 개발