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화학 증착법으로 산화아연 나노 바늘 구조체를 제조하는방법

  • 기술번호 : KST2015140150
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 기질 상에 산화아연 나노 바늘을 성장시키는 방법에 관한 것으로, a) 기질 상에 아연 원 및 산소 원을 도입하여 화학 증착법으로 산화아연 시드층을 형성시키는 단계; b) 상기 증착된 산화아연 시드층 상에 화학 증착법으로 산화아연 나노 바늘을 수직 성장시키는 단계; 를 특징으로 하며, a) 단계에서 자기조립 분자막이 패터닝된 기질을 사용하여 상기 자기조립 분자막이 형성되지 않은 부분에 산화아연 시드층이 형성되도록 하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따른 기질 상에 산화아연 나노 바늘을 성장시키는 방법은 반도체, 금속 등의 기질 상에서 금속 촉매를 사용하지 않고 산화아연 나노 바늘의 패터닝 구조를 손쉽게 제조할 수 있는 장점이 있으며, 산화아연 증착 시 간단한 단계의 기질 온도 조절 방법을 사용하여 자기조립 분자 막(self-assembled molecules, SAMs) 패턴이 형성된 기질 상에 우수한 결정상, 수직 배향성, 광학적 특성 그리고 전계방출 특성을 가진 양호한 품질의 산화아연 나노 바늘 패터닝 구조를 얻을 수 있는 장점이 있다. 산화아연, 나노바늘, 화학증작, 패터닝, 자기조립 분자막, 화학 증착법
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) H01L 21/205 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01) H01L 21/02603(2013.01)
출원번호/일자 1020060042840 (2006.05.12)
출원인 한국화학연구원
등록번호/일자 10-0774614-0000 (2007.11.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071112) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.05.12)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김창균 대한민국 대전 유성구
2 정택모 대한민국 대전 유성구
3 이영국 대한민국 대전 유성구
4 안기석 대한민국 대전 유성구
5 이선숙 대한민국 대전 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국화학연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2006.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2006-0332857-53
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.01.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.02.09 수리 (Accepted) 9-1-2007-0008149-78
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0352559-02
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2007.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0611706-24
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2007.08.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0611741-12
7 등록결정서
Decision to grant		 2007.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0562060-46
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.16 수리 (Accepted) 4-1-2008-5059312-66
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5074743-27
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2008-5208083-56
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149242-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.09.14 수리 (Accepted) 4-1-2017-5149265-52
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번호 청구항
1 1
a) 자기조립 분자막이 패터닝된 기질 상에 아연 원과 산소 원을 도입하여 화학 증착법으로 상기 자기조립 분자막이 형성되지 않은 부분에 산화아연 시드층을 형성시키는 단계;b) 상기 증착된 산화아연 시드층 상에 화학 증착법으로 산화아연 나노 바늘을 수직 성장시키는 단계;를 특징으로 하는 기질 상에 산화아연 나노 바늘을 성장시키는 방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 자기조립 분자막은 미세접촉 인쇄법으로 패터닝된 것임을 특징으로 하는 기질 상에 산화아연 나노 바늘을 성장시키는 방법
4 4
제 3항에 있어서, 패터닝되는 물질이 하기 RSiX3로 표시되며 X는 할로겐 또는 알콕시기이고 R은 n-알킬기(n-CnH2n+1)인 n-알킬실란 화합물인 것을 특징으로 하는 기질 상에 산화아연 나노 바늘을 성장시키는 방법
5 5
제 3항에 있어서, a) 단계에서 시드층 형성시 기질의 온도를 상온 내지 350℃로 유지하며, 상기 b) 단계에서 나노 바늘의 수직 성장 시 기질의 온도를 500 내지 800℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 기질 상에 산화아연 나노 바늘을 성장시키는 방법
6 6
제 5항에 있어서, a) 단계에서 시드층 형성시 기질의 온도를 100 내지 200℃로 유지하며, 상기 b) 단계에서 나노 바늘의 수직 성장 시 기질의 온도를 500 내지 700℃로 유지하는 것을 특징으로 하는 기질 상에 산화아연 나노 바늘을 성장시키는 방법
7 7
제 4항에 있어서, 기질은 표면에 산화막이 형성되거나 형성되지 않은 반도체 또는 금속 기질인 것을 특징으로 하는 기질 상에 산화아연 나노 바늘을 성장시키는 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 아연 원은 디메틸아연(N,N,N,N-테트라메틸에틸렌디아민), 디에틸아연[Et2Zn], 디메틸아연[Me2Zn], 아연아세틸아세토네이트[Zn(C5H7O2)2], 초산아연[Zn(CH3COO)2] 또는 알킬산알킬아연[RZn(OR')]으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 기질 상에 산화아연 나노 바늘을 성장시키는 방법
9 9
제 1 항에 있어서,산소 원으로 산소 가스 또는 물을 사용하는 것을 특징으로 하는 기질 상에 산화아연 나노 바늘을 성장시키는 방법
10 10
제 1 항에 따른 기질 상에 산화아연 나노 바늘을 성장시키는 방법에 의하여 제조된 산화아연 나노 구조체
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.