| 1 |
1
고분자 기판 상에서, 나노 입자를 포함하는 용액의 용매에 의해 용해된 상기 고분자 기판을 구성하는 유기 화합물, 상기 용매 및 상기 나노 입자를 용융 결정화시켜 결정화물을 형성하는 단계; 및상기 결정화물에서 상기 용매의 결정을 제거하여 상기 유기 화합물 및 상기 나노 입자의 복합화물을 포함하는 하이브리드 표면층을 형성하는 단계를 포함함으로써,상기 하이브리드 표면층에는 상기 나노입자를 수용하는 돌기들이 서로 이격되어 반복 배치되고,상기 돌기들의 하단부들이 각각 상기 고분자 기판과 연결되어 다수의 기공들을 형성하는 구조를 형성하며,상기 고분자 기판과 상기 돌기가 일체화된 것인,고분자 기판에 하이브리드 표면층을 형성하는 방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 결정화물을 형성하는 단계는고분자 기판을 제1 온도로 냉각시키는 단계; 및상기 제1 온도로 냉각된 고분자 기판 상에 상기 용액을 도포하는 단계를 포함하고,상기 용액의 용매는 상기 제1 온도보다 높은 제2 온도의 어는점을 가지며,상기 용액이 도포된 상태에서 용융 결정화가 일어나는 것을 특징으로 하는,고분자 기판에 하이브리드 표면층을 형성하는 방법
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 결정화물을 형성하는 단계는고분자 기판 상에 상기 용액을 도포하는 단계;상기 용액이 도포된 상태를 유지하는 단계; 및상기 용액이 도포된 고분자 기판을 냉각시키는 단계를 포함하고,상기 고분자 기판을 냉각시키는 단계에서 용융 결정화가 일어나는 것을 특징으로 하는,고분자 기판에 하이브리드 표면층을 형성하는 방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 하이브리드 표면층을 형성하는 단계는상기 결정화물이 형성된 고분자 기판을 비용매에 침지하여 상기 용매에 의한 결정을 선택적으로 제거하거나, 동결건조 공정을 통해 제거하는 것을 특징으로 하는,고분자 기판에 하이브리드 표면층을 형성하는 방법
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 하이브리드 표면층을 형성하는 단계는상기 결정화물을 형성하는 공정에서 미복합화 나노 입자를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는,고분자 기판에 하이브리드 표면층을 형성하는 방법
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 나노 입자의 크기는 2 ㎛이하인 것을 특징으로 하는,고분자 기판에 하이브리드 표면층을 형성하는 방법
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 고분자 기판은 열가소성 수지 기판인 것을 특징으로 하는,고분자 기판에 하이브리드 표면층을 형성하는 방법
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
제1항에 있어서,각 돌기의 상단부에 배치된 나노 입자의 밀도는 하단부에 배치된 나노 입자의 밀도보다 작은 것을 특징으로 하는,고분자 기판에 하이브리드 표면층을 형성하는 방법
|
| 10 |
10
고분자 기판; 및상기 고분자 기판이 용해됨으로써, 상기 고분자 기판의 표면에 상기 고분자 기판과 일체로 형성되고, 상기 고분자 기판을 구성하는 유기 화합물과 나노 입자가 복합화된 하이브리드 표면층을 포함하고,상기 하이브리드 표면층은 상기 나노 입자를 수용하는 상기 유기화합물 기반의 돌기들이 서로 이격되어 반복 배치되고,상기 돌기들의 하단부들이 서로 상기 고분자 기판과 연결되어 다수의 기공들을 형성하는 구조를 갖는 것인,하이브리드 구조체
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
제10항에 있어서,각 돌기의 상단부에 배치된 나노 입자의 밀도는 하단부에 배치된 나노 입자의 밀도보다 작은 것을 특징으로 하는,하이브리드 구조체
|
