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미세배선 형성 방법(Method of forming fine wiring)

  • 기술번호 : KST2017008327
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 유연 기판 상에 낮은 배선폭과 피치 간격을 가지면서도 낮은 저항값 및 유연유연 기판과의 높은 밀착성을 가지는 금속배선을 형성하기 위하여, 유연 기판 상에 희생층을 형성하는 단계; 상기 유연 기판과 상기 희생층의 일부를 제거하여 오목부를 형성하는 단계; 상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판 상의 전면에 씨앗층을 형성하는 단계; 리프트 오프(lift-off) 공정으로 상기 희생층을 제거하고 상기 씨앗층 중에서 상기 오목부에 형성된 부분을 제외한 나머지를 제거하는 단계; 및 상기 오목부에 존재하는 씨앗층 상에 도금 공정으로 도금 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는 미세배선 형성 방법을 제공한다.
Int. CL H01L 21/768 (2006.01.01) H01L 51/00 (2006.01.01)
CPC H01L 21/7688(2013.01) H01L 21/7688(2013.01) H01L 21/7688(2013.01) H01L 21/7688(2013.01)
출원번호/일자 1020150148850 (2015.10.26)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0048013 (2017.05.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.09.02)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 나종주 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 최철진 대한민국 경상남도 창원시 의창구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.10.26 수리 (Accepted) 1-1-2015-1038339-30
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
3 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
2020.09.02 수리 (Accepted) 1-1-2020-0929841-32
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번호 청구항
1 1
유연 기판 상에 희생층을 형성하는 단계;상기 유연 기판과 상기 희생층의 일부를 제거하여 오목부를 형성하는 단계;상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판 상의 전면에 씨앗층을 형성하는 단계;리프트 오프(lift-off) 공정으로 상기 희생층을 제거하고 상기 씨앗층 중에서 상기 오목부에 형성된 부분을 제외한 나머지를 제거하는 단계; 및상기 오목부에 존재하는 씨앗층 상에 도금 공정으로 도금 패턴을 형성하는 단계;를 포함하는, 미세배선 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 유연 기판과 상기 희생층의 일부를 제거하여 오목부를 형성하는 단계;에서 상기 오목부의 내부면은 상기 희생층이 존재하지 않고 상기 유연 기판이 노출된 것을 특징으로 하는, 미세배선 형성 방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판 상의 전면에 씨앗층을 형성하는 단계;는 상기 희생층 및 상기 오목부 상에 씨앗층을 형성하는 단계;를 포함하는, 미세배선 형성 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 유연 기판과 상기 희생층의 일부를 제거하여 오목부를 형성하는 단계;는 기계적 가공법, 레이저 가공법, 열적 가공법, 물리적 가공법 및 화학적 가공법 중에서 선택된 어느 하나 이상의 가공법으로 수행되는, 미세배선 형성 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 유연 기판과 상기 희생층의 일부를 제거하여 오목부를 형성하는 단계;는 마이크로 인덴터(micro-indentor)를 이용한 스크라이빙(scribing) 공정으로 트렌치를 형성하는 단계;를 포함하는, 미세배선 형성 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 유연 기판과 상기 희생층의 일부를 제거하여 오목부를 형성하는 단계;는 레이저를 이용한 스크라이빙(scribing) 공정으로 트렌치를 형성하는 단계;를 포함하는, 미세배선 형성 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 유연 기판은 폴리이미드 유연 기판을 포함하고, 상기 희생층은 PVDF(Poly Vinylidene Fluoride)층을 포함하고, 상기 씨앗층은 NiB층을 포함하고, 상기 도금 패턴은 구리 패턴을 포함하는, 미세배선 형성 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 유연 기판 상에 희생층을 형성하는 단계;는 상기 유연 기판 상에 DMF(Dimethyl Formamide) 및 PVDF(Poly Vinylidene Fluoride) 용액을 스핀 코팅하여 PVDF(Poly Vinylidene Fluoride)층을 형성하는 단계;를 포함하는, 미세배선 형성 방법
9 9
제 7 항에 있어서,상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판 상의 전면에 씨앗층을 형성하는 단계;는 상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판을 NaOH 용액으로 세척하는 제 1 단계; 상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판에 대하여 KMnO4 용액 및 H2SO4 용액으로 에칭하는 제 2 단계; 상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판에 대하여 SnCl2 용액 및 HCl 용액으로 활성화하는 제 3 단계; 상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판에 대하여 PdCl2 용액 및 HCl 용액으로 촉매처리하는 제 4 단계; 상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판에 대하여 증류수로 세척하는 제 5 단계; 및 상기 오목부가 형성된 상기 유연 기판에 대하여 NiB 무전해 도금층을 형성하는 제 6 단계;를 포함하는, 미세배선 형성 방법
10 10
제 7 항에 있어서,상기 리프트 오프(lift-off) 공정은 DMF(Dimethyl Formamide) 용액을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는, 미세배선 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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