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전자-정공의 재결합에 의해 빛을 발산하거나 외부로부터 입사되는 에너지를 전기적 에너지로 변환하여 전달하는 발광소자 및 광전소자를 포함하는 광소자의 에너지 변환층으로 이용되는 양자점에 있어서,
상기 양자점은;
반도체 물질로 구성되는 코어와,
상기 코어의 둘레에 흡착되며 부도성 유기물에서 치환된 도전성 분자로 이루어짐을 특징으로 하는 전자 전달 기능을 갖는 양자점
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제 1항에 있어서,
상기 코어의 둘레의 도전성 분자 내측에는 상기 코어를 보호하는 쉘이 더 형성됨을 특징으로 하는 전자 전달 기능을 갖는 양자점
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제 1항에 있어서,
상기 코어는 II-VI족, III-V족, IV-VI족, IV족 반도체 화합물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 전자 전달 기능을 갖는 양자점
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제 1항에 있어서,
상기 코어는 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, PbS, PbSe, PbTe, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, GaAs, InN, InP, InAs,InSb, 또는 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것임을 특징으로 하는 전자 전달 기능을 갖는 양자점
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제 1항에 있어서,
상기 도전성 분자는 도전성 아민이나 포스핀을 포함하는 분자로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자 전달 기능을 갖는 양자점
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제 5항에 있어서,
상기 도전성 아민이나 포스핀을 포함하는 분자는 카본(carbon)이 1-3 인 알킬 아민이나 포스핀계, 알릴아민이나 포스핀계, biphenyl, pyridine 혹은 이를 포함하는 전이금속화합물 중 선택된 것을 특징으로 하는 전자 전달 기능을 갖는 양자점
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전자-정공의 재결합에 의해 빛을 발산하거나 외부로부터 입사되는 에너지를 전기적 에너지로 변환하여 전달하는 발광소자 및 광전소자를 포함하는 광소자의 에너지 변환층으로 이용되는 양자점 제조 방법에 있어서,
상기 양자점을 구성하는 코어 둘레에 흡착된 부도성 유기물을 도전성 분자로 치환시키는 것을 특징으로 하는 전자 전달 기능을 갖는 양자점 제조 방법
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제 7항에 있어서,
상기 부도성 유기물을 도전성 분자로 치환 방법은,
습식 합성법을 이용하여 고온의 유기용매에서 반도체 화합물로 이루어지는 코어와 코어 둘레에 흡착된 부도성 유기물로 이루어진 양자점을 형성하고,
상기 양자점이 형성된 용매에 도전성 분자를 첨가한 후 교반 공정을 통해 상기 부도성 유기물을 도전성 분자로 치환하는 것을 특징으로 하는 전자 전달 기능을 갖는 양자점 제조 방법
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제 8항에 있어서,
상기 교반 공정은 양자점이 용해된 혼합 용매에 도전성 분자를 첨가한 후 10~150℃ 온도로 가열한 상태에서 2~24 시간 실시함을 특징으로 하는 전자 전달 기능을 갖는 양자점 제조 방법
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제 8항에 있어서,
상기 코어의 둘레에의 도전성 분자 내측에는 상기 코어를 보호하는 쉘이 더 형성되도록 함을 특징으로 전자 전달 기능을 갖는 양자점 제조 방법
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제 8항에 있어서,
상기 코어는 II-VI족, III-V족, IV-VI족, IV족 반도체 화합물 및 이들의 혼합물로 형성함을 특징으로 하는 전자 전달 기능을 갖는 양자점 제조 방법
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제 8항에 있어서,
상기 코어는 CdS, CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe, HgS, HgSe, HgTe, PbS, PbSe, PbTe, AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, GaAs, InN, InP, InAs,InSb, 또는 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 것으로 형성함을 특징으로 하는 전자 전달 기능을 갖는 양자점 제조 방법
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제 8항에 있어서,
상기 도전성 분자는 도전성 아민이나 포스핀을 포함하는 분자로 이루어진 것을 특징으로 하는 전자 전달 기능을 갖는 양자점 제조 방법
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제 13항에 있어서,
상기 도전성 아민이나 포스핀을 포함하는 분자는 카본(carbon)이 1-3 인 알킬 아민이나 포스핀계, 알릴아민이나 포스핀계, biphenyl, pyridine 혹은 이를 포함하는 전이금속화합물 중 선택된 것을 특징으로 하는 전자 전달 기능을 갖는 양자점 제조 방법
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