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비금속 원소로 도핑된 그래핀 격자; 및 상기 비금속 원소로 도핑된 그래핀 격자 내부에 기공;을 포함하는 열전 복합 구조체
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제1항에 있어서, 상기 열전 복합 구조체는 삼차원 망상(3-dimensional interpenetrating) 구조체인 열전 복합 구조체
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제1항에 있어서, 복수의 상기 기공이 서로 연결되어 채널이 형성되어 있는 열전 복합 구조체
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제1항에 있어서, 상기 도핑된 비금속 원소는 13족 원소 내지 16족 원소로부터 선택된 1종 이상의 원소를 포함하는 열전 복합 구조체
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제1항에 있어서, 상기 도핑된 비금속 원소는 붕소(B), 질소(N), 황(S), 및 인(P)으로부터 선택된 1종 이상의 원소를 포함하는 열전 복합 구조체
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제1항에 있어서, 상기 비금속 원소로 도핑된 그래핀은 p형 또는 n형 환원된 그래핀 산화물(reduced graphene oxide; rGO)을 포함하는 열전 복합 구조체
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제1항에 있어서, 상기 비금속 원소로 도핑된 그래핀은 1층 내지 100층의 두께를 갖는 열전 복합 구조체
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제1항에 있어서, 상기 열전 복합 구조체는 환원 분위기 하에 열처리한 결과물인 열전 복합 구조체
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제1항 및 제8항 중 어느 한 항에 따른 열전 복합 구조체를 포함하는 열전소자
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비금속 원소를 포함하는 고분자 템플릿 용액, 및 그래핀 용액을 혼합 및 분산시켜 분산액을 수득하는 단계; 및 상기 분산액을 여과 및 건조시킨 후 환원 분위기 하에 열처리하여 제1항에 따른 열전 복합 구조체를 제조하는 단계;를 포함하는 열전 복합 구조체의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 비금속 원소는 13족 원소 내지 16족 원소로부터 선택된 1종 이상의 원소를 포함하는 열전 복합 구조체의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 고분자 템플릿 용액의 고분자는 폴리스티렌, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리비닐클로라이드, 폴리에틸렌 옥사이드, 이들의 공중합체, 또는 이들 혼합물로부터 선택된 1종 이상인 열전 복합 구조체의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 그래핀 용액은 그래핀 산화물 용액을 포함하는 열전 복합 구조체의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 환원 분위기는 비활성 가스 분위기인 열전 복합 구조체의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 열처리는 200℃ 내지 1500℃의 범위에서 수행되는 열전 복합 구조체의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 열처리는 두 단계로 진행되는 열전 복합 구조체의 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 열전 복합 구조체를 제조하는 단계는 상기 고분자 템플릿 용액으로부터 형성된 고분자 템플릿을 제거하여 복수의 기공을 형성하고, 상기 고분자 템플릿으로부터 유래된 비금속 원소로 도핑된 p형 또는 n형 환원된 그래핀 산화물(reduced graphene oxide; rGO)을 포함하는 열전 복합 구조체를 제조하는 공정을 포함하는 열전 복합 구조체의 제조방법
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제17항에 있어서, 상기 비금속 원소로 도핑된 p형 또는 n형 환원된 그래핀 산화물의 부피는 상기 고분자 템플릿의 고분자 입자 부피와 상기 환원된 그래핀 산화물 부피의 총합을 기준으로 하여 5 부피% 내지 90 부피%인 열전 복합 구조체의 제조방법
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제17항에 있어서, 상기 비금속 원소로 도핑된 p형 또는 n형 환원된 그래핀 산화물의 부피는 상기 고분자 템플릿의 고분자 입자 부피와 상기 환원된 그래핀 산화물 부피의 총합을 기준으로 하여 40 부피% 내지 80 부피%인 열전 복합 구조체의 제조방법
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