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금속 나노선 전극의 제조 방법(MANUFACTURING METHOD OF METAL NANOWIRE ELECTRODE)

  • 기술번호 : KST2017009908
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 금속 나노선 전극의 제조 방법은 금속 나노선을 형성하는 단계, 상기 금속 나노선을 화학적으로 환원시켜 인접하는 금속 나노선을 연결하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01B 13/00 (2006.01.01) H01B 1/02 (2006.01.01)
CPC H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01)
출원번호/일자 1020150173270 (2015.12.07)
출원인 삼성디스플레이 주식회사, 한국과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0067204 (2017.06.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2020.11.24)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 삼성디스플레이 주식회사 대한민국 경기 용인시 기흥구
2 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최진환 대한민국 서울특별시 송파구
2 이정용 미국 대전광역시 유성구
3 김태웅 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 안재호 대한민국 대전시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2015-1195638-70
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5016605-77
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
6 [심사청구]심사청구서·우선심사신청서
2020.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2020-1262172-18
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번호 청구항
1 1
금속 나노선을 형성하는 단계;상기 금속 나노선을 화학적으로 환원시켜 인접하는 금속 나노선을 연결하는 단계를 포함하는, 금속 나노선 전극의 제조 방법
2 2
제1항에서,상기 금속 나노선을 화학적으로 환원시키는 단계에서 사용되는 환원제는 하이드라진(Hydrazine), 하이드록실아민(hydroxylamine), 포름알데히드(formaldehyde)를 포함하는 알데히드, 차아인산염(hypophosphites), 황산염(sulfites), 리튬(Li)을 포함하는 테트라히드로붕산염(tetrahydroborates), 나트륨(Na)을 포함하는 테트라히드로붕산염(tetrahydroborates), 칼륨(K)을 포함하는 테트라히드로붕산염(tetrahydroborates), LiAlH4, 하이드로퀴논(hydroquinone), 알킬(alkyl) 치환된 하이드로퀴논(hydroquinones)을 포함하는 폴리하이드록시벤젠 (polyhydroxybenzenes), 피로갈롤 (pyrogallol), 페닐렌디아민 (phenylenediamines), 아미노페놀(aminophenols), 아스코르브산(ascorbic acid), 아스코르브산 케탈(ascorbic acid ketals), 아스코르브산(ascorbic acid)계 물질, 3-피라졸리돈(3-pyrazolidone), 히드록시테트론산(hydroxytetronic acid), 히드록시테트론아미드(hydroxytetronamide), 비스나프톨(bisnaphthols), 술폰아미도페놀(sulfonamidophenols), 리튬(Li), 나트륨(Na) 및 칼륨(K)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 금속 나노선 전극의 제조 방법
3 3
제2항에서,상기 금속 나노선은 납(Pb), 인듐(In), 주석(Sn), 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au), 백금(Pt), 티타늄(Ti), 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co) 및 이의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속을 포함하는 금속 나노선 전극의 제조 방법
4 4
제3항에서,상기 금속 나노선은 은을 포함하고, 상기 금속 나노선을 화학적으로 환원시키는 단계에서 사용된 환원제는 하이드라진이며,상기 환원 시간은 약 1초 내지 약 60분인 금속 나노선 전극의 제조 방법
5 5
제3항에서,상기 금속 나노선은 구리를 포함하고, 상기 금속 나노선을 화학적으로 환원시키는 단계에서 사용된 환원제는 하이드라진이며,상기 환원 시간은 약 1초 내지 약 60분인 금속 나노선 전극의 제조 방법
6 6
제1항에서,상기 금속 나노선을 화학적으로 환원시키는 단계는,환원제를 기화시킨 상태에서 상기 금속 나노선과 반응하는 방법으로 이루어지는 금속 나노선 전극의 제조 방법
7 7
제1항에서,상기 금속 나노선을 화학적으로 환원시키는 단계는,용액 상태의 환원제에 상기 금속 나노선을 침지시키는 방법으로 이루어지는 금속 나노선 전극의 제조 방법
8 8
제1항에서,상기 금속 나노선을 형성하는 단계와 상기 금속 나노선을 화학적으로 환원시켜 인접하는 금속 나노선을 연결하는 단계 사이에,상기 금속 나노선을 기판에 증착하는 단계를 더 포함하는 금속 나노선 전극의 제조 방법
9 9
제8항에서,상기 금속 나노선을 화학적으로 환원시켜 인접하는 금속 나노선을 연결하는 단계 이후,상기 금속 나노선을 물에 침지시켜 상기 기판에 증착된 금속 나노선과 기판을 분리하는 단계를 더 포함하는 금속 나노선 전극의 제조 방법
10 10
제9항에서,상기 상기 금속 나노선을 물에 침지시켜 상기 기판에 증착된 금속 나노선과 기판을 분리하는 단계 이후,상기 분리된 금속 나노선을 기재에 전사하는 단계를 더 포함하는 금속 나노선 전극의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US10780494 US 미국 FAMILY
2 US20170157670 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2017157670 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.