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능동 영역 및 수동 영역을 구비하는 III-V족 화합물 반도체 기판 상에 III-V족 화합물 반도체를 포함하는 진성 반도체층을 형성하는 단계; 상기 능동 영역에 대응하는 진성 반도체층에 제1 불순물을 도핑하여, 상기 기판 상에 배치되고 상기 제1 불순물이 도핑되지 않은 코어층, 및 상기 코어층 상에 배치되고 상기 제1 불순물이 도핑된 영역을 포함하는 상부 클래드층을 형성하는 단계; 및 상기 코어층, 및 상기 상부 클래드층을 패터닝하는 단계를 포함하며, 상기 코어층은 상기 능동 영역에 배치되는 능동 코어층, 및 상기 수동 영역에 배치되는 수동 코어층을 포함하고, 상기 상부 클래드층은 상기 능동 코어층 상에 배치되고 상기 제1 불순물이 도핑된 능동 상부 클래드층, 및 상기 수동 코어층 상에 배치되고 상기 제1 불순물이 도핑되지 않은 수동 상부 클래드층을 포함하며, 상기 능동 상부 클래드층 및 상기 수동 상부 클래드층은 동일한 두께를 가지는 마흐-젠더 전기 광학 변조기의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 기판은 제2 불순물이 도핑된 상태를 가지며, 상기 제2 불순물의 극성은 상기 능동 상부 클래드층의 극성과 반대인 마흐-젠더 전기 광학 변조기의 제조 방법
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제2 항에 있어서, 상기 제2 불순물은 N형 불순물인 마흐-젠더 전기 광학 변조기의 제조 방법
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제1 항에 있어서, 상기 기판 및 상기 진성 반도체층 사이에 배치되는 III-V족 화합물 반도체를 포함하는 하부 클래드층을 형성하는 단계를 더 포함하는 마흐-젠더 전기 광학 변조기의 제조 방법
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제4 항에 있어서, 상기 제1 불순물의 극성은 상기 하부 클래드층의 극성과 반대인 마흐-젠더 전기 광학 변조기의 제조 방법
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제5 항에 있어서, 상기 하부 클래드층은 N형 불순물이 도핑된 III-V족 화합물 반도체 물질을 포함하며, 상기 제1 불순물은 P형 불순물인 마흐-젠더 전기 광학 변조기의 제조 방법
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제6 항에 있어서, 상기 제1 불순물은 Zn을 포함하는 마흐-젠더 전기 광학 변조기의 제조 방법
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능동 영역 및 수동 영역을 구비하는 III-V족 화합물 반도체 기판 상에 배치되고, III-V족 화합물 반도체를 포함하는 능동 코어층 및 수동 코어층을 포함하는 코어층; 및 상기 코어층 상부에 배치되는 III-V족 화합물 반도체를 포함하는 상부 클래드층을 포함하며, 상기 상부 클래드층은 상기 능동 코어층 상에 배치되고 제1 불순물이 도핑된 능동 상부 클래드층; 및 상기 수동 코어층 상에 배치되고 상기 제1 불순물이 도핑되지 않은 수동 상부 클래드층을 포함하며, 상기 능동 상부 클래드층 및 상기 수동 상부 클래드층은 동일한 두께를 가지는 마흐-젠더 전기 광학 변조기
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제8 항에 있어서, 상기 기판은 상기 제1 불순물의 극성과 다른 극성을 가지는 제2 불순물이 도핑된 마흐-젠더 전기 광학 변조기
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제8 항에 있어서, 상기 기판 및 상기 코어층 사이에 배치되는 III-V족 화합물 반도체를 포함하는 하부 클래드층을 더 포함하는 마흐-젠더 전기 광학 변조기
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제10 항에 있어서, 상기 제1 불순물은 상기 하부 클래드층의 극성과 반대 극성을 가지는 불순물인 마흐-젠더 전기 광학 변조기
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제11 항에 있어서, 상기 하부 클래드층은 N형 불순물이 도핑된 반도체 물질을 포함하며, 상기 제1 불순물은 P형 불순물인 마흐-젠더 전기 광학 변조기
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