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100 MPa 이하의 탄성계수를 갖는 고무 재질의 제1기판; 및 하나 이상의 천공을 구비하고, 상기 제1기판의 탄성계수보다 더욱 큰 탄성계수를 갖는 고분자 재질의 제2기판;을 포함하고, 상기 제1기판이 상기 제2기판과 웰의 모폴로지를 그대로 따라가며 등각 접촉 하에 접합되어 상기 제1기판이 웰의 바닥면을 형성하고 상기 제2기판의 천공이 웰의 측벽을 형성하고 담지되는 배양액이 새지 않도록 하는, 웰 플레이트 형태이며,상기 제1기판은 하기 i) 내지 v) 중 적어도 하나 이상을 특징으로 하는 것인, 세포 배양 용기:i) 웰의 바닥면에 대응되는 제1기판의 표면에 마이크로 또는 나노 패턴을 구비함;ii) 도체, 반도체 또는 자성 물질을 추가로 제1기판 내부에 포함하고, 여기에서 상기 도체, 반도체 또는 자성 물질이 제1기판 내부에서 회로를 형성하고 상기 회로의 말단이 웰의 바닥면에 대응되는 표면에 노출됨;iii) 웰의 바닥면에 대응되는 제1기판의 표면에 정렬된 산화아연 나노로드층과 고무 코팅층이 교번하여 적층되어 피에조일렉트릭(piezoelectrics) 특성을 가짐;iv) 웰의 바닥면에 대응되는 제1기판의 표면에 형성된 금 나노 입자 및 상기 금 나노 입자 위에서 성장된 산화아연 나노로드를 포함하여 파이로일렉트릭(pyroelectric) 특성을 가짐; 및v) 웰의 바닥면에 대응되는 제1기판의 표면에 올리고머, 압타머, 유전자, 펩타이드, 단백질, 항체, 산화아연, 그라핀 또는 이의 조합의 코팅층을 포함함
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제1항에 있어서, 상기 제1기판은 탄성계수가 0
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제1항에 있어서, 상기 제1기판은 실리콘계 고무 재질로 이루어진 것이 특징인 세포 배양 용기
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제1항에 있어서, 상기 제1기판은 투명한 것이 특징인 세포 배양 용기
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제1항에 있어서, 상기 i) 내지 v) 중 적어도 하나 이상의 특징에서 부가되는 물질의 양, 두께 또는 크기가 조절되어 각각의 부여되는 특징이 조절되는 것인, 세포 배양 용기
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제1항에 있어서, 상기 i) 내지 v) 중 적어도 둘 이상의 특징이 조합되어 어레이(array) 형태로 제작된 것이 특징인 세포 배양 용기
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제1항에 있어서, 제2기판은 폴리스티렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리우레탄 아크릴레이트 또는 이의 조합을 포함하는 고분자 재질인 것이 특징인 세포 배양 용기
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제1항에 있어서, 상기 제1기판과 제2기판은 제1기판과 제2기판의 일 면에 실레인(silane) 작용기를 갖는 고분자가 코팅되고, 열처리되어 접합된 것이 특징인 세포 배양 용기
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제1항에 있어서, 1536-웰 플레이트, 384-웰 플레이트, 96-웰 플레이트, 48-웰 플레이트, 24-웰 플레이트, 12-웰 플레이트, 또는 6-웰 플레이트인 것이 특징인 세포 배양 용기
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100 MPa 이하의 탄성계수를 갖는 고무 재질이며, 하기 i) 내지 v) 중 적어도 하나 이상을 특징으로 하는 것인 제1기판을 준비하는 제1단계; i) 웰의 바닥면에 대응되는 제1기판의 표면에 마이크로 또는 나노 패턴을 구비함; ii) 도체, 반도체 또는 자성 물질을 추가로 제1기판 내부에 포함하고, 여기에서 상기 도체, 반도체 또는 자성 물질이 제1기판 내부에서 회로를 형성하고 상기 회로의 말단이 웰의 바닥면에 대응되는 표면에 노출됨; iii) 웰의 바닥면에 대응되는 제1기판의 표면에 정렬된 산화아연 나노로드층과 고무 코팅층이 교번하여 적층되어 피에조일렉트릭(piezoelectrics) 특성을 가짐; iv) 웰의 바닥면에 대응되는 제1기판의 표면에 형성된 금 나노 입자 및 상기 금 나노 입자 위에서 성장된 산화아연 나노로드를 포함하여 파이로일렉트릭(pyroelectric) 특성을 가짐; 및 v) 웰의 바닥면에 대응되는 제1기판의 표면에 올리고머, 압타머, 유전자, 펩타이드, 단백질, 항체, 산화아연, 그라핀 또는 이의 조합의 코팅층을 포함함
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제11항에 있어서, 상기 제3단계는 제1기판과 제2기판의 일 면에 실레인(silane) 작용기를 갖는 고분자를 코팅하고, 열처리함으로써 수행하는 것이 특징인 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 실레인(silane) 작용기를 갖는 고분자는 3-아미노프로필 트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필 트리에톡시실란, 또는 이의 조합인 것이 특징인 제조방법
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제12항에 있어서, 고분자 코팅을 위해 제1기판과 제2기판의 일 면에 산소 플라즈마 개질을 수행하는 것이 특징인 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 열처리는 60 내지 100℃로 수행하는 것이 특징인 제조방법
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제1항 내지 제4항 및 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항의 세포 배양 용기에서 세포를 배양하는 단계를 포함하는 세포 배양 방법
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제1항 내지 제4항 및 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항의 세포 배양 용기에서 세포를 배양하는 단계; 및 상기 세포 배양 용기 상의 세포를 분석하는 단계를 포함하는, 세포 분석 방법
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제17항에 있어서, 상기 세포 분석 방법은 모폴로지 분석법(morphologic analysis), 효소면역분석법(ELISA), 면역블로팅 분석법(Immunoblotting), 면역형광 분석법(Immumoflorescenece), 면역조직화학염색(Immunohistochemistry staning), 유세포 분석법(Flow cytometry), 면역세포화학법, 방사능면역분석법(RIA), 면역침전분석법(Immunoprecipitation assay), RT-PCR(Reverse Transcriptase Polymerase Chain Reaction), 면역확산분석법(Immunodiffusion assay) 및 보체 고정 분석법(Complement fixation assay)으로 구성된 군에서 선택된 것인 세포 분석 방법
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