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전계 효과 트랜지스터(FIELD EFFECT TRANSISTOR)

  • 기술번호 : KST2017010634
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 실시예에 따른 전계 효과 트랜지스터는 기판 상에 제공된 활성층과, 상기 활성층 상에 배치된 캡층과, 상기 활성층 및 상기 캡층 중 어느 하나의 층 상에 제공되며 일정 간격 이격된 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 배치된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극과 상기 드레인 전극 사이에 제공된 더미 전극 패드, 및 상기 게이트 전극과 상기 더미 전극 패드 상에 제공되며 상기 소스 전극과 상기 더미 전극 패드를 전기적으로 연결하는 전계 전극을 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 29/778 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01) H01L 29/778(2013.01)
출원번호/일자 1020160069686 (2016.06.03)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0074153 (2017.06.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020150181944   |   2015.12.18
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.08.23)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 민병규 대한민국 세종특별자치시 누리로 **,
2 윤형섭 대한민국 대전광역시 유성구
3 이종민 대한민국 대전광역시 유성구
4 강동민 대한민국 대전광역시 유성구
5 김동영 대한민국 대전광역시 유성구
6 김성일 대한민국 대전광역시 유성구
7 김해천 대한민국 대전광역시 유성구
8 안호균 대한민국 대전광역시 유성구
9 이상흥 대한민국 대전광역시 서구
10 임종원 대한민국 대전광역시 서구
11 조규준 대한민국 대전광역시 유성구
12 주철원 대한민국 대전광역시 유성구
13 도재원 대한민국 대전광역시 유성구
14 신민정 대한민국 대전광역시 유성구
15 장성재 대한민국 대전광역시 유성구
16 장유진 대한민국 대전광역시 유성구
17 정현욱 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-0539928-96
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2016.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-1030993-28
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2019.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2019-0870116-74
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.08.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0870115-28
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2020.01.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2020.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2020-0010480-18
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.08.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0569621-07
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.09.25 수리 (Accepted) 1-1-2020-1022367-52
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.09.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-1022368-08
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번호 청구항
1 1
기판 상에 제공된 활성층;상기 활성층 상에 배치된 캡층;상기 활성층 및 상기 캡층 중 어느 하나의 층 상에 제공되며 일정 간격 이격된 소스 전극 및 드레인 전극;상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 배치된 게이트 전극;상기 게이트 전극과 상기 드레인 전극 사이에 제공된 더미 전극 패드; 및상기 게이트 전극과 상기 더미 전극 패드 상에 제공되며 상기 소스 전극과 상기 더미 전극 패드를 전기적으로 연결하는 전계 전극을 포함하는 전계 효과 트랜지스터
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국전자통신연구원 한국전자통신연구원연구개발지원 고효율 GaN 기반 차세대 이동통신 기지국 단말기용 핵심부품 및 모듈 개발