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듀얼 게이트(Dual-Gate) 구조로 이루어진 유기 전계효과 트랜지스터(Organic Field-Effect Transistor: OFET) 타입의 복합센서장치에 있어서,서로 이격하여 평형하게 배치된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하여 이루어지는 소스드레인 전극층;상기 소스드레인 전극층 상단에 배치된 제 1 게이트 전극층;상기 소스드레인 전극층 하단에 배치된 제 2 게이트 전극층;상기 소스드레인 전극층과 상기 제 1 게이트 전극층 사이에 위치하되 자외선감지를 수행하는 제 1 유전체(dielectric)층; 및상기 소스드레인 전극층과 상기 제 2 게이트 전극층 사이에 위치하되 가스감지를 수행하는 채널(channel)층;을 포함하여 이루어지는, 듀얼 게이트 구조로 이루어진 OFET 타입 복합센서장치
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 게이트 전극층과 상기 채널층 사이에 제 2 유전체(dielectric)층을 더 포함하되,상기 제 1 유전체층 및 상기 제 2 유전체층은 산화규소(SiO2), 이온결합 물질, 고 유전체 물질(high-K dielectrics), 전해 물질, 페로브스카이트(perovskite) 물질을 포함하는 무기 유전체 물질 또는 유기 유전체 물질 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는, 듀얼 게이트 구조로 이루어진 OFET 타입 복합센서장치
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제1항에 있어서,상기 채널층은 전도성 물질을 포함하여 이루어지되,상기 전도성 물질은 탄소나노튜브(multi-wall carbon nanotubes: MWCNT), 산화아연(ZnO), 폴리피롤(Polypyrrole: PPy), 폴리아닐린(polyaniline: Pani) 또는 폴리치오펜(polythiophene: PTh) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는, 듀얼 게이트 구조로 이루어진 OFET 타입 복합센서장치
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제1항에 있어서,상기 제 1 유전체층은 광감응성 물질(Photochromic molecule)을 포함하여 이루어지되,상기 광감응성 물질은 아조벤젠(azobenzene), 스피로피란(Spiropyran), 디아릴에텐(Diarylethene) 또는 이들의 유도체(derivatives) 중 어느 하나를 포함하여 이루어지는, 듀얼 게이트 구조로 이루어진 OFET 타입 복합센서장치
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제1항에 있어서,상기 복합센서장치는 반도체 장치, 기계장치, 모바일 장치, 스마트폰, 태블릿, 노트북, 컴퓨터 장치, 웨어러블 장치, 메디컬 장치 또는 헬스케어 장치를 포함하여 이루어지는 이동성이 있는 단말에 결합될 수 있는 것을 특징으로 하는, 듀얼 게이트 구조로 이루어진 OFET 타입 복합센서장치
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제1항에 있어서,상기 채널층에서 감지되는 가스는 NOx 계열 가스, O3(오존) 가스, VOC(Volatile Organic Compounds), HCHO(formaldehyde), 탄소(carbon) 계열 가스, 황(sulfur) 계열 가스 또는 미세먼지(PM-10) 중 적어도 하나 이상인 것을 특징으로 하는, 듀얼 게이트 구조로 이루어진 OFET 타입 복합센서장치
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제1항에 있어서,상기 채널층은 제 1 채널층 및 상기 제 1 채널층 하단에 상기 제 1 채널층과 평형하게 배치된 제 2 채널층을 포함하여 이루어지되, 상기 제 1 채널층은 자외선 및 가스에 의해 영향을 받지 않는 채널층이며, 상기 제 2 채널층은 가스에 의해 영향을 받는 채널층인 것을 특징으로 하는, 듀얼 게이트 구조로 이루어진 OFET 타입 복합센서장치
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듀얼 게이트(Dual-Gate) 구조로 이루어진 유기 전계효과 트랜지스터(Organic Field-Effect Transistor: OFET) 타입의 복합센서장치를 제조하는 방법에 있어서,게이트 전극층에 유전체층을 결합하는 단계;상기 게이트 전극층과 결합된 유전체층 상단에 가스감지를 수행하는 채널층을 코팅(coating)하는 단계; 상기 채널층 상단에 소스 전극 및 드레인 전극을 서로 이격하여 평형하게 증착(deposition)하여 소스드레인 전극층을 형성하는 단계;상기 소스드레인 전극층 상단에 자외선감지를 수행하는 유전체(dielectric)층을 코팅하는 단계; 및 상기 자외선감지를 수행하는 유전체 층 상단에 게이트 전극층을 증착하는 단계;를 포함하여 이루어지는, 듀얼 게이트 구조로 이루어진 OFET 타입 복합센서장치 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 유전체층은 산화규소(SiO2), 이온결합 물질, 고 유전체 물질(high-K dielectrics), 전해 물질, 페로브스카이트(perovskite) 물질을 포함하는 무기 유전체 물질 또는 유기 유전체 물질 중 적어도 하나를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는, 듀얼 게이트 구조로 이루어진 OFET 타입 복합센서장치 제조방법
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제 8 항에 있어서,상기 코팅은 스핀 코팅, 캐스팅, 진공증착, 프린팅, 분무코팅, 롤코팅, 슬릿코팅, 드롭캐스팅, 딥케스팅, 잉크젯 코팅, 임프린트 코팅 또는 레이져 코팅 중 어느 하나를 기반으로 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는, 듀얼 게이트 구조로 이루어진 OFET 타입 복합센서장치 제조방법
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듀얼 게이트(Dual-Gate) 및 2 채널(Two Channel) 구조로 이루어진 유기 전계효과 트랜지스터(Organic Field-Effect Transistor: OFET) 타입의 복합센서장치에 있어서,서로 이격하여 평형하게 배치된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하여 이루어지는 소스드레인 전극층;상기 소스드레인 전극층 상단에 배치된 제 1 게이트 전극층;상기 소스드레인 전극층 하단에 배치된 제 2 게이트 전극층;상기 소스드레인 전극층과 상기 제 1 게이트 전극층 사이에 위치하되 자외선감지를 수행하는 제 1 유전체(dielectric)층;상기 소스드레인 전극층과 상기 제 1 유전체층 사이에 위치하되 자외선 및 가스에 의해 영향을 받지 않는 제 1 채널(Channel)층;상기 소스드레인 전극층과 상기 제 2 게이트 전극층 사이에 위치하되 가스감지를 수행하는 채널(channel)층; 및상기 제 2 게이트 전극층과 상기 채널층 사이에 제 2 유전체(dielectric)층을 더 포함하여 이루어지는, 듀얼 게이트 및 2 채널 구조로 이루어진 OFET 타입 복합센서장치
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자외선과 가스 감지를 수행하는 유전체를 포함하는 듀얼 게이트(Dual-Gate) 구조 유기 전계효과 트랜지스터(Organic Field-Effect Transistor: OFET) 타입의 복합센서장치에 있어서,서로 이격하여 평형하게 배치된 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하여 이루어지는 소스드레인 전극층;상기 소스드레인 전극층 상단에 배치된 제 1 게이트 전극층;상기 소스드레인 전극층 하단에 배치된 제 2 게이트 전극층;상기 소스드레인 전극층과 상기 제 1 게이트 전극층 사이에 위치하되 자외선감지를 수행하는 제 1 유전체(dielectric)층;상기 소스드레인 전극층과 상기 제 2 게이트 전극층 사이에 외치하되 가스 감지를 수행하는 제 2 유전체(dielectric)층; 및상기 소스드레인 전극층과 상기 제 2 유전체층 사이에 위치하는 채널(channel)층;을 포함하여 이루어지는, 유전체를 포함하는 듀얼 게이트 구조로 이루어진 OFET 타입 복합센서장치
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