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(a) 불소계 고분자 및 용매를 혼합하여 불소계 고분자 용액을 수득하는 단계;(b) 상기 불소계 고분자 용액을 공기/물 계면에 떨어뜨려 자기 분자 배향된 박막을 전개하는 단계; 및(c) 상기 전개된 박막을 고체 기재 상에 2 내지 50 회 적층하는 단계;를 포함하고, 상기 (a) 단계는 상기 불소계 고분자 용액에 금속산화물 나노입자, 탄소나노튜브, 그래핀, 플러렌, 탄소섬유, 활성탄 및 금속 나노선(nanowire)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상을 혼합하는 단계 (a)-Ⅰ을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 불소계 고분자를 함유하는 LB 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 불소계 고분자는 폴리비닐리덴 플루오라이드(PVDF, Poly(Vinyledene Fluoride)) 또는, 비닐리덴플루오라이드(VDF, Vinyledene Fluoride)와 비닐 플루오라이드(VF, Vinyl Fluoride), 테트라플루오로에틸렌(TFE, Tetrafluoroethylene), 헥사플루오로프로필렌(HFP, Hexafluoropropylene), 클로로트리플루오로에틸렌(CTFE, chlorotrifluoroethylene), 트리플루오로에틸렌(TrFE, Trifluoroethylene), 헥사플루오로이소부틸렌(HFIB, hexafluoroisobutylene), 퍼플루오로부틸 에틸렌((Perfluorobutyl)ethylene), 퍼플루오로 메틸 비닐 에테르(PMVE, perfluoro(methylvinylether)), 퍼플루오로 에틸 비닐 에테르(PEVE, perfluoro(ethylvinylether)), 퍼플루오로 프로필 비닐 에테르(PPVE, Perfluoro(propylvinylether)), 퍼플루오로-2,2-디메틸-1,3-디옥솔(PDD) 및 퍼플루오로-2-메틸렌-4-메틸-1,3-디옥솔란(PMD)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 공단량체를 포함하는 공중합체 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 불소계 고분자를 함유하는 LB 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 용매는 밀도가 물보다 작고, 쌍극자 모멘트(dipole moment)가 1
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제3항에 있어서,상기 용매는 디메틸포름아미드, 디에틸포름아미드, 디메틸설폭시드, 디메틸아세트아미드, 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 1-부탄올, 아세톤, 아세트산, 아세트산에틸, 메틸에틸케톤 및 테트라하이드로퓨란으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 불소계 고분자를 함유하는 LB 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 불소계 고분자 용액의 농도는 15 내지 30 중량%인 것을 특징으로 하는 불소계 고분자를 함유하는 LB 박막의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 고체 기재는 유연성 플라스틱, 실리콘, 유리, 회로가 포함된 전자 장치로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 불소계 고분자를 함유하는 LB 박막의 제조방법
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삭제
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계의 적층은 (b) 단계에서 전개된 박막 및 이(異)성분 박막을 교호 적층하는 것이고;상기 이(異)성분은 금속산화물, 탄소나노튜브, 그래핀, 플러렌, 탄소섬유, 활성탄 및 금속 나노선(nanowire)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 불소계 고분자를 함유하는 LB 박막의 제조방법
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9
제1항 내지 제6항 및 제8항 중 어느 한 항에 따른 제조방법에 의하여 제조된 불소계 고분자를 함유하는 LB 박막
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제9항에 따른 불소계 고분자를 함유하는 LB 박막을 포함하는 음향 장치
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제9항에 따른 불소계 고분자를 함유하는 LB 박막을 포함하는 전기화학적 에너지 발생 또는 저장 소자
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제9항에 따른 불소계 고분자를 함유하는 LB 박막을 포함하는 압전 또는 마찰 기전 에너지 변환 소자
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제12항에 따른 압전 또는 마찰 기전 에너지 변환 소자를 포함하는 에너지 하베스팅 장치
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