| 1 |
1
반도체용 열전도성 전자파 차폐도료로서 구리파우더(1) 표면에 코팅되는 니켈과, 상기 니켈의 표면에 합성되는 그래핀으로 이루어지는 구리와 니켈과 그래핀으로 이루어지는 반도체용 열전도성 전자파 차폐도료에 있어서,상기 구리파우더(1) 표면에 형성된 산화막(2)을 제거하기 위해 염화수소(HCl)를 사용하는 것으로,HCl 1~5mol 용액을 사용하여 Cu표면의 산화막을 제거하되, HCl의 몰 농도에 따라 반응 시간은 5~10분으로 조절하고,이후, 작용기를 매개로 하여 구리에 그래핀(Graphene)을 합성하여, 구리원소 간에 통전이 잘 이루어지도록 하며,상기 그래핀은 니켈의 표면에 합성하기 위해 화학기상증착법(CVD)을 사용하되, 그래핀옥사이드 작용기와 결합하여 화학적 반응을 유도하는 것으로,니켈 코팅을 통해 형성된 산화방지막(3)은 그래핀옥사이드 작용기와 결합하여 화학적 반응을 유도하며, 구리파우더 표면은 산화막이 제거되고 니켈이 코팅된 상태이며, 상기 니켈이 코팅된 구리파우더를 2,2’-비티오펜(2,2’-Bithiophene) 수용액에 넣어서 50℃를 유지하며 5일 동안 반응시켜 니켈이 코팅된 구리파우더 표면에 자가조립 단분자막인 산화방지막(3)을 형성하는 것이고,반응종료 후 에탄올로 린스 후 진공 오븐에서 40℃로 건조시키는 것이며,상기 그래핀옥사이드는 그래핀파우더, 질산나트륨(NaNO3), 황산(H2SO4), 과망간산칼륨(KMnO4), 과산화수소(H2O2)를 통해 합성되는 것으로,플라스크에 0℃의 황산(H2SO4) 150ml을 담고, 상기 황산이 담긴 플라스크에 그래핀파우더 4
|
